近年來，隨著LED生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展一日千里,，令其發(fā)光亮度提高和壽命延長,，加上生產(chǎn)成本大幅降低，迅速擴(kuò)大了LED應(yīng)用市場(chǎng),，如消費(fèi)產(chǎn)品,、訊號(hào)系統(tǒng)及一般照明等，于是其全球市場(chǎng)規(guī)?？焖俪砷L,。2003年全球LED市場(chǎng)約44。8億美元(高亮度LED市場(chǎng)約27億美元),，較2002年成長17,。3%(高亮度LED市場(chǎng)成長47%),，乘著手機(jī)市場(chǎng)繼續(xù)增長之勢(shì)，預(yù)測(cè)2004年仍有14,。0%的成長幅度可期,。
目前手機(jī)、數(shù)字相機(jī),、PDA等背光源所使用之白光LED采用藍(lán)光單芯片加YAG螢光而成,。隨著手機(jī)閃光燈、大中尺寸(NB,、LCD-TV等)顯示屏光源模塊以至特殊用途照明系統(tǒng)之應(yīng)用逐漸增多,。末來再擴(kuò)展至用于一般照明系統(tǒng)設(shè)備，采用白光LED技術(shù)" title="LED技術(shù)">LED技術(shù)之大功率(HighPower)LED市場(chǎng)將陸續(xù)顯現(xiàn),。在技術(shù)方面,，現(xiàn)時(shí)遇到最大挑戰(zhàn)是提升及保持亮度，若再增強(qiáng)其散熱能力,，市場(chǎng)之發(fā)展深具潛力,。
ASM在研發(fā)及生產(chǎn)自動(dòng)化光電組件封裝設(shè)備上擁有超過二十年經(jīng)驗(yàn)，業(yè)界現(xiàn)行有很多種提升LED亮度方法,，無論從芯片及封裝設(shè)計(jì)層面,，至封裝工藝都以提升散熱能力和增加發(fā)光效率為目標(biāo)。在本文中,，就LED封裝" title="LED封裝">LED封裝工藝的最新發(fā)展和成果作概括介紹及討論,。
芯片設(shè)計(jì)
從芯片的演變歷程中發(fā)現(xiàn),，各大LED生產(chǎn)商在上游外延技術(shù)上不斷改進(jìn),，如利用不同的電極設(shè)計(jì)控制電流密度，利用ITO薄膜技術(shù)令通過LED的電流能平均分布等,，使LED芯片在結(jié)構(gòu)上都盡可能產(chǎn)生最多的光子,。再運(yùn)用各種不同方法去抽出LED發(fā)出的每一粒光子，如生產(chǎn)不同外形的芯片;利用芯片周邊有效地控制光折射度提高LED取光效率,，研制擴(kuò)大單一芯片表面尺寸(>2mm2)增加發(fā)光面積,，更有利用粗糙的表面增加光線的透出等等,。有一些高亮度LED芯片上p-n兩個(gè)電極的位置相距拉近,，令芯片發(fā)光效率及散熱能力提高,。而最近已有大功率LED的生產(chǎn),，就是利用新改良的激光溶解(Laserlift-off)及金屬黏合技術(shù)(metalbonding),，將LED外延晶圓從GaAs或GaN長晶基板移走,，并黏合到另一金屬基板上或其它具有高反射性及高熱傳導(dǎo)性的物質(zhì)上面,，幫助大功率LED提高取光效率及散熱能力。
封裝設(shè)計(jì)
經(jīng)過多年的發(fā)展,，垂直LED燈(φ3mm、φ5mm)和SMD燈(表面貼裝LED)已演變成一種標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品模式,。但隨著芯片的發(fā)展及需要,，開拓出切合大功率的封裝產(chǎn)品設(shè)計(jì)，為了利用自動(dòng)化組裝技術(shù)降低制造成本,，大功率的SMD燈亦應(yīng)運(yùn)而生,。而且，在可攜式消費(fèi)產(chǎn)品市場(chǎng)急速的帶動(dòng)下,，大功率LED封裝體積設(shè)計(jì)也越小越薄以提供更闊的產(chǎn)品設(shè)計(jì)空間,。
為了保持成品在封裝后的光亮度，新改良的大功率SMD器件內(nèi)加有杯形反射面,，有助把全部的光線能一致地反射出封裝外以增加輸出流明,。而蓋住LED上圓形的光學(xué)透鏡，用料上更改用以Silicone封膠,，代替以往在環(huán)氧樹脂(Epoxy),，使封裝能保持一定的耐用性。
封裝工藝及方案
半導(dǎo)體封裝之主要目的是為了確保半導(dǎo)體芯片和下層電路間之正確電氣和機(jī)械性的互相接續(xù),，及保護(hù)芯片不讓其受到機(jī)械,、熱、潮濕及其它種種的外來沖擊,。選擇封裝方法,、材料和運(yùn)用機(jī)臺(tái)時(shí)，須考慮到LED外延的外形,、電氣/機(jī)械特性和固晶精度等因素,。因LED有其光學(xué)特性，封裝時(shí)也須考慮和確保其在光學(xué)特性上能夠滿足,。
無論是垂直LED或SMD封裝，都必須選擇一部高精度的固晶機(jī),，因LED芯片放入封裝的位置精準(zhǔn)與否是直接影響整件封裝器件發(fā)光效能,。如圖1示，若芯片在反射杯內(nèi)的位置有所偏差,，光線未能完全反射出來,，影響成品的光亮度,。但若一部固晶機(jī)擁有先進(jìn)的預(yù)先圖像辨識(shí)系統(tǒng)(PRSystem),，盡管品質(zhì)參差的引線框架,，仍能精準(zhǔn)地焊接于反射杯內(nèi)預(yù)定之位置上。
一般低功率LED器件(如指示設(shè)備和手機(jī)鍵盤的照明)主要是以銀漿固晶,，但由于銀漿本身不能抵受高溫,，在提升亮度的同時(shí)，發(fā)熱現(xiàn)象也會(huì)產(chǎn)生,，因而影響產(chǎn)品,。要獲得高品質(zhì)高功率的LED，新的固晶工藝隨之而發(fā)展出來,，其中一種就是利用共晶焊接技術(shù),，先將芯片焊接于一散熱基板(soubmount)或熱沉(heatsink)上，然后把整件芯片連散熱基板再焊接于封裝器件上,，這樣就可增強(qiáng)器件散熱能力,，令發(fā)光功率相對(duì)地增加。至于基板材料方面,，硅(Silicon),、銅(Copper)及陶瓷(Ceramic)等都是一般常用的散熱基板物料。
共晶焊接
技術(shù)最關(guān)鍵是共晶材料的選擇及焊接溫度的控制,。新一代的InGaN高亮度LED,，如采用共晶焊接，芯片底部可以采用純錫(Sn)或金錫(Au-Sn)合金作接觸面鍍層,，芯片可焊接于鍍有金或銀的基板上,。當(dāng)基板被加熱至適合的共晶溫度時(shí)(圖5)，金或銀元素滲透到金錫合金層,，合金層成份的改變提高溶點(diǎn),，令共晶層固化并將LED緊固的焊于熱沉或基板上(圖6)。選擇共晶溫度視乎芯片,、基板及器件材料耐熱程度及往后SMT回焊制程時(shí)的溫度要求,。考慮共晶固晶機(jī)臺(tái)時(shí),，除高位置精度外,，另一重要條件就是有靈活而且穩(wěn)定的溫度控制，加有氮?dú)饣蚧旌蠚怏w裝置,，有助于在共晶過程中作防氧化保護(hù),。當(dāng)然和銀漿固晶一樣，要達(dá)至高精度的固晶,，有賴于嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臋C(jī)械設(shè)計(jì)及高精度的馬達(dá)運(yùn)動(dòng),，才能令焊頭運(yùn)動(dòng)和焊力控制恰到好處之余，亦無損高產(chǎn)能及高良品率的要求,。
進(jìn)行共晶焊接工藝時(shí)亦可加入助焊劑,，這技術(shù)最大的特點(diǎn)是無須額外附加焊力,，故此不會(huì)因固晶焊力過大而令過多的共晶合金溢出，減低LED產(chǎn)生短路的機(jī)會(huì),。,。
覆晶(FlipChip)焊接
覆晶焊接" title="覆晶焊接">覆晶焊接近年被積極地運(yùn)用于大功率LED制程中，覆晶方法把GaNLED芯片倒接合于散熱基板上,，因沒有了金線焊墊阻礙,，對(duì)提高亮度有一定的幫助。因?yàn)殡娏髁魍ǖ木嚯x縮短,，電阻減低,，所以熱的產(chǎn)生也相對(duì)降低。同時(shí)這樣的接合亦能有效地將熱轉(zhuǎn)至下一層的散熱基板再轉(zhuǎn)到器件外面去,。當(dāng)此工藝被應(yīng)用在SMDLED,，不但提高光輸出，更可以使產(chǎn)品整體面積縮小,，擴(kuò)大產(chǎn)品的應(yīng)用市場(chǎng),。
在覆晶LED技術(shù)發(fā)展上有兩個(gè)主要的方案:一是鉛錫球焊(Solderbumpreflow)技術(shù);另一個(gè)是熱超聲(Thermosonic)焊接技術(shù)。鉛錫球焊接(圖10)已在IC封裝應(yīng)用多時(shí),，工藝技術(shù)亦已成熟,，故在此不再詳述。
針對(duì)低成本及低線數(shù)器件的生產(chǎn),，熱超聲覆晶(Thermosonicflipchip)技術(shù)(圖11)尤其適用于大功率LED焊接,。以金做焊接的接口，由于金此物本身熔點(diǎn)溫度較鉛錫球和銀漿高,，對(duì)固晶后的制程設(shè)計(jì)方面更有彈性,。此外，還有無鉛制程,、工序簡單,、金屬接位可靠等優(yōu)點(diǎn)。熱超聲覆晶工藝經(jīng)過多年的研究及經(jīng)驗(yàn)累積,，已掌握最優(yōu)化的制程參數(shù),，而且在幾大LED生產(chǎn)商已成功地投入量產(chǎn)。
足生產(chǎn)線使用外,，其余大量的(如芯片粘片機(jī),、引線焊接機(jī)、測(cè)試機(jī),、編帶機(jī))等自動(dòng)化設(shè)備還全都依賴進(jìn)口,。
發(fā)展我國LDD裝備業(yè)的具體建議方案
建議國家在支持LED技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展中,，把材料與工藝設(shè)備作為發(fā)展的基礎(chǔ)和原動(dòng)力加以支持,。在發(fā)展LED技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的過程中,，建議我國走引進(jìn)、消化,、吸收,、創(chuàng)新、提高的道路,。具體方案如下:在國家支持下,，通過國家、LED生產(chǎn)企業(yè)和設(shè)備及材料制造業(yè)三方聯(lián)合,，建立具有孵化器功能的中國LED設(shè)備,、材料、制造及應(yīng)用聯(lián)合體,。
為在短時(shí)間內(nèi)掌握并提高設(shè)備制造水平,，帶動(dòng)我國中高檔LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展，建議由聯(lián)合體共同籌措資金(國家50%,，設(shè)備研制單位15%,，芯片制造與封裝技術(shù)研究單位15%，LED芯片制造與封裝企業(yè)20%)建設(shè)一條完整的LED芯片制造與封裝示范生產(chǎn)線,。該示范線以解決設(shè)備研制與工藝試驗(yàn),、LED產(chǎn)品制造工藝技術(shù)研究與驗(yàn)證、實(shí)現(xiàn)工藝技術(shù)與工藝設(shè)備成套供應(yīng)為已任,。凡參與該示范建設(shè)的單位,，有權(quán)無償使用該生產(chǎn)線進(jìn)行相關(guān)產(chǎn)品、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化研究與試驗(yàn),，特別是LED產(chǎn)品生產(chǎn)單位,，可優(yōu)先優(yōu)惠得到相關(guān)研究與產(chǎn)業(yè)化成果。
針對(duì)該示范線,，實(shí)施三步走的戰(zhàn)略,，最終實(shí)現(xiàn)LED生產(chǎn)設(shè)備商品化和本土化(詳見設(shè)備國產(chǎn)化方案表二)。第一步:利用兩年左右的時(shí)間,，對(duì)一些關(guān)鍵設(shè)備進(jìn)行國產(chǎn)化(國家給予一定的獎(jiǎng)金支持);對(duì)于國內(nèi)已經(jīng)具有一定基礎(chǔ)且具有性價(jià)比優(yōu)勢(shì)的普通設(shè)備則利用市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)原則,，采取準(zhǔn)入制擇優(yōu)配套(通過制訂標(biāo)準(zhǔn));對(duì)于部分難度較大、短期內(nèi)國產(chǎn)化不了的設(shè)備,，國家應(yīng)安排攻關(guān),，并完成生產(chǎn)型ɑ樣機(jī)開發(fā)。第二步,，從本方案實(shí)施的第三年起,，第一步中涉及到的前兩類設(shè)備重點(diǎn)解決生產(chǎn)工藝的適應(yīng)性、生產(chǎn)效率、可靠性,、外觀及成本等問題,，具備國內(nèi)配套及批量供應(yīng)能力，攻關(guān)類設(shè)備完成生產(chǎn)型樣機(jī)商業(yè)化(γ型機(jī))開發(fā),。第三步,，從本方案實(shí)施的第五年起，第一及第二步中涉及到的所有設(shè)備具備國際競(jìng)爭(zhēng)能力,，除滿足國內(nèi)需求外,，要占領(lǐng)一定的國際市場(chǎng);攻關(guān)設(shè)備能夠滿足產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)要求并具備批量供應(yīng)能力。