MEMS封裝新趨勢(shì)概覽

在整個(gè)MEMS生態(tài)系統(tǒng)中,，MEMS封裝發(fā)展迅速，晶圓級(jí)和3D集成越來(lái)越重要,。這篇文章中,，我們分析了MEMS集成和封裝的現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。在整個(gè)MEMS生態(tài)系統(tǒng)中,，MEMS封裝發(fā)展迅速,，晶圓級(jí)和3D集成越來(lái)越重要。這篇文章中,，我們分析了MEMS集成和封裝的現(xiàn)狀和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì),。主要的趨勢(shì)是為低溫晶圓鍵合等單芯片集成開(kāi)發(fā)出與CMOS兼容的MEMS制造工藝。另一個(gè)新趨勢(shì)是裸片疊層應(yīng)用于低成本無(wú)鉛半導(dǎo)體封裝,，這種技術(shù)可為量產(chǎn)帶來(lái)更低的成本和更小的引腳封裝。此外,，3D集成使LCR passives成為可能,。LCR passives嵌入封裝中使外部passives最小化并且為小引腳應(yīng)用、晶圓鍵合,、垂直內(nèi)封裝連接層和中介層提供便利,。但是，MEMS 器件的CMOS和3D集成給建模,、測(cè)試和可靠性帶來(lái)挑戰(zhàn),。 硅中介層和封裝集成 在一個(gè)疊層裸片或2.5D/3D封裝中硅中介層用來(lái)垂直連接兩個(gè)模,。在微控制器和FPGA中，通常采用高引腳數(shù)量和高密度連接,。這項(xiàng)技術(shù)以垂直硅通孔（TSVs）形式類(lèi)似地被MEMS采用,。 金屬基硅中介層通過(guò)DRIE刻蝕幾十到幾百微米的垂直溝槽，然后金屬化以制造垂直金屬導(dǎo)體,。金屬和硅的熱膨脹系數(shù)錯(cuò)

發(fā)表于：8/2/2013 3:15:37 PM