引言
現(xiàn)代電子技術(shù)發(fā)展很快,,半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷推出新器件,,從而推動(dòng)電子應(yīng)用工程師的不斷創(chuàng)新設(shè)計(jì),以滿足市場(chǎng)的日益需求。本文介紹的即是基于客戶的需求,,應(yīng)用美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司的新型電流型PWM芯片LM3478及基于SEPIC升降壓原理實(shí)現(xiàn)的50WDC-DC適配器,。該適配器的主要特點(diǎn)是:直流輸入電壓范圍極寬;輸出功率大,;保護(hù)功能全,;輸出紋波??;效率高,;工作穩(wěn)定可靠;應(yīng)用范圍廣,。
SEPIC型變換器
SEPIC的電氣原理簡(jiǎn)圖如圖1所示,。
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通常稱之為升降壓變換器SEPIC的簡(jiǎn)單原理如下:當(dāng)SW開通時(shí),加在L1,,L2上的電壓均為Vin,,此時(shí)Cp并在L2上,且有Cp上的電壓與L2上的相等,。當(dāng)SW關(guān)斷時(shí),,L1中的電流繼續(xù)沿著Cp、D1流向Cout輸出到負(fù)載,,同時(shí)L2的電流也流向D1,、Cout輸出到負(fù)載。在此期間,,通過(guò)L1,、L2的電壓均等于輸出電壓Vout。由SEPIC的原理可推出基本關(guān)系式:Vout/Vin=D/(1-D),。式中D為占空比,,且忽略SW及L1等的壓降。
LM3478
LM3478芯片的主要特點(diǎn):
·寬輸入電壓:2.79—40VDC
·高工作頻率:100KHz—1MHz
·微型封裝:MSOP-8
·驅(qū)動(dòng)電流:1A
·內(nèi)部限制:OCP,OVP,LVP,OTP
·工作溫度:-40℃—+125℃
50WDC-DC變換器設(shè)計(jì)
該變換器的主要技術(shù)要求:
直流輸入電壓范圍:9-60VDC
輸入電流:<6A(9VDC)
直流輸出電壓:12VDC±%
直流輸出電流:3.5A
輸出紋波電壓:<100mVRMS
額定功率:42W
峰值功率:50W
電源效率:典型值85%,;滿負(fù)載
保護(hù)型式:電流限制功率保護(hù)
輸出過(guò)流保護(hù):<4.2A
輸出過(guò)壓保護(hù):由LM3478控制
工作溫度范圍:-20℃—+70℃
安規(guī)及EMC符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
高可靠性MTBF>100,000小時(shí)
外型及尺寸:塑殼式,;102×46×25(mm)
50WDC-DC變換器的電氣原理圖如圖2所示。
該電路是基于SEPIC拓?fù)?、?yīng)用LM3478芯片按照客戶的技術(shù)要求設(shè)計(jì)的,。在該電路中,,考慮到適配器的體積及儲(chǔ)能電感磁性材料的體積,選定工作頻率Fs=250KHz,。
計(jì)算儲(chǔ)能電感L3,、L4的電感量及磁芯選擇
首先由公式:D=Vout/(Vout+Vin)計(jì)算占空比。由于最嚴(yán)酷條件下的電感紋波電流是在最大輸入電壓下,,所以D=12/(12+60)≈0.167,。
計(jì)算儲(chǔ)能電感l(wèi)3、L4:正常情況下,,L4的大小在確保最小負(fù)載電流下使電感電流連續(xù),,且輸出紋波滿足指標(biāo)要求。為此,,我們假定在20%最小負(fù)載電流下,,允許有40%的峰-峰值紋波電流流過(guò)L4。
C1,、C2為輸入濾波,,Q1、DZ1,、DZ2,、D1-1構(gòu)成啟動(dòng)電源,L3,、L4為儲(chǔ)能電感,,Q2為功率MOSFET,IC為PWM驅(qū)動(dòng)芯片,,R5為頻率調(diào)整電阻,,C3、C4,、R2為反饋補(bǔ)償,,R3、R4為反饋分壓電阻,,R7為過(guò)電流取樣電阻,,C8、C9為SEPIC電容,,R8、R9,、C6,、C7為吸收網(wǎng)絡(luò),D2為輸出整流二極管,,C10,、C11,、C12為輸出濾波電容。當(dāng)然要想符合EMC要求,,輸入端還應(yīng)該有共模電感,差模電感,,及X、Y等安規(guī)電容,。
L=V×dt/di,;
其中dt=1/Fs×D=1/(250×103)×0.167≈0.668,,V為Vin在MOSFET開通時(shí)的值,。因此,有如下計(jì)算:
L4=60×(0.668×10-6/0.4)=100.2μH。取100μH的標(biāo)稱值,。由該SEPIC原理及設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)可知,,作為倆個(gè)分離的儲(chǔ)能電感,,L3的取值也為:100μH,。
由于該電感為儲(chǔ)能電感,因此,,對(duì)磁性材料的選取要特別注意,。此處選擇的材料為:Magnetic公司的KoolMu,,相同性能的材料,,其他公司又稱鐵硅鋁,。參數(shù)如下:
·料號(hào):77381-A7,黑色
·尺寸:17.27×9.65×6.35(mm),,為環(huán)型磁芯
·電感因數(shù)AL:43(nH/N2),,N為圈數(shù)
由公式:L=AL×N2,可以計(jì)算出電感圈數(shù)為:
48圈,,且用AWG18號(hào)線繞制。L3,、L4相同參數(shù),。
·Magnetic公司的KoolMu材料,,損耗少,相對(duì)成本低,,也可以選同規(guī)格其他廠商鐵硅鋁材料,。如果想進(jìn)一步降低成本也可以選用國(guó)產(chǎn)的鐵硅鋁材料。
上述L3,、L4為兩個(gè)分離電感設(shè)計(jì),也可以共用一個(gè)儲(chǔ)能磁環(huán),,只是此時(shí)由于耦合電感的存在,計(jì)算的電感值為上述值的一半,,為50μH,。但成本低些。
PCB注意事項(xiàng)
由于為高頻DC-DC變換,因此,,PCB布線很重要。區(qū)分功率地與信號(hào)地的匯流點(diǎn),,驅(qū)動(dòng)IC與MOSFET的關(guān)系,,輸入濾波與輸出濾波的位置等,。同時(shí)注意分離元件及貼片元件的位置關(guān)系,。還要考慮散熱器的形狀及散熱面積,。
關(guān)鍵元器件的選擇及說(shuō)明
功率MOSFET的選擇:N-FET,,極低導(dǎo)通電阻,,低門極驅(qū)動(dòng)電壓:5V—7V,,符合PWM-IC要求,,TO-220AB封裝,,100V/85A,結(jié)溫175℃,。型號(hào)為VISHAY:SUP85N10-10,。
肖特基整流二極管的選擇:型號(hào)為MBR20100CT,封裝為TO-220AB,,100V/20A,,正向壓降低,。
輸入,、輸出濾波電解電容可由計(jì)算公式或經(jīng)驗(yàn)選取。C8,、C9可由計(jì)算公式或?qū)嶒?yàn)選擇。取樣電阻的參數(shù)可由計(jì)算及實(shí)驗(yàn)來(lái)確定,。
樣機(jī)調(diào)試中發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題及解決方法
按照上述原理及計(jì)算參數(shù)進(jìn)行PCB的焊接及調(diào)試。發(fā)現(xiàn)問(wèn)題如下:
·由LM3478芯片的特點(diǎn)及典型的EPIC應(yīng)用來(lái)看,,比較適合功率等級(jí)20W以下的DC-DC變換器,。而此處設(shè)計(jì)成50WDC-DC變換器,發(fā)現(xiàn)PWM驅(qū)動(dòng)MOSFET有些困難,,波形畸變及MOSFET功耗大,,解決的方法為:在IC的6腳與MOSFET的柵極之間加入一級(jí)驅(qū)動(dòng)放大,即由NPN和PNP對(duì)管組成的放大級(jí),。
·L3,、L4均取100μH的電感量在工作時(shí)發(fā)現(xiàn):在輸出輕載或空載時(shí),輸出紋波過(guò)大,。經(jīng)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)由電感L3引起的,,根據(jù)經(jīng)驗(yàn)及分析將L3的電感量降為50mH即可解決問(wèn)題。
·IC的2引腳COMP對(duì)地的補(bǔ)償參數(shù)C3,、C4,、R2:若按典型參數(shù)試驗(yàn),發(fā)現(xiàn)樣機(jī)有噪聲且不穩(wěn)定,,經(jīng)試驗(yàn)將C2去掉,,結(jié)果沒(méi)有噪聲且工作穩(wěn)定,。
·取樣電阻R7:由于IC的特點(diǎn)使取樣電阻的閥值很低,而且該DC-DC的功率相對(duì)較大,,致使取樣電阻R7的選取比較困難,,為了降低成本選用微阻抗電阻。
結(jié)語(yǔ)
通過(guò)對(duì)該DC-DC變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及驅(qū)動(dòng)IC的選擇,,設(shè)計(jì)出了滿足技術(shù)要求的50W適配器,,雖然調(diào)試過(guò)程中遇到了一些問(wèn)題,經(jīng)過(guò)試驗(yàn)分析得到了解決,。從實(shí)際應(yīng)用來(lái)看,,用此原理設(shè)計(jì)出50W的電源已經(jīng)很有優(yōu)勢(shì)了。下一步還要考慮EMC及安規(guī)問(wèn)題來(lái)滿足國(guó)際市場(chǎng)的要求,。實(shí)驗(yàn)表明,,該適配器可用于寬輸入電壓范圍的DC-DC變換器及對(duì)蓄電池充電的場(chǎng)合。