三星HBM內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問題未通過英偉達(dá)測(cè)試
消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問題未通過英偉達(dá)測(cè)試
發(fā)表于:5/24/2024 2:14:24 PM
藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟宣布新首席執(zhí)行官Neville Meijers就任
發(fā)表于:5/24/2024 9:13:00 AM
北大科研團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)完全可編程拓?fù)涔庾有酒?/a>
發(fā)表于:5/23/2024 8:38:33 AM
ASML:考慮推出通用EUV光刻平臺(tái) 覆蓋不同數(shù)值孔徑
ASML 著眼未來:考慮推出通用 EUV 光刻平臺(tái),覆蓋不同數(shù)值孔徑
發(fā)表于:5/23/2024 8:38:25 AM
比亞迪第二代刀片電池系統(tǒng)研發(fā)迎來重大突破
發(fā)表于:5/23/2024 8:38:25 AM