解讀功率電子技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)——飛兆半導(dǎo)體與PCIM China 2010大放異彩
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標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：2010年6月1日～3日在上海舉辦的PCIM China 2010展會(huì)上，來自飛兆半導(dǎo)體的技術(shù)專家與業(yè)內(nèi)人士共聚一堂,，分享了最新成果,，并于同期研討會(huì)上闡述了功率電子技術(shù)的最新發(fā)展?fàn)顩r和未來的發(fā)展趨勢(shì)。
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