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基于ARM9內(nèi)核Processor對外部NAND FLASH的控制實(shí)現(xiàn)
發(fā)表于：3/25/2011 12:00:00 AM
新閃存標(biāo)準(zhǔn)ONFI3.0出爐訪問速度提升一倍
發(fā)表于：3/18/2011 6:05:55 PM
基于VxWorks的NANDFLASH驅(qū)動程序設(shè)計(jì)
發(fā)表于：3/12/2011 12:00:00 AM
美光科技針對基于NAND閃存的筆記本推出了運(yùn)行更快，容量更高的固態(tài)硬盤
發(fā)表于：2/25/2011 12:44:59 PM
繼去年創(chuàng)下高位后，2011年NOR閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)下降
發(fā)表于：2/25/2011 12:00:00 AM
美光公司用ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì)
發(fā)表于：2/16/2011 12:00:00 AM
Nios II與CF卡的接口設(shè)計(jì)
發(fā)表于：2/15/2011 12:00:00 AM
NAND Flash下半年需求急增價格陷拔河賽
發(fā)表于：2/14/2011 12:00:00 AM
解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)
發(fā)表于：1/29/2011 12:00:00 AM
基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設(shè)計(jì)改進(jìn)方案
發(fā)表于：1/21/2011 12:00:00 AM
2010年半導(dǎo)體銷售額增幅創(chuàng)最高紀(jì)錄
發(fā)表于：1/18/2011 12:00:00 AM
半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測
發(fā)表于：1/5/2011 12:00:00 AM
基于Nand Flash的VIVI裝載器的分析與改進(jìn)
發(fā)表于：12/31/2010 12:00:00 AM
2010全球半導(dǎo)體市場或大幅增長至3040億美元
發(fā)表于：12/22/2010 12:00:00 AM
2011年半導(dǎo)體市場回歸正常軌道
發(fā)表于：12/20/2010 12:00:00 AM
Micron 推出創(chuàng)新閃存裝置，延長 NAND閃存生命周期
發(fā)表于：12/6/2010 5:08:45 PM
預(yù)警2011年NAND Flash市場：上半年小心供過于求
發(fā)表于：12/4/2010 12:00:00 AM
DRAM市場價格持續(xù)下跌
發(fā)表于：11/11/2010 12:00:00 AM
美光和英特爾率先利用業(yè)界領(lǐng)先的25納米硅工藝技術(shù)推出3-bit-per-cell NAND 閃存
發(fā)表于：8/19/2010 12:00:00 AM
Spansion、爾必達(dá)（Elpida）宣布建立更廣泛閃存合作聯(lián)盟
發(fā)表于：7/27/2010 12:00:00 AM
存儲器市場高漲引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變
發(fā)表于：6/3/2010 12:00:00 AM
分析稱4月IC出貨低于預(yù)期臺灣雙M表現(xiàn)兇猛
發(fā)表于：5/28/2010 12:00:00 AM
閃存新技術(shù)終于接近量產(chǎn)！可變電阻式內(nèi)存可望取代NAND（一）
發(fā)表于：5/20/2010 12:00:00 AM
iSuppli預(yù)測2010年NOR Flash市場收益將止跌回升
發(fā)表于：5/12/2010 12:00:00 AM
可管理的存儲器：為存儲器系統(tǒng)增加智能的途徑
發(fā)表于：5/11/2010 12:00:00 AM
美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)
發(fā)表于：5/11/2010 12:00:00 AM
三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)
發(fā)表于：5/11/2010 12:00:00 AM
基于VxWorks的三星 NAND FLASH驅(qū)動程序設(shè)計(jì)
發(fā)表于：4/30/2010 12:00:00 AM
DSP系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)Nand+Flash存儲管理
發(fā)表于：4/14/2010 12:00:00 AM
一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫存
發(fā)表于：1/8/2010 12:00:00 AM

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