CMOS和TTL電路探討
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
標(biāo)簽： CMOS TTL
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文檔介紹： 通常以為TTL門的速度高于CMOS門電路。影響TTL門電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻數(shù)值,。電阻數(shù)值越大,，作速度越低。管子的開關(guān)時間越長,，門的工作速度越低,。門的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對于輸入波形上有傳輸延時。將tpd與空載功耗P的乘積稱速度-功耗積,，做為器件性能的一個重要指標(biāo),，其值越小，表明器件的性能越 好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）,。與TTL門電路的情況不同,，影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部，即負(fù)載電容CL,。CL是主要影響器件工作速度的原因,。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時約為幾十納秒。
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