集成全新650V IGBT和發(fā)射極控制二極管芯片技術(shù)的三電平IGBT功率
所屬分類：解決方案
上傳者：serena
文檔大?。?span>205 K
標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：通過將一個(gè)完整的三電平橋臂集成在一個(gè)模塊內(nèi)部，把器件耐壓從600V提高到650V,，然后配上較高集成度的驅(qū)動(dòng)解決方案,，這種三電平NPC拓?fù)錇橹小⑿」β誓孀兤魅绺咝У腢PS,、PV等需要工作在較高開關(guān)頻率和配置有濾波器的應(yīng)用帶來非常具有吸引力的解決方案,。
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