2011年DRAM市場將會是什么景況？以下是投資銀行Barclays Capital分析師C.J. Muse收集產(chǎn)業(yè)界各方消息所歸納出的五項發(fā)展趨勢：

 1. DRAM市場走下坡

 Muse表示,，2011年NAND市場前景不錯,，但DRAM市場可能相反,；主要是因為平板電腦開始蠶食低階筆記本電腦與迷你筆電(netbook)市場，在這種情況下,，原本較小尺寸筆記本電腦所搭載的DRAM量,，平均每臺約2GB，卻被代換成平板電腦每臺僅256Mb,、也就是只有1/8的平均搭載量,，意味著DRAM將供應過剩。

 2. 轉向3x納米制程

 整體看來,，所有的DRAM供貨商都開始轉向3x納米制程,，包括三星(Samsung)與海力士(Hynix)；日本爾必達(Elpida)也在試圖從65或6x納米直接跳到3x納米,，期望能因此大幅縮減成本,。

 3. 韓廠雙強獨大

 DRAM市場不同于NAND市場仍存在眾多一線廠商,，已開始呈現(xiàn)韓國兩大廠商獨霸的狀況，目前僅有三星與海力士能稱為DRAM市場的一線供貨商(以技術水準與獲利表現(xiàn)來看),，美光(Micron),、南亞科(Nanya)、華亞(Inotera)則是二線廠商(財務狀況與技術水準稍遜),，至于爾必達,、力晶(powerchip)、瑞晶(Rexchip)則排第三線(技術水準與財務狀況都有很大的進步空間),。

 三星是DRAM市場最受關注的焦點,，目前該公司也壟斷了30納米制程DRAM生產(chǎn)所必需的NXT微影工具訂單；今年度,，三星最成功之處在于提高了DRAM市場占有率,，估計2010年全球DRAM市場成長率在45~50%之間，該公司的DRAM業(yè)務成長率可高達70%,。

 緊追于三星之后的另一家一線廠商海力士,，目前唯一的問題是負債與管理階層，而這些狀況可望在2011年獲得解決,；海力士在中國無錫廠生產(chǎn)4x納米與3x納米的DRAM,，在其產(chǎn)品架構于明年由8F2轉進6F2之后，可望取得更進一步成長動力,。

 4. 美光陣營面臨艱困時刻

 美光(Micron)在2009年曾有一度可名列一線廠商,，但其前景取決于溝槽式制程轉換至堆棧式制程的順利與否；雖然該公司在2010年初曾出現(xiàn)訂單量大增,，但良率表現(xiàn)不太令人滿意,，整年度的位成長率表現(xiàn)也不佳。

 由于制程轉換不順,，美光的合作伙伴南亞科與華亞的50納米制程良率問題也未解決,，因此美光要轉進40納米與30納米，恐怕會很艱難,；但Muse預期,，明年也許會有一些轉機。

 5. 爾必達的豪賭

 爾必達目前正盡全力想成為領導級廠商,，在日本與臺灣兩地積極募資,；此外在技術部分，該公司開發(fā)出65納米微縮制程65納米XS,，搶在DRAM價格仍不錯的時候多賺一些利潤,；同時也試圖躍進40納米與30納米制程。