微波射頻相關(guān)文章 聯(lián)華電子第四季度凈利潤(rùn)增46% 聯(lián)華電子(UnitedMicroelectronicsCorp.,UMC)日前公布,，受晶圓發(fā)貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng)提振,，去年第四季度凈利潤(rùn)增長(zhǎng)46%。但該公司表示,，美國(guó)和新興市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的不確定性可能令今年芯片需求受到抑制,。 發(fā)表于：1/27/2011 芯片封裝技術(shù)詳解 自從美國(guó)Intel公司1971年設(shè)計(jì)制造出4位微處a理器芯片以來(lái),，在20多年時(shí)間內(nèi),，CPU從Intel4004、80286,、80386,、80486發(fā)展到Pentium和PentiumⅡ,，數(shù)位從4位、8位,、16位,、32位發(fā)展到64位;主頻從幾兆到今天的400MHz以上... 發(fā)表于：1/27/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)P溝道器件的最低導(dǎo)通電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ,。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻,。 發(fā)表于：1/26/2011 下一代無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)技術(shù) PON技術(shù)是一種典型的電到多點(diǎn)接入技術(shù),，由局側(cè)光線路終端（OLT）、用戶側(cè)光網(wǎng)絡(luò)單元（ONU）以及光分配網(wǎng)絡(luò)（ODN）組成,?！盁o(wú)源”是指ODN中不含有任何有源電子器件及電源，全部由光纖和光分/合路器（Splitter）等無(wú)源光器件組成,。 發(fā)表于：1/26/2011 光纖位移傳感器的工作原理與仿真 加拿大Roctest公司生產(chǎn)了一種商業(yè)用途的光纖位移傳感器（Fiber-Optic Linear Position & Displacement Sensor, FO－LPDS）,，這種傳感器使用了Fizeau干涉儀解調(diào)專利技術(shù)（US patent #5202939/#5392117），具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,、精度高和響應(yīng)快的優(yōu)點(diǎn),，目前已經(jīng)在土木工程領(lǐng)域得到了成功的應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹該種傳感器的原理和用途,。 發(fā)表于：1/25/2011 MEMS硅膜電容式氣象壓力傳感器的研制 利用硅膜的良好機(jī)械特性,，采用接觸式的結(jié)構(gòu)，通過(guò)簡(jiǎn)單標(biāo)準(zhǔn)的工藝制造出了電容式壓力傳感器樣片,。經(jīng)過(guò)對(duì)傳感器的測(cè)試和分析,，證明這種傳感器可應(yīng)用于氣象壓力的測(cè)量。如何改進(jìn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝制造,，提高傳感器的測(cè)量精度是下一步研究工作的重點(diǎn),。 發(fā)表于：1/24/2011 Maxim推出帶有LDD接口的SFP+控制器 Maxim推出帶有數(shù)字激光二極管驅(qū)動(dòng)器(LDD)接口的小外形可插拔(SFP+)控制器DS1878。DS1878基于狀態(tài)機(jī),，無(wú)需進(jìn)行枯燥的軟件開發(fā)工作,。器件能夠輕松滿足SFF-8472標(biāo)準(zhǔn)的要求，大大縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,。此外,，作為光收發(fā)器設(shè)計(jì)人員理想的高可靠性I²C控制器選擇，DS1878可有效提高SFP+光收發(fā)器模塊的可靠性,。 發(fā)表于：1/24/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)P溝道器件的最低導(dǎo)通電阻 賓夕法尼亞,、MALVERN— 2011 年1 月24 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ,。新器件采用2mmx 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝,，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。 發(fā)表于：1/24/2011 MEMS增長(zhǎng)動(dòng)力在消費(fèi)電子和手機(jī) 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng),，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%,。但據(jù)IHSiSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開始,，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年,。 發(fā)表于：1/24/2011 起因于RTN的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并模擬的方法 瑞薩電子開發(fā)出了對(duì)起因于隨機(jī)電報(bào)噪聲（RTN：RandomTelegraphNoise）的SRAM誤操作進(jìn)行觀測(cè)并實(shí)施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計(jì)22nm以后尖端LSI中的RTN影響,，適當(dāng)設(shè)定針對(duì)RTN的設(shè)計(jì)余度,。 發(fā)表于：1/24/2011 延長(zhǎng)導(dǎo)通時(shí)間可減小輸入電容容量 基于微處理器的器件需要使用穩(wěn)壓電源(PSU)以檢測(cè)輸入功率損耗和繼續(xù)在完成內(nèi)存?zhèn)浞?即將關(guān)鍵數(shù)據(jù)寫入非易失性存儲(chǔ)器)的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行供電。 發(fā)表于：1/24/2011 2011年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將保持增長(zhǎng) 據(jù)IHSiSuppli公司,，由于企業(yè)需求強(qiáng)勁,，包括硬盤(HDD)在內(nèi)的全球存儲(chǔ)產(chǎn)品出貨量2011年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)10%以上。HDD與固態(tài)硬盤(SSD)的合計(jì)出貨量2011年將增長(zhǎng)到5.472億個(gè),，比2010年的4.93億增長(zhǎng)10.9%,。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，對(duì)于存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求上升,，HDD和SSD都將從中受益,。 發(fā)表于：1/24/2011 ClearNAND閃存改善系統(tǒng)設(shè)計(jì) 美光公司的增強(qiáng)型ClearNAND閃存為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供更高的性能和更多的功能，同時(shí)緩解了NAND閃存對(duì)ECC糾錯(cuò)能力的日益嚴(yán)格的要求,。增強(qiáng)型ClearNAND閃存支持與標(biāo)準(zhǔn)100-Ball BGA NAND閃存相似的焊球排列，用戶可以設(shè)計(jì)出同時(shí)支持這兩種封裝的產(chǎn)品,。例如,，該產(chǎn)品將使SSD主控制器擁有充足的ECC糾錯(cuò)能力來(lái)直接支持SLC NAND閃存，選擇增強(qiáng)型ClearNAND閃存還能滿足ECC面臨更大挑戰(zhàn)的多級(jí)單元需求,。 發(fā)表于：1/22/2011 MEMS開始新的兩位數(shù)增長(zhǎng)階段 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng),，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究,，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開始,，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。 發(fā)表于：1/21/2011 e絡(luò)盟引進(jìn)Helieon®可持續(xù)照明模塊 e絡(luò)盟（前身為派睿電子）母公司element14今天宣布,，Molex高效,、易用的Helieon?可持續(xù)照明模塊，正式加入element14及其子公司e絡(luò)盟的產(chǎn)品庫(kù)存目錄中,。Molex是連接器和互連元件及解決方案的全球領(lǐng)先制造商和供應(yīng)商,。 發(fā)表于：1/21/2011 ?…131132133134135136137138139140…?
