隨著功率密度不斷提高,，半橋（例如HID半橋或LLC）和全橋（例如ZVS全橋）等軟開關(guān)" title="軟開關(guān)">軟開關(guān)拓?fù)涑蔀槔硐氲慕鉀Q方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的動(dòng)態(tài)性能，采用這些拓?fù)淇山档拖到y(tǒng)的開關(guān)損耗，提高可靠性,。這種情況主要出現(xiàn)在輕載條件下。事實(shí)證明，CoolMOS這樣的超結(jié)器件可以克服這個(gè)問題,，由于其內(nèi)部?jī)?yōu)化了反向恢復(fù)過程電荷載流子去除功能，并且消除內(nèi)部寄生NPN雙極晶體管的栓鎖問題,。通過增強(qiáng)注入載流子的結(jié)合率可大幅降低反向恢復(fù)電荷,，而且增強(qiáng)結(jié)合率可降低關(guān)斷過程中的反向恢復(fù)峰值電流，并使反向恢復(fù)電荷大幅降低至約為原來(lái)的十分之一,。對(duì)于優(yōu)化體二極管" title="二極管">二極管（圖1）性能在硬開關(guān)" title="硬開關(guān)">硬開關(guān)條件下應(yīng)用而言,，反向恢復(fù)波形的形狀和印刷電路板的設(shè)計(jì)尤其重要。新一代CoolMOS 650V CFD2改進(jìn)了體二極管反向恢復(fù)性能,，而且給擊穿電壓留有更大的安全裕量,。
圖1 CoolMOS高壓功率MOSFET" title="MOSFET">MOSFET及其內(nèi)部體二極管的橫截面示意圖。
反向恢復(fù)行為
新一代CoolMOS 650V CFD的反向恢復(fù)特性如圖2所示,。與標(biāo)準(zhǔn)器件相比,，新一代CoolMOS 650V CFD器件具備極低的反向恢復(fù)電荷Qrr、極短的反向恢復(fù)時(shí)間trr和極小的反向恢復(fù)電流最大值Irrm,。
圖2是在di/dt=100A/μs,、25°C和Vr=400V等條件下測(cè)量的反向恢復(fù)波形。相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)器件,，新一代CFD器件具備極低的Qrr,、trr和Irrm。
與此同時(shí),，盡管Qrr,、trr和Irrm大幅降低，但這種新器件的波形仍然顯示出軟特性,。這種特性十分適用于硬換流,，旨在避免電壓過沖和確保器件可靠運(yùn)行。
換流耐用性
圖3新一代CoolMOS 650V CFD2器件的反向恢復(fù)波形,。即使在測(cè)試儀達(dá)到最大功率條件下,，這些器件也不會(huì)受損。
圖3的反向恢復(fù)測(cè)量結(jié)果（在di/dt “ 2000A/μs的條件下）顯示了CoolMOS（tm） 650V CFD2器件的換流耐用性,。
在這些條件下,，無(wú)任何器件受損。相對(duì)于其他超結(jié)器件波動(dòng)劇烈的波形,，這些波形仍然顯示出了軟特性,。顯而易見,，這對(duì)于設(shè)計(jì)人員而言是一大優(yōu)勢(shì)。設(shè)計(jì)人員可通過優(yōu)化其應(yīng)用,，獲得最大性能,，同時(shí)不必?fù)?dān)心器件在體二極管進(jìn)行硬換流時(shí)發(fā)生損毀。
Qrr 和 trr 與溫度關(guān)系
圖4 310mΩ 650V CFD器件的Qrr 和Trr 與溫度關(guān)系,。
對(duì)于設(shè)計(jì)人員而言,，了解Qrr和trr與溫度關(guān)系至關(guān)重要。Qrr和trr值會(huì)隨著溫度的升高而增大,，這是因?yàn)槠骷械妮d流子在高溫下不斷增加,。圖4顯示了310mΩ 650V CFD2器件的Qrr和trr值與溫度的這種關(guān)系。從圖形可看出Qrr和 trr與溫度成線性關(guān)系,。
隨著功率密度不斷提高,，半橋（例如HID半橋或LLC）和全橋（例如ZVS全橋）等軟開關(guān)拓?fù)涑蔀槔硐氲慕鉀Q方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的動(dòng)態(tài)性能,，采用這些拓?fù)淇山档拖到y(tǒng)的開關(guān)損耗,，提高可靠性。這種情況主要出現(xiàn)在輕載條件下,。事實(shí)證明,，CoolMOS這樣的超結(jié)器件可以克服這個(gè)問題，由于其內(nèi)部?jī)?yōu)化了反向恢復(fù)過程電荷載流子去除功能,，并且消除內(nèi)部寄生NPN雙極晶體管的栓鎖問題,。通過增強(qiáng)注入載流子的結(jié)合率可大幅降低反向恢復(fù)電荷，而且增強(qiáng)結(jié)合率可降低關(guān)斷過程中的反向恢復(fù)峰值電流,，并使反向恢復(fù)電荷大幅降低至約為原來(lái)的十分之一,。對(duì)于優(yōu)化體二極管（圖1）性能在硬開關(guān)條件下應(yīng)用而言，反向恢復(fù)波形的形狀和印刷電路板的設(shè)計(jì)尤其重要,。新一代CoolMOS 650V CFD2改進(jìn)了體二極管反向恢復(fù)性能,，而且給擊穿電壓留有更大的安全裕量。
圖1 CoolMOS高壓功率MOSFET及其內(nèi)部體二極管的橫截面示意圖,。
反向恢復(fù)行為
新一代CoolMOS 650V CFD的反向恢復(fù)特性如圖2所示,。與標(biāo)準(zhǔn)器件相比，新一代CoolMOS 650V CFD器件具備極低的反向恢復(fù)電荷Qrr,、極短的反向恢復(fù)時(shí)間trr和極小的反向恢復(fù)電流最大值Irrm,。
圖2是在di/dt=100A/μs、25°C和Vr=400V等條件下測(cè)量的反向恢復(fù)波形,。相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)器件，新一代CFD器件具備極低的Qrr,、trr和Irrm,。
與此同時(shí),，盡管Qrr、trr和Irrm大幅降低,，但這種新器件的波形仍然顯示出軟特性,。這種特性十分適用于硬換流，旨在避免電壓過沖和確保器件可靠運(yùn)行,。
換流耐用性
圖3新一代CoolMOS 650V CFD2器件的反向恢復(fù)波形,。即使在測(cè)試儀達(dá)到最大功率條件下，這些器件也不會(huì)受損,。
圖3的反向恢復(fù)測(cè)量結(jié)果（在di/dt “ 2000A/μs的條件下）顯示了CoolMOS（tm） 650V CFD2器件的換流耐用性,。
在這些條件下，無(wú)任何器件受損,。相對(duì)于其他超結(jié)器件波動(dòng)劇烈的波形,，這些波形仍然顯示出了軟特性。顯而易見,，這對(duì)于設(shè)計(jì)人員而言是一大優(yōu)勢(shì),。設(shè)計(jì)人員可通過優(yōu)化其應(yīng)用，獲得最大性能,，同時(shí)不必?fù)?dān)心器件在體二極管進(jìn)行硬換流時(shí)發(fā)生損毀,。
Qrr 和 trr 與溫度關(guān)系
圖4 310mΩ 650V CFD器件的Qrr 和Trr 與溫度關(guān)系。
對(duì)于設(shè)計(jì)人員而言,，了解Qrr和trr與溫度關(guān)系至關(guān)重要,。Qrr和trr值會(huì)隨著溫度的升高而增大，這是因?yàn)槠骷械妮d流子在高溫下不斷增加,。圖4顯示了310mΩ 650V CFD2器件的Qrr和trr值與溫度的這種關(guān)系,。從圖形可看出Qrr和 trr與溫度成線性關(guān)系。
Qrr 和Trr與通態(tài)電阻關(guān)系
另一個(gè)需要注意的重要方面是Qrr和trr與器件的通態(tài)電阻關(guān)系,，如圖5和圖6所示,。圖5和圖6將新一代基于C6技術(shù)的650V CFD2器件與英飛凌前代基于C3技術(shù)的600V CFD進(jìn)行對(duì)比。
圖5 Qrr 與通態(tài)電阻關(guān)系,，測(cè)量條件為25°C ,。將80 mΩ、310 mΩ和 660mΩ650V CFD2器件與前代基于C3技術(shù)的600V CFD對(duì)比,。
顯然,，全新的650V CFD2器件相對(duì)于前代技術(shù)，在動(dòng)態(tài)特性（Qrr,、trr）和最低通態(tài)電阻之間達(dá)到更好的平衡,。
圖6 trr與通態(tài)電阻關(guān)系，測(cè)量條件為25°C,。將80mΩ,、310mΩ和660mΩ 650V CFD2器件與前代基于C3技術(shù)的600V CFD對(duì)比,。
在HID橋上的性能評(píng)估
我們還將這些新器件的性能與HID半橋上采用的SPD07N60C3進(jìn)行了對(duì)比。通過采用新一代CoolMOS CFD2器件,，可無(wú)需使用D2,、D3、D4和D5二極管,，從而降低了系統(tǒng)成本（圖7）,。
圖7 典型的HID半橋電路。利用全新的CoolMOS（tm） 650V CFD2器件代替T2 和 T3晶體管,，無(wú)需采用D2 至D5的二極管,。
圖8為T2 和T3晶體管為SPD07N60C3以及D2、D3,、D4和D5二極管使用時(shí),，獲得的波形。采用這種設(shè)置時(shí),，我們可獲得91.81%的效率,。
圖8 將SPD07N60C3作為開關(guān)和D2至 D5二極管使用時(shí)，在T3晶體管關(guān)斷階段的電路波形,。系統(tǒng)效率達(dá)到91.81%,。
通過去除與晶體管串聯(lián)的二極管，可消除額外的正向壓降,。當(dāng)開關(guān)損耗因存儲(chǔ)在MOSFET內(nèi)的反向恢復(fù)電荷而增大時(shí),，該解決方案需要MOSFET的內(nèi)置體二極管具備更出色的性能。具體情況如圖9所示,。除了開關(guān)損耗增大,，另一個(gè)缺點(diǎn)是MOSFET最終會(huì)因高反向恢復(fù)電流而受損。
圖9 SPD07N60C3（不帶D2至D5二極管）在T3晶體管關(guān)斷階段的波形,。系統(tǒng)效率為89.72%,。
采用新一代IPD65R660CFD器件可獲得卓越的解決方案。由于這種MOSFET的內(nèi)置體二極管的性能出眾,，可不采用D2至D5二極管,，從而大幅提高系統(tǒng)效率。具體如圖10所示,。
圖10 IPD65R660CFD（無(wú)需D2至D5二極管）在T3晶體管關(guān)斷階段的波形,。系統(tǒng)效率為92.81%。
新一代IPD65R660CFD器件的內(nèi)置體二極管的優(yōu)化結(jié)構(gòu)與極低的反向恢復(fù)電荷特性的有機(jī)結(jié)合,，還有助于確保器件的可靠運(yùn)行,。
結(jié)論
英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態(tài)電阻和高達(dá)650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復(fù)電荷和結(jié)實(shí)耐用的內(nèi)置體二極管,。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr和trr最大值,。我們還評(píng)估了這種新器件在典型HID半橋電路應(yīng)用中的性能：省去4個(gè)二極管,，并獲得出色效率。由于內(nèi)置體二極管具備650V的擊穿電壓和結(jié)實(shí)的結(jié)構(gòu),，因此這種新器件擁有更多安全特性，可防止在MOSFET硬換流過程中被損壞,。