單結(jié)晶體管是近幾年發(fā)展起來的一類新型電子器件,,它具有一種重要的電氣性能,,即負阻特性,可以大大簡化自激多諧振蕩器,、階梯波發(fā)生器及定時電路等多種脈沖產(chǎn)生單元電路的結(jié)構(gòu),,故而應(yīng)用十分廣泛。了解單結(jié)晶體管的伏安特性曲線,是理解及設(shè)計含單結(jié)晶體管電路工作原理的基礎(chǔ),。在傳統(tǒng)的單結(jié)晶體管伏安特性測試實驗中,,通常需要直流電源與晶體管圖示儀兩種設(shè)備配合使用,然而圖示儀沒有相應(yīng)的器件插孔,,測試很不方便,。另外,因圖示儀的頻率特性低,,無法顯示單結(jié)晶體管伏安特性的負阻區(qū),,這給理解其特性曲線帶來困難??梢岳肕ultisim 10與LabVIEW結(jié)合完整地顯示其特性曲線,,且方便于讀取峰點與谷點的電壓及電流值。
1 用Multisim 10進行數(shù)據(jù)采集
Multisim 10的元器件庫提供數(shù)千種電路元器件供實驗選用,,虛擬測試儀器儀表種類齊全,,有一般實驗用的通用儀器,但沒有晶體管圖示儀,,只能測試晶體三極管,、PMOS和NMOS伏安特性曲線,不具備測試單結(jié)晶體管的伏安特性的功能,??梢岳肕ultisim 10強大的仿真功能,對單結(jié)晶體管的測試電路進行數(shù)據(jù)采集,。
1.1 單結(jié)晶體管的測試電路
單結(jié)晶體管的伏安特性測試條件是當?shù)诙鶚OB2與第一基極B1之間的電壓VBB固定時,,測試發(fā)射極電壓VE和發(fā)射極電流IE之間的關(guān)系。在Multisim 10中畫出單結(jié)晶體管的測試電路,,如圖l所示,。選取2N6027管為測試管,圖1中4號線接發(fā)射極E,;3號線接第二基極B2,;0號線接第一基極B1;電壓源V1和V2的數(shù)值不固定,,可在直流掃描時進行修改,。
1.2 單結(jié)晶體管測試電路的直流掃描分析
Multisim 10可同時對2個直流源進行掃描,仿真時,,選擇V2直流源,,掃描曲線的數(shù)量等于V2直流源的采樣點數(shù)。每條曲線相當于V2直流源取某個電壓值時,,對V1直流源進行直流掃描分析所得的曲線,。橫坐標是V2,縱坐標是V(4)電壓(即VE)和I(V3)電流(即IE),不符合單結(jié)晶體管伏安特性VE與IE之間的關(guān)系曲線,,即直流掃描曲線不能直觀地反映VE與IE之間的關(guān)系,,必須進行進一步的處理。
1.3 單結(jié)晶體管測試數(shù)據(jù)的后處理
可采用Multisim 10提供的后處理功能與直流掃描功能相配合,,將采集的實驗數(shù)據(jù)輸出到Excel電子表格中,,如圖2所示。在Excel表中,,X-Trace欄顯示的是變化的V2電壓值,;Y-Trace顯示的是不同V2電壓下,I(V2)的電流值和V(4)的電壓值,,因為每個點均有橫坐標與縱坐標的值,,所以會出現(xiàn)多次的X-Trace欄。至此,,由Multisim10進行的數(shù)據(jù)采集工作已經(jīng)結(jié)束,。
2 用LabVIEW顯示單結(jié)晶體管伏安特性
LabVIEW的主要特點是用戶可依托計算機的資源構(gòu)建虛擬儀器,以代替實際儀器完成測試和測量任務(wù),。在LabVIEW中,,開發(fā)程序都被稱為VI(虛擬儀器),其擴展名默認為.vi,。所有的VI都包括前面板(front panel),、框圖(block diagram)及圖標和連接器窗格(icon and connector pane)3部分。虛擬儀器的交互式用戶接口被稱為前面板,,它模仿了實際儀器的面板,。Multisim 10采集的數(shù)據(jù)為Excel電子表格數(shù)據(jù),1個點1對坐標,,是輸入電壓V2與I(V2)及輸入電壓V2與V(4)的關(guān)系,,而單結(jié)晶體管的伏安特性描述的是電壓V(4),即VE與電流I(V2),,即IE之間的關(guān)系,,因此不能直接用Multisim 10采集的數(shù)據(jù)進行顯示,,可以通過LabVIEW進行相應(yīng)數(shù)據(jù)的提取,。
2.1 LabVIEW軟件程序開發(fā)
LabVIEW程序設(shè)計具有結(jié)構(gòu)化和層次化的特征。通過采用模塊化的設(shè)計方法,,一個應(yīng)用程序可以分為許多個相對獨立的模塊,,每個模塊實現(xiàn)特定的功能。通過對模塊的不同管理和組合,,可以完成各種復(fù)雜VI的程序設(shè)計,。當程序規(guī)模較大,或有多個相同的處理模塊時,用戶可以為這些模塊設(shè)計一個子程序,,即子VI,。子VI類似于傳統(tǒng)文本語言的子程序,它可以被多次調(diào)用,,而不用重新編寫代碼,,這使得設(shè)計復(fù)雜的重復(fù)性動作變得更加容易,應(yīng)用程序的維護更加簡單,。創(chuàng)建應(yīng)用程序時,,通常從頂層VI開始,為應(yīng)用程序定義輸入和輸出,,然后構(gòu)建子VI,,完成對流過框圖數(shù)據(jù)流的必要操作。數(shù)據(jù)顯示程序的設(shè)計層次如圖3所示,,圖中自創(chuàng)文件主要有三個,,低層文件SN TRAN、中層文件SM,、高層文件UTJ VI,。
2.1.1 數(shù)據(jù)顯示程序結(jié)構(gòu)中子程序介紹
SN TRAN子程序功能:字符串轉(zhuǎn)換子程序,讀取含有以逗號,、換行或其他非數(shù)字字符分隔的數(shù)字ASCII字符串,,并將其轉(zhuǎn)換為一個數(shù)組,采用該子程序可以將Multisim 10中采集的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成LabVIEW中可以讀取的數(shù)據(jù),,其程序框圖如圖4所示,。
SM掃描子VI功能:將采集的數(shù)據(jù)文件讀人,并可以顯示出數(shù)據(jù)或波形,,其程序框圖如5所示,。經(jīng)SN TRAN轉(zhuǎn)換后得到的數(shù)據(jù)可以用數(shù)值方式顯示兩個量之間的對應(yīng)關(guān)系;也可以作為圖形直觀地顯示兩個量之間的變化趨勢,。UTJ VI單結(jié)晶體管顯示子VI功能:顯示單結(jié)晶體管VE和IE之間的變化趨勢,,程序框圖如圖6所示。其前面板顯示的單結(jié)晶體管伏安特性曲線如圖7所示,。
2.2 單結(jié)晶體管伏安特性參數(shù)的讀取
游標是圖形的特殊個性化特征,,利用圖形的游標能夠準確地讀出曲線上任何一點的數(shù)據(jù),如圖7所示,。這里增加了兩個游標,,分別命名為P:VP&IP和V:VV&IV,且可以設(shè)置成在圖中顯示,,這樣既可直觀地看出具體點的標記,。名稱后面的數(shù)據(jù)分別表示橫坐標電壓和縱坐標電流的數(shù)值,,且數(shù)據(jù)精度可以根據(jù)需要設(shè)置。因單結(jié)晶體管的反向漏電流很小,,只是微安級,,所以應(yīng)將精度設(shè)置大些,才能體現(xiàn)出數(shù)據(jù)的變化,。移動游標,,可以讀出任意點的坐標,這樣方便于讀數(shù),,游標的形狀,、顏色均可以改變,增加了使用的靈活性,。
2.3 單結(jié)晶體管伏安特性分析
截止區(qū) 當加在第二基極與第一基極間的電壓VBB固定時,,等效電路中A點對B1的電壓UA=ηVBB為定值;當VE較小,,且VE
負阻區(qū) 當VE繼續(xù)增加,,且VE>VA時,,管子轉(zhuǎn)向?qū)ǎ琍N結(jié)電流開始顯著增加,,這時將有大量的空穴進入基區(qū),,使E,B1間的載流子大量增加,,Re1迅速減小,,而RB1的減小又使VA降低,導致IE又進一步加大,,這種正反饋的過程,,使IE急劇增加,VA下降,,此時單結(jié)晶體管呈現(xiàn)了負阻特性,,如圖中曲線的P~V段。到了“V”點,,負阻特性結(jié)束,,V點電壓Vv稱為谷點電壓。前面板中V點坐標顯示為Vv=0.867 417 V,,對應(yīng)的電流稱為谷點電流Iv(Iv=0.057 295 A=57.29 mA),。
飽和區(qū) 過了谷點V之后,繼續(xù)增加VE,,IE~VE曲線的形狀接近二極管導通時的正向特性曲線,,如曲線“V”點向上段,此時稱為飽和區(qū),。
當改變VBB電壓時,,即改變了閾值電壓VA,此時曲線的峰點電壓也隨之改變,。
3 結(jié) 語
Muhisim 10與LabVIEW相結(jié)合,,利用子程序做成測試單結(jié)晶體管弛張振蕩電路中電容器的充放電尖脈沖波形,可以彌補普通示波器測試頻帶窄而不能顯示這些波形的缺陷,。這種方法還可以推廣到測試并顯示任何電路中任意兩個量之間的關(guān)系,,這對分析電路的伏安特性、傳輸特性等具有很大的意義,。