具有較高時鐘率和速度的高速DSP" title="DSP">DSP系統(tǒng)設計" title="系統(tǒng)設計">系統(tǒng)設計正在變得日益復雜,。結(jié)果，增加了噪聲源數(shù)?，F(xiàn)在,，高端DSP的時鐘率(1GHz)和速度(500MHZ)產(chǎn)生可觀的諧波，這些是由于PCB線跡的作用如同天線所致,。由此引起的噪聲使音頻,、視頻、圖像和通信功能降低并對達到FCC/CE商標認證造成問題,。為了降低電源噪聲" title="電源噪聲">電源噪聲,，對于高速DSP系統(tǒng)設計人員來講，識別和找出可能的噪聲原因以及采用良好的高速設計實踐是關(guān)鍵,。本文說明交擾,、鎖相環(huán)(PLL)、去耦/體電容器在降低噪聲中的重要性,。
降低交擾
交擾是一個重要的噪聲源,。在高速系統(tǒng)中，信號地通路依賴于工作頻率,。對于低速信號(<10MHZ),，電流經(jīng)過最小電阻地通路(最短通路)返回到源,。
在10MHZ以上,，情況就不同。經(jīng)電流最小電感地通路返回,。重要的是返回信號以電流分布傳播(圖1),，這意味著相鄰信號的返回通路可能容易重疊，導致交擾,。
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降低交擾的技術(shù)有：線跡間距加大,，增加地線，降低諧波分量和線跡端接技術(shù),。
在高速DSP系統(tǒng)中,，加倍信號間的線跡間距,，可降低環(huán)路重疊，使交擾降低4倍,。對于差分信號(Ethernet或USB),，建議間距所產(chǎn)生的信號對應具有所需的匹配阻抗。另外,，關(guān)鍵信號(即時鐘)應屏蔽,，路由信號在電源和地平板之間的內(nèi)層，或把一個地平板放置在關(guān)鍵信號下面層上,。
在再制板上加信號線時,，應包括一個并聯(lián)地線。這可能提供高速電流返回通路并在電流環(huán)路中產(chǎn)生最小面積,。這個附加的通路,，確保返回電流不產(chǎn)生大的環(huán)路和拾取噪聲,。
在降低交擾時,，評價快速沿所引起的諧波和干擾是重要的。例如,，在線跡上增加串聯(lián)終端電阻器,，會使上升時間(Tr)減慢,，這是有效地降低諧波分量的方法。噪聲幅度曲線在低頻能較好地衰減諧波分量(圖2),。
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線跡可做為傳輸線(在上升時間Tr小于2倍傳播延遲時),。因此，應保持線跡盡可能的短,。若線跡的長度足以做為傳輸線,，則用串聯(lián)終端(電阻器與輸出驅(qū)動器串聯(lián))或并聯(lián)終端(在負載處電阻器到地)接線。若電阻器與所用線跡PCB阻抗匹配,，則可以降低傳輸線反射和瞬變,。
鎖相環(huán)
鎖相環(huán)(PLL)是另一個重要的噪聲源。在某些DSP中正日益采用模擬和數(shù)字版本PLL(圖3),。隔離到PLL電源時,，用π形濾波器去除高頻噪聲是有效的。但它對去除低噪聲作用不大,，需要用多級濾波器網(wǎng)絡,。然而，在快速開關(guān)電路中,，一個低壓降(LDO)穩(wěn)壓器是更適合的,，因為這種器件在低頻具有高電源抑制比(PSRR)。若設計的系統(tǒng)運行在噪聲環(huán)境(如汽車,、電/機裝置),，具有較大的低頻瞬變,，則應選擇高PSRR穩(wěn)壓器。
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分離模擬和數(shù)字地對于隔離來自模擬部分的數(shù)字噪聲有幫助,。對于低速電路這樣做也是良好的,。然而，對于高速電路(例如視頻部分)應避免分離地,?？焖匍_關(guān)電流需用最小的電流環(huán)路，而隔離地阻止來自選擇通路的電流,。因此,，將選擇另外通路到源，這最終導致勢差,、電流流和輻射,。在數(shù)字數(shù)據(jù)進入點把模擬和數(shù)字地短接在一起，可提供一個直接通路而不影響低頻信號,。信號朝實際的最短返回路徑到源,，而不是短路的通路。
電容器應用
適當?shù)貞秒娙萜魇墙档驮肼暤挠行Х椒?。去耦電容器提供一個低阻抗到地通路來旁路不希望的高頻能量,。可以用體電容器來旁路低頻到地,，以及用去耦電容器提供本地電荷存儲,。
對于去耦電容器沒有最好的值，這是因為反作用影響,。通常,，電容器阻抗隨頻率和電容降低。當信號頻率超過諧振頻率時,，電容器變成電感而不再是一個有效的濾波器,。盡管低阻抗和更多電荷存儲能降低下降，但對于高頻信號,，高值電容器不是最佳的,。理想地，在電源地應包含一個高值和一個較低值電容器,。若不能實現(xiàn),，用一個0.01礔電容器是一個可接受的折衷方案,。應該用較對大的體電容器,，至少10倍于總?cè)ヱ铍娙萜鳌?br />
例如，在100KHZ,，100礔電解電容具有0.6Ω左右的等效串聯(lián)電阻(ESR),，同樣值的鉭電容具有0.12Ω左右的ESR,，這使得鉭電容更適合體電容器。對于去耦陶瓷電容優(yōu)于聚酯電容器,。例如,，在1MHZ，0.1礔陶瓷電容器具有0.12Ω左右的ESR,，而1.0礔聚酯電容器具有0.11Ω的ESR,。
去耦電容器應放置在PCB底端靠近器件引腳處。對于高速DSP,，去耦電容器應放置在每個電源引腳處,。若空間不允許這樣做，也應盡可能地放置在器件周圍,。復雜DSP去耦的一種有效方法是從對角劃兩個虛線構(gòu)成一個X(圖4),。然后獨立分析4個區(qū)域的每個區(qū)域。
為使得體電容器靠近去耦電容器,，把它們放置在板的頂端,。這種定位使線蹤最短，同時可降低輻射和寄生電感,。
以TI公司的OMAP5910 DSP為例,，特別注意包含數(shù)字PLL和外部存儲器接口的區(qū)域(圖4中左邊區(qū)域)。該器件有13個芯核電壓引腳,，峰值芯核電流耗電170mA(平均每個引腳13mA),。在該區(qū)域的3個芯核電壓引腳包括數(shù)字PLL和外部存儲器接口，耗電39mA,。為了保證精度,，在確定電容器大小時，增加100%容限(即78mA)是合適的,。必須消除峰值I/O電流,。應采用謹慎的方法，假定在此區(qū)域所有54個I/O線同時開關(guān)4 mA,，這將導致216 mA通過此區(qū)域的8個I/O電壓引腳,。
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隨著芯核和I/O電壓工作不同頻率，必須用合適大小的電容器去耦電源,。在此實例中,，用下面的公式計算，計算的芯核電容為0.0078礔,對于216mA I/O 電流所需電容為0.22礔：C=I(dv/dt)
其中I為峰值電流,，dv為最大所允許的紋波電壓(假定10mV),，dt為上升時間(假定1ns,OMAP5910典型值)。
所以,，芯核電容C=78mA×(1ns/10mv)=0.0078礔
在OMAP5910 BGA 封裝中,，對于每個區(qū)域的4個電容器都有足夠的空間,，沒有一個是用于每個芯核電源引腳的。因此,，為了去耦芯核電壓引腳,，最好選擇兩個電容器，其總值為 0.0078礔(配置兩個0.0047礔陶瓷電容器,，以使從引腳到地有最短距離),。
必須考慮開關(guān)頻率。芯核部分在150MHz開關(guān)轉(zhuǎn)換,，而8個I/O引腳在75MHz開關(guān)轉(zhuǎn)換,。可以用另外兩個電容器位置來去耦I/O電壓引腳(即用兩個自諧波振頻率75MHz以上的0.01礔陶瓷電容器提供0.022礔),。
體電容器值
在此實例中,，DSP總芯核電壓電流為338mA。用上面的公式計算電容為0.0338礔,。做為體電容應該是10倍去耦電容值,，大約為0.39礔。對于I/O電壓,，進行同樣的處理,，得到0.84礔電容，給出總電容1.23礔,。對于體電容器,，每個提供3.075礔(1.23礔除以4，然后乘以10),，應該把它加到每個區(qū)域上?，F(xiàn)在可得到的最小體電容值是做為表面貼裝元件的4.7礔，此電容值在本例中工作良好,。如果沒有表面貼裝電解電容,，應選擇鉭體電容器。對于4個區(qū)域的每個區(qū)域去耦和體電容值可以用這種方法計算,，并示于圖4,。