采用安森美的NCP5604產(chǎn)品,，在獲得精確匹配電流后,，能精確驅(qū)動任何顯示屏背光或小功率手電筒中的一組四個(gè)LED。由連接著IREF引腳和接地的外部電阻器設(shè)定輸出電流后,，啟動引腳直接控制芯片,。此輸出端提供給每個(gè)LED恒定的電流，使之在幾百微秒內(nèi)上升到設(shè)定值,，借助參考引腳實(shí)現(xiàn)LED電流漸進(jìn)啟動/停止,。這種定制照明系統(tǒng)狀態(tài)的方法相對簡便，并已獲廣泛應(yīng)用,。本應(yīng)用描述了該漸進(jìn)技術(shù)相關(guān)的電路,。

　　參考電流

　　輸出電流是通過設(shè)定流入外部電阻器的參考電流來設(shè)定的。如圖1所示,，內(nèi)部子電路提供外部電阻600 mV的偏置電壓,。IREF引腳上的電壓通過連接到NMOS M3的運(yùn)算放大器U1和根據(jù)精確內(nèi)置帶隙電壓基準(zhǔn)產(chǎn)生的600 mV參考電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)。流經(jīng)外部電阻器R2的電流通過PMOS M1 & M2產(chǎn)生鏡像,，在硅片級調(diào)整M1/M2大小,，獲取1:10的比例。如此,，M1流過1mA時(shí),，M2漏極可產(chǎn)生10mA。

　　電流流經(jīng)NMOS M4/M5產(chǎn)生的電流鏡像,，這兩個(gè)器件的凈比例為1:25,，此時(shí)10mA可在M5漏極產(chǎn)生250mA電流,。由于外部LED連接到該漏極,，因而流入LED的電流即為漏極電流，且該值僅與外部電阻器設(shè)定的參考電流和M1/M5總比率的乘積有關(guān),。

　　顯然,，子電路設(shè)計(jì)用于支持應(yīng)用中需要的參考電流水平。由于每個(gè)LED最大負(fù)載電流為25 mA,，參考電流最大值為100mA,。如果外部電阻器下降到5.2 kΩ以下，參考電流將下降,，且LED電流不能進(jìn)一步增大,，參見NCP5604數(shù)據(jù)表中的公差,。

　　上電次序

　　假設(shè)芯片連接到適當(dāng)?shù)碾娫矗ㄖ肰bat最小值為3V，最大值為5.5 V）,，啟動引腳設(shè)置為高時(shí),，內(nèi)置系統(tǒng)被啟動，參見圖2,。此時(shí),，外部儲能電容充電完成前，LED無電流流過,，Vout電壓必須高于正向電流產(chǎn)生前的LED Vf,。另一方面，有意限制電池的啟動輸入電流,，儲能電容上電壓的上升時(shí)間同樣受到限制,，而啟動LED需要200ms。當(dāng)然,，對肉眼來說,，200ms極快，同時(shí)對最終用戶來說,，該照明轉(zhuǎn)瞬即逝,。

　　另一方面，若LED關(guān)斷,，或正向電流關(guān)閉,，儲能電容緩慢放電：轉(zhuǎn)換器不會從零重新啟動，無需200ms也可達(dá)到LED Vf,。

　　漸進(jìn)啟動/停止過程

　　基本概念是當(dāng)啟用信號設(shè)置為高或低時(shí),，逐漸打開/關(guān)閉LED，而不使用MCU端口上額外的輸入/輸出引腳,。由于芯片未集成可編程寄存器,，不可能用純數(shù)字的方法提供該功能。替代方法是采用連接內(nèi)置參考電流的模擬結(jié)構(gòu)以控制LED電流,。

　　可以用偽鏡像結(jié)構(gòu)中的NPN晶體管開發(fā)簡單的應(yīng)用,，強(qiáng)制參考電流按照如圖3的PSPICE模型所示流入IREF引腳。電流鏡像代表NCP5604電路,，漸進(jìn)功能用晶體管Q1和相連網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn),。電阻R2形成最大參考電流，從而實(shí)現(xiàn)LED最大正向電流流入,?；旧希瑔有盘栍糜趯B接在晶體管Q1基極/接地之間的電容C1進(jìn)行指數(shù)式充電,。一旦電壓達(dá)到晶體管Vbe時(shí),，集電極電流流過,，強(qiáng)制參考電流斜率根據(jù)R1/C1網(wǎng)絡(luò)達(dá)到所需的時(shí)間。最后,，Q1集電極電壓受NCP5604提供的恒定電壓鉗制,，參考電流為(Vref-Vcesat)/R2。一般來說,，集電極/發(fā)射極壓降較?。ǚ秶?0 mV），在無高精度要求的應(yīng)用中可以忽略,。

　　但是,，計(jì)算外部電阻器時(shí)將其納入考慮范圍可適當(dāng)補(bǔ)償這種壓降。PSPICE模型捕捉的波形展示了這種電路特性（圖4）,。

　　可以看到,，關(guān)閉時(shí)的曲線比打開時(shí)平緩，原因是兩個(gè)時(shí)間段的參考電壓有很大不同,。盡管這并非關(guān)鍵性問題,，但一些應(yīng)用可能需要更對稱的時(shí)序，可以將額外電阻連接到小信號二極管來實(shí)現(xiàn),。圖6根據(jù)圖5 PSPICE基本電路圖給出了波形,，說明了通過接入D2和R8可以實(shí)現(xiàn)的性能。

　　典型應(yīng)用如圖7所示,，時(shí)序可以調(diào)整,，以便應(yīng)對不同的狀態(tài)。任何情況下,，延遲電容（圖7電路圖中的C5）必須為陶瓷型,，以減小漏電流，低成本的電解電容不適合在這應(yīng)用,。如前所述,，無需MCU的額外輸入/輸出即可激發(fā)漸進(jìn)時(shí)序，啟動信號即可實(shí)現(xiàn)兩種功能,。

　　另一方面,，電流參考電阻（圖7電路圖中的R3）減小到5.6 kΩ時(shí)，可補(bǔ)償晶體管Q1的Vcesat,。

　　圖8,、圖9中的波形說明了采用Rb=1.3 MΩ/Cbe=2.2mF產(chǎn)生軟啟動時(shí)，輸出至4個(gè)LED的電流均為25 mA,。當(dāng)然，通過調(diào)整Rb/Cbe網(wǎng)絡(luò)可以增加或減小斜升延遲,。但1.5 MΩ以上的Rb值將造成系統(tǒng)對環(huán)境噪聲敏感,。如前所述,，Cbe電容不可采用低成本電解電容，必須采用陶瓷型電容,，以實(shí)現(xiàn)所期望的長時(shí)序,。

　　可以采用小信號NMOS器件替代外部晶體管Q1，如BSS138,。由于門極輸入不吸收電流,，可以產(chǎn)生更大時(shí)延。雖然還可以采用更小的器件運(yùn)行這種應(yīng)用,，但必須避免所選NMOS的大Rdson造成的非受控工作電流,。實(shí)際上，對于Rdson額定值為500 0Ω的器件,，上述參數(shù)變化較大（在整個(gè)溫度范圍內(nèi)大概為1:2）,，且輸出電流同時(shí)變化，使得LED亮度不均勻,。因此,，必須選擇Rdson較小的器件，以確保LED在正常工作中可準(zhǔn)確控制,。

　　另外,，由于NMOS的Vt大于雙極型器件Vbe的兩倍，采用NMOS器件一般不會在開始時(shí)序上增加工作延遲：Vbe為0.6 V時(shí),，范圍在1.5 V,。圖10和圖11中的PSPICE波形解釋了這種狀態(tài)。設(shè)計(jì)人員可選擇適當(dāng)?shù)钠骷愋?，?shí)現(xiàn)這種功能,。

　　圖7所示的電路圖按照軟啟動觀點(diǎn)的預(yù)期進(jìn)行工作，但由于EN為低時(shí),，啟動信號關(guān)閉直流/直流轉(zhuǎn)換器,，停止時(shí)序突然縮短，造成其它停止時(shí)序不相關(guān),。為避免形成這樣的機(jī)制,，當(dāng)停止時(shí)序?yàn)殛P(guān)鍵問題時(shí)，應(yīng)采用額外無源網(wǎng)絡(luò),。圖12中的電路圖說明了將R/C/D網(wǎng)絡(luò)連接到EN引腳方面的改進(jìn),。

　　當(dāng)啟動信號升高時(shí)，二極管D1對電容C5快速充電,，并且在EN引腳上產(chǎn)生一個(gè)可以忽略的延遲,。但啟動信號降低時(shí)，情況有所不同：此時(shí)與電容C5相連的電阻R2產(chǎn)生一個(gè)延遲，使直流/直流轉(zhuǎn)換器保持足夠長時(shí)間的工作,，在關(guān)閉過程中產(chǎn)生漸進(jìn)的調(diào)光,。如果EN引腳永久連接到高（可能為Vbat），將NMOS用作啟動/關(guān)閉系統(tǒng),，或者如圖13和圖14所示,，提供一個(gè)額外控制NMOS的引腳，便獲得更精確的時(shí)序設(shè)定,。