根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門 DRAM" title="DRAM">DRAMeXchange 調(diào)查,， DDR3" title="DDR3">DDR3 2GB合約價(jià)格自2010年自上半年的高點(diǎn)46.5美元后一路走跌,，九月上旬跌破40美元,，十月下旬再度跌破30美元,。十一月上旬均價(jià)約25美元,，與今年高點(diǎn)相比跌幅達(dá)46%,。

　　雖然筆記本電腦九月出貨優(yōu)于預(yù)期,，由于傳統(tǒng)旺季需求仍不暢旺,，季成長僅2.6%,。DRAM產(chǎn)出方面,，除了三星由于制程優(yōu)于其它同業(yè)，加上浸潤式機(jī)臺移入時間早,，產(chǎn)出量的增加在第三季達(dá)到頂峰,，也讓三星在第三季營收有著亮眼的表現(xiàn)。

　　反觀其它DRAM業(yè)者，浸潤式機(jī)臺移入時間點(diǎn)大都集中在今年下半年,，產(chǎn)出量亦在第四季大增,，供給大于需求加上 DRAM廠商有銷貨上的壓力，以較低的價(jià)格爭取訂單,，是造成十月下旬合約價(jià)加速趕底的主要原因,。集邦科技預(yù)估，今年年底DDR3合約價(jià)格可能下看20美元,，下跌幅將超過30% (QoQ),。

　　由于預(yù)見DRAM價(jià)格大幅下跌，DRAM廠紛紛對未來資本支出轉(zhuǎn)趨保守,，如三星Fab16的建設(shè),，將視未來市場狀況做調(diào)整，臺系廠如力晶亦下修資本支出約20%至160億臺幣,，日臺合資的瑞晶R2廠擴(kuò)廠計(jì)劃也延后討論,。

　　另外爾必達(dá)更在11月4日F2Q法說上，宣稱將把減產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM月產(chǎn)能至6萬片,，減產(chǎn)方向可能降低委外代工部分,，或降低日本廣島廠標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的投片量。11月8日,，力晶跟進(jìn)宣布減產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 10%~15%,，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)至代工產(chǎn)品。同時市場也傳出海力士因44nm良率不佳,，影響第三季及第四季的產(chǎn)出,。

　　展望2011年，集邦科技預(yù)估 2011年 DRAM 產(chǎn)出全年成長率在廠商加速制程轉(zhuǎn)進(jìn)下,，仍可達(dá)50%,。各家的制程轉(zhuǎn)進(jìn)狀況，三星35nm制程預(yù)計(jì)明年下半年將超過50%,，其余國際廠也加速3Xnm進(jìn)程,，海力士、美光及爾必達(dá)均預(yù)計(jì)明年第二季末量產(chǎn)3Xnm技術(shù),；臺系廠明年則以加速轉(zhuǎn)進(jìn)4xnm 為目標(biāo),。各家競相轉(zhuǎn)進(jìn)制程，期望將生產(chǎn)成本再降低,，以因應(yīng)DRAM快速下跌的速度,。

　　DRAMeXchange 預(yù)估，DRAM價(jià)格可望在明年第一季或第二季落底,。2011年P(guān)C 銷售成長預(yù)計(jì)達(dá)11.8%,，加上Tablet PC 刺激Mobile RAM需求成長80%以上,，然而在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格大跌隱憂下，DRAM廠明年上半年資本支出可能將保守以對,，預(yù)期明年第一季,，低價(jià)DRAM可望刺激計(jì)算機(jī)廠商增加DRAM 搭載率。

　　DRAMeXchange預(yù)估2011年DT以及NB單機(jī)搭載率分別成長至4.22GB/4.00GB,，年增率36%以及31%,，市場期望DRAM搭載的成長，能讓市場由超額供給回復(fù)至供需平衡,，下半年市場價(jià)格走穩(wěn),。