功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET的單次及重復(fù)性雪崩耐量分析
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
文檔大?。?span>71 K
標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：通常,，功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET的崩潰效應(yīng)的評(píng)估皆以單一脈沖UIS 為基準(zhǔn),。本應(yīng)用筆記對(duì)雪崩耐量進(jìn)行了詳細(xì)分析，并在安全操作條件下,，嘗試對(duì)UIS能量進(jìn)行了適當(dāng)?shù)牧炕?
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