簡述芯片封裝技術(shù) 

   （一） 自從美國Intel公司1971年設(shè)計(jì)制造出4位微處a理器芯片以來,，在20多年時(shí)間內(nèi)，CPU從Intel4004、80286,、80386、80486發(fā)展到Pentium和PentiumⅡ,，數(shù)位從4位,、8位、16位,、32位發(fā)展到64位;主頻從幾兆到今天的400MHz以上,，接近GHz;CPU芯片里集成的晶體管數(shù)由2000個(gè)躍升到500萬個(gè)以上;半導(dǎo)體制造技術(shù)的規(guī)模由SSI、MSI,、LSI,、VLSI達(dá)到 ULSI。封裝的輸入/輸出（I/O）引腳從幾十根,，逐漸增加到 幾百根,，下世紀(jì)初可能達(dá)2千根。這一切真是一個(gè)翻天覆地的變化,。 

    對于CPU,，讀者已經(jīng)很熟悉了，286,、386,、486,、Pentium、Pentium Ⅱ,、Celeron,、K6、K6-2 ……相信您可以如數(shù)家珍似地列出一長串,。但談到CPU和其他大規(guī)模集成電路的封裝,，知道的人未必很多。所謂封裝是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼,，它不僅起著安放,、固定、密封,、保護(hù)芯片和增強(qiáng)電熱性能的作用,，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁——芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印制板上的導(dǎo)線與其他器件建立連接,。因此,，封裝對CPU和其他LSI集成電路都起著重要的作用。 

    新一代CPU的出現(xiàn)常常伴隨著新的封裝形式的使用,。 芯片的封裝技術(shù)已經(jīng)歷了好幾代的變遷,，從DIP、QFP,、PGA,、BGA到CSP再到MCM，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn),，包括芯片面積與封裝面積之比越來越接近于1,，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好,，引腳數(shù)增多,，引腳間距減小，重量減小,，可靠性提高,，使用更加方便等等。 下面將對具體的封裝形式作詳細(xì)說明  

     一,、DIP封裝 70年代流行的是雙列直插封裝，簡稱DIP(Dual In-line Package),。DIP封裝結(jié)構(gòu)具有以下特點(diǎn): 1.適合PCB的穿孔安裝; 2.比TO型封裝易于對PCB布線; 3.操作方便 DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有:多層陶瓷雙列直插式DIP,，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式,，塑料包封結(jié)構(gòu)式,，陶瓷低熔玻璃封裝式),。 衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比，這個(gè)比值越接近1越好,。以采用40根I/O引腳塑料包封雙列直插式封裝(PDIP)的CPU為例,，其芯片面積/封裝面積=3×3/15.24×50=1：86,離1相差很遠(yuǎn)。不難看出,，這種封裝尺寸遠(yuǎn)比芯片大,，說明封裝效率很低，占去了很多有效安裝面積 Intel公司這期間的CPU如8086,、80286都采用PDIP封裝,。  

    二、芯片載體封裝  

　　 80年代出現(xiàn)了芯片載體封裝,，其中有陶瓷無引線芯片載體LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier),、塑料有引線芯片載體PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封裝SOP(Small Outline Package),、塑料四邊引出扁平封裝PQFP(Plastic Quad Flat Package),，封裝結(jié)構(gòu)形式如圖3、圖4和圖5所示,。 以0.5mm焊區(qū)中心距,，208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例，外形尺寸28×28mm,，芯片尺寸10×10mm,，則芯片面積/封裝面積=10×10/28×28=1：7.8，由此可見QFP比DIP的封裝尺寸大大減小,。QFP的特點(diǎn)是: 1.適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線; 2.封裝外形尺寸小,，寄生參數(shù)減小，適合高頻應(yīng)用; 3.操作方便; 4.可靠性高,。 在這期間,，Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四邊引出扁平封裝PQFP,。 

    三,、BGA封裝 90年代隨著集成技術(shù)的進(jìn)步、設(shè)備的改進(jìn)和深亞微米技術(shù)的使用,，LSI,、VLSI、ULSI相繼出現(xiàn),，硅單芯片集成度不斷提高,，對集成電路封裝要求更加嚴(yán)格，I/O引腳數(shù)急劇增加,，功耗也隨之增大,。為滿足發(fā)展的需要,，在原有封裝品種基礎(chǔ)上，又增添了新的品種——球柵陣列封裝,，簡稱BGA(Ball Grid Array Package),。 BGA一出現(xiàn)便成為CPU、南北橋等VLSI芯片的高密度,、高性能,、多功能及高I/O引腳封裝的最佳選擇。其特點(diǎn)有: 1.I/O引腳數(shù)雖然增多,，但引腳間距遠(yuǎn)大于QFP,，從而提高了組裝成品率;2.雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,，簡稱C4焊接,， 從而可以改善它的電熱性能:3.厚度比QFP減少1/2以上,，重量減輕3/4以上;4.寄生參數(shù)減小,，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高;5.組裝可用共面焊接,，可靠性高;6.BGA封裝仍與QFP,、PGA一樣，占用基板面積過大; Intel公司對這種集成度很高(單芯片里達(dá)300萬只以上晶體管),，功耗很大的CPU芯片,，如Pentium、Pentium Pro,、PentiumⅡ采用陶瓷針柵陣列封裝CPGA和陶瓷球柵陣列封裝CBGA,，并在外殼上安裝微型排風(fēng)扇散熱，從而達(dá)到電路的穩(wěn)定可靠工作,。 四,、面向未來新的封裝技術(shù) BGA封裝比QFP先進(jìn)，更比PGA好,，但它的芯片面積/封裝面積的比值仍很低,。 Tessera公司在BGA基礎(chǔ)上做了改進(jìn)，研制出另一種稱為μBGA的封裝技術(shù),，按0.5mm焊區(qū)中心距,，芯片面積/封裝面積的比為1:4，比BGA前進(jìn)了一大步,。  
　　 

1994年9月日本三菱電氣研究出一種芯片面積/封裝面積=1:1.1的封裝結(jié)構(gòu),，其封裝外形尺寸只比裸芯片大一點(diǎn)點(diǎn)。也就是說,，單個(gè)IC芯片有多大,，封裝尺寸就有多大，從而誕生了一種新的封裝形式,，命名為芯片尺寸封裝,，簡稱CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封裝具有以下特點(diǎn): 1.滿足了LSI芯片引出腳不斷增加的需要;2.解決了IC裸芯片不能進(jìn)行交流參數(shù)測試和老化篩選的問題;3.封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10,，延遲時(shí)間縮小到極短,。 曾有人想，當(dāng)單芯片一時(shí)還達(dá)不到多種芯片的集成度時(shí),，能否將高集成度,、高性能、高可靠的CSP芯片(用LSI或IC)和專用集成電路芯片(ASIC)在高密度多層互聯(lián)基板上用表面安裝技術(shù)(SMT)組裝成為多種多樣電子組件,、子系統(tǒng)或系統(tǒng),。由這種想法產(chǎn)生出多芯片組件MCM(Multi Chip Model)。它將對現(xiàn)代化的計(jì)算機(jī),、自動化,、通訊業(yè)等領(lǐng)域產(chǎn)生重大影響。 

    MCM的特點(diǎn)有: 

    1.封裝延遲時(shí)間縮小,，易于實(shí)現(xiàn)組件高速化; 

    2.縮小整機(jī)/組件封裝尺寸和重量,，一般體積減小1/4，重量減輕1/3; 

    3.可靠性大大提高,。 隨著LSI設(shè)計(jì)技術(shù)和工藝的進(jìn)步及深亞微米技術(shù)和微細(xì)化縮小芯片尺寸等技術(shù)的使用,，人們產(chǎn)生了將多個(gè)LSI芯片組裝在一個(gè)精密多層布線的外殼內(nèi)形成MCM產(chǎn)品的想法。進(jìn)一步又產(chǎn)生另一種想法:把多種芯片的電路集成在一個(gè)大圓片上,，從而又導(dǎo)致了封裝由單個(gè)小芯片級轉(zhuǎn)向硅圓片級(wafer level)封裝的變革,，由此引出系統(tǒng)級芯片SOC(System On Chip)和電腦級芯片PCOC(PC On Chip)。 隨著CPU和其他ULSI電路的進(jìn)步,，集成電路的封裝形式也將有相應(yīng)的發(fā)展,，而封裝形式的進(jìn)步又將反過來促成芯片技術(shù)向前發(fā)展。