如圖所示,，電路以555為核心,，與光敏電阻RG和RP1等組成,。RG隨光照的強弱呈現(xiàn)不同的阻值，利用555內(nèi)部的兩個比較器的復位和置位特性,，便可組成施密特觸發(fā)器,。當光強時，RG呈低阻,，2腳呈低電平(<1/3 VDD觸發(fā)電平),，555置位，K不動作,；當光弱時,，RG呈高阻，6腳電平高于2/3 VDD閾值電平,，555復位，K吸合,。
如圖所示,，電路以555為核心,，與光敏電阻RG和RP1等組成,。RG隨光照的強弱呈現(xiàn)不同的阻值，利用555內(nèi)部的兩個比較器的復位和置位特性,，便可組成施密特觸發(fā)器,。當光強時，RG呈低阻,，2腳呈低電平(<1/3 VDD觸發(fā)電平),，555置位，K不動作,；當光弱時,，RG呈高阻，6腳電平高于2/3 VDD閾值電平,，555復位，K吸合,。
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