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使用比值方案的橋式測(cè)量傳感器

可用的橋式傳感器有很多類型,，包括應(yīng)變計(jì)、測(cè)壓元件,、壓力傳感器,，以及扭矩傳感器。橋式傳感器使用無源的電阻網(wǎng)絡(luò),，即惠斯通電橋,。大部分惠斯通電橋式傳感器使用電橋的所有四個(gè)橋臂作為有源傳感元件。

發(fā)表于：12/28/2010

2011年電感,、電解電容行情和價(jià)格看漲

因?yàn)樵牧虾腿斯こ杀镜纳仙?，一些電子元件的價(jià)格預(yù)期將發(fā)生一定程度的上浮,，電感和電解電容就是2011年行情和價(jià)格都看漲的元件。

發(fā)表于：12/27/2010

比值方案的橋式測(cè)量傳感器

可用的橋式傳感器有很多類型,，包括應(yīng)變計(jì),、測(cè)壓元件、壓力傳感器,，以及扭矩傳感器,。橋式傳感器使用無源的電阻網(wǎng)絡(luò)，即惠斯通電橋,。大部分惠斯通電橋式傳感器使用電橋的所有四個(gè)橋臂作為有源傳感元件,。然而，普通的應(yīng)變計(jì)包括單橋臂,，兩橋臂,，或四橋臂有源傳感器元件,，根據(jù)相關(guān)的四分之一，二分之一或全橋式配置,。一些情況下,，傳感器并不提供全部的電阻，其余構(gòu)成惠斯通電橋所需的元件必須由測(cè)量裝置提供,。因?yàn)殡姌蚴皆菬o源的,，所以它們需要額外的信號(hào)調(diào)理來提供激勵(lì)信號(hào)并測(cè)量得到激勵(lì)下的有效輸出。

發(fā)表于：12/27/2010

DRAM合約價(jià)再跌10%減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

2010年12月下旬DRAM的合約價(jià)格持續(xù)重挫,，其中2GB容量DDR3模塊的價(jià)格下跌10%,，平均售價(jià)跌破20美元，低價(jià)來到17美元價(jià)格,。

發(fā)表于：12/23/2010

2010年汽車MEMS傳感器市場(chǎng)規(guī)?？涨?，消費(fèi)廠商搶入

據(jù)iSuppli公司,，隨著汽車生產(chǎn)活動(dòng)復(fù)蘇和傳感器元件供應(yīng)商重建庫存，汽車微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)傳感器市場(chǎng)將在2010年增長(zhǎng)到最高紀(jì)錄規(guī)模,。2010年汽車MEMS傳感器出貨量將達(dá)到6.623億個(gè),，比2009年的5.012億個(gè)大增32.1%。

發(fā)表于：12/23/2010

綠色、安全和連通性是連接器發(fā)展三大趨勢(shì)

注重安全和連通性連接器發(fā)展的三大趨勢(shì)為：一是綠色,，二是安全，三是連通性,?？上攵履茉雌囉捎诖嬖诟邏合到y(tǒng),，對(duì)連接器的要求也與傳統(tǒng)汽車“求同存異

發(fā)表于：12/22/2010

汽車MEMS傳感器市場(chǎng)將在2010創(chuàng)紀(jì)錄

據(jù)iSuppli公司,，隨著汽車生產(chǎn)活動(dòng)復(fù)蘇和傳感器元件供應(yīng)商重建庫存，汽車微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)傳感器市場(chǎng)將在2010年增長(zhǎng)到最高紀(jì)錄規(guī)模,。2010年汽車MEMS傳感器出貨量將達(dá)到6.623億個(gè),，比2009年的5.012億個(gè)大增32.1%。

發(fā)表于：12/22/2010

FTTH光纜選用及光功率預(yù)算

FTTH(FiberToTheHome,，光纖到戶)建設(shè)已經(jīng)成為光網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的重點(diǎn),，是所有從事光通信工作者的夢(mèng)想,，即使在2008年各國(guó)遭受金融危機(jī)時(shí)，仍然把FTTH建設(shè)放在頭等位置,，把發(fā)展寬帶作為拉動(dòng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要措施,。

發(fā)表于：12/22/2010

光纖隔離驅(qū)動(dòng)在大功率IGBT中的應(yīng)用

隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣，電源設(shè)備變換功率越來越大,，電磁干擾也相應(yīng)增強(qiáng),。為此必須提高控制板的抗干擾能力，提高驅(qū)動(dòng)耐壓等級(jí),。于是,，光纖的使用也就成為了必然。

發(fā)表于：12/22/2010

傳感器輸出傳輸功能技巧

高質(zhì)量的測(cè)壓元件(loadcell)可能會(huì)具有2-mV/V輸出傳輸功能,，其意味著您獲得的每一伏特激勵(lì)電壓都要±2mV滿量程輸出信號(hào),。4.096V激勵(lì)電壓和全傳感器撓度條件下，最大輸出為±8.192mV,。在12位應(yīng)用中,，滿量程的一半或許代表體重秤的0到250磅。如果您想要0.25磅精度,，則您需要1000個(gè)輸出測(cè)量點(diǎn),。要對(duì)1/1000滿量程的東西進(jìn)行研究，您必須能夠辨別出8.192μV的傳感器輸出變化,。通過使用4.4的峰值因數(shù)（請(qǐng)參見參考文獻(xiàn)1）,，在99.999%時(shí)間中將峰至峰傳感器噪聲維持在8.192μV以下，您便可以獲得這種精度,。在這種精度條件下,，傳感器的最低有效位為8.192μV，即931nV(rms),。

發(fā)表于：12/22/2010

Vishay榮獲菲律賓政府的高度評(píng)價(jià)和贊揚(yáng)

日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其在菲律賓首都馬尼拉郊區(qū)的制造工廠因在環(huán)境和安全方面的突出表現(xiàn),，榮獲菲律賓政府在2010年頒發(fā)的3個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng),，這些獎(jiǎng)項(xiàng)包括總統(tǒng)辦公室與環(huán)境和自然資源部頒發(fā)的環(huán)境表現(xiàn)表彰證書，能源部頒發(fā)的能效和優(yōu)秀能源管理獎(jiǎng),，勞工部頒發(fā)的安全里程碑獎(jiǎng),。

發(fā)表于：12/21/2010

Cree 推出新型 650V 碳化硅肖特基二極管,，助力先進(jìn)高能效數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

碳化硅功率器件領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先者 Cree 公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出最新Z-Rec?650V 結(jié)型肖特基勢(shì)壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求,。新型 JBS 二極管的阻斷電壓為 650V,，能夠滿足近期數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)修改的要求,。據(jù)行業(yè)咨詢專家估算，這樣可以將能效提高多達(dá) 5% ,。由于數(shù)據(jù)中心的耗電量幾乎占全球年耗電量的 10%,，任何水平的能效提升都會(huì)有助于大幅降低總體能耗。

發(fā)表于：12/21/2010

國(guó)際整流器公司擴(kuò)大包括邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)器件在內(nèi)的40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 系列

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,，簡(jiǎn)稱IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合,。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。

發(fā)表于：12/21/2010

基于CMOS圖像傳感器的計(jì)花器設(shè)計(jì)

闡述了新型CMOS圖像傳感器ME1010的結(jié)構(gòu)模塊與工作方式,，設(shè)計(jì)出了以ME1010為核心的計(jì)花器系統(tǒng),，給出了系統(tǒng)硬件、軟件結(jié)構(gòu),，對(duì)硬件和軟件進(jìn)行了計(jì)算機(jī)仿真分析,。仿真結(jié)果表明該系統(tǒng)能夠滿足高支纖維生產(chǎn)過程對(duì)計(jì)

發(fā)表于：12/21/2010

2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%

2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,，包括興建12寸晶圓廠Line-16,，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率,，仍都是來自于制程微縮為主,，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix),、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出,，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(BitGrowth)將增加50%。

發(fā)表于：12/21/2010