設計中,，根據IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊中提供的ID-VDS,，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關參數，利用saber" title="saber">saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET" title="MOSFET">MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型,，圖5-1所示MOSFET DC Characteristics設置,，圖5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics設置，Body Diode 參數采用默認設置,。

　　首先驗證Rg,、Vgs、Vds關系,，仿真電路如圖

　　這里電路中加入了一定的電感Lg,，仿真電路寄生電感，取值是0.05uH,，有沒有什么依據?我當時是想導線計算電感的時候好像是要加上0.05u,，就放了個0.05u。

　　仿真過程是,，Rg分別取1歐姆,，到10歐姆，到100歐姆。驗證Rg取值對驅動波形Vgs和開關導通特性Vds影響,。結果如下圖：

　　可以看出,，不同Rg阻值對MOSFET IXFN50N80Q2 的影響。設計中,，取Rg=10,，取Rg=1，擔心過沖擊穿Vgs,，取100,，上升沿速度太慢，不滿足高速應用,。

　　下邊討論MOSFET串聯(lián)問題,。仿真電路如圖：仿真電路中兩路驅動，只有Rg參數不一致,，其他均一致,。

　　Q2的驅動電路中Rg=15，Q1的驅動電路中Rg=10,，這樣的目的是在討論驅動電路中等效電阻的不一致(可能來自Rg本身不一致,，也可能是線路不同，器件不同而造成的不一致)情況下,，對串聯(lián)MOSFET導通過程影響,。觀察Vd1和Vd2兩點的波形，如圖：

　　從圖中可以明顯看到,，由于驅動電路參數不一致Rg1

　　一般MOSFET串聯(lián)都需要動態(tài)和靜態(tài)均壓,。靜態(tài)均壓見圖中的MOSFET兩端并聯(lián)電阻，取值可以參考MOSFET手冊中關斷狀態(tài)的漏電流,，通過靜態(tài)電阻的漏電流是通過MOSFET靜態(tài)漏電流的6倍左右,，太大會加大電阻靜態(tài)損耗。

　　本設計中動態(tài)均壓網絡,，采用TVS并聯(lián)在MOSFET兩端,，起到保護作用。TVS管好像有點貴,，也可以采用RCD網絡,。有人說，TVS并聯(lián)起到的不是動態(tài)均壓作用,，只是瞬態(tài)保護作用,，這也是有道理的。

　　TVS管選擇,，就是Vwm 大于電路正常工作電壓,，Vc小于電路額定最大工作電壓,。

　　采用TVS管保護電路前后，Vd1仿真波形對比圖：

　　可以看到,，加入TVS管后,，尖峰脈沖的持續(xù)時間大大縮短。

　　MOSFET串聯(lián)應用,，在保證動態(tài)靜態(tài)均壓和驅動一致性的條件下,，還要采用一些隔離技術和多路驅動技術，以保證多只MOSFET串聯(lián)組成高壓大功率高頻開關,。這方面這里就不再寫了,，希望大家指點