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傳臺(tái)積電美國(guó)晶圓二廠將提前量產(chǎn)并引入扇出型面板級(jí)封裝技術(shù)

2025-04-16
來源:芯智訊
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 晶圓廠 FOPLP AMD 蘋果

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4月16日消息,,據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,,為應(yīng)對(duì)美國(guó)特朗普政府即將出臺(tái)的半導(dǎo)體關(guān)稅政策,美國(guó)芯片大廠紛紛擴(kuò)大了本地化供應(yīng)鏈需求,,這也迫使臺(tái)積電加快“美國(guó)制造”腳步。最新傳聞顯示,,臺(tái)積電亞利桑那州第二座晶圓廠量產(chǎn)時(shí)間將提前一年,,并將在美國(guó)引入最新的扇出型面板級(jí)封裝(FOPLP),以迎合客戶采購(gòu)在美制造芯片,,提高供應(yīng)彈性的需求,。

臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露,為應(yīng)對(duì)AMD,、蘋果等大客戶要求,,臺(tái)積電將提前在亞利桑那州新廠生產(chǎn)3nm和2nm,臺(tái)積電原規(guī)劃2026年第四季度進(jìn)行亞利桑那州第二廠的P2A裝機(jī)計(jì)劃,,但現(xiàn)在已通知供應(yīng)商提前于今年9月進(jìn)機(jī)并裝機(jī),,時(shí)程整整提前一年。

換句話說,,臺(tái)積電亞利桑那州第二廠第一期的3nm制程將于2027年底量產(chǎn),;第二廠第二期產(chǎn)線P2B,,預(yù)計(jì)于2028年量產(chǎn)2nm,但仍比中國(guó)臺(tái)灣量產(chǎn)時(shí)間晚兩年多,。

值得一提的是,,目前臺(tái)積電美國(guó)晶圓廠雖已量產(chǎn),但是缺乏后端封測(cè)產(chǎn)能,,此前計(jì)劃是與Amkor在建的美國(guó)廠合作,。不過,隨著臺(tái)積電隨后宣布在美國(guó)追加1000億美元投資,,其中就包括了建設(shè)兩座先進(jìn)封裝廠的規(guī)劃,。

根據(jù)最新的爆料顯示,臺(tái)積電為了應(yīng)對(duì)美國(guó)客戶的旺盛的需求,,計(jì)劃將亞利桑那州晶圓二廠的量產(chǎn)時(shí)間提前一年,。同時(shí)臺(tái)積電還計(jì)劃將最新的扇出型面板級(jí)封裝(FOPLP)引入到美國(guó)封裝廠,以迎合客戶芯片完全美國(guó)制造的需求,,提高供應(yīng)彈性,。

據(jù)日媒披露,臺(tái)積電即將敲定該公司扇出型面板級(jí)封裝技術(shù)規(guī)格,,預(yù)期第一代版本采用300mm x 300mm,,比先前試做的510mm×515mm小,現(xiàn)正于桃園興建試產(chǎn)線,,最快2027年開始小量試產(chǎn),。

相較傳統(tǒng)圓形晶圓,面板級(jí)封裝技術(shù)可用面積更大,,臺(tái)積電為了嚴(yán)格控管質(zhì)量,,決定先采用略小的基板。日媒并披露,,臺(tái)積電原本評(píng)價(jià)和群創(chuàng)在內(nèi)面板廠商合作,,考察面板業(yè)在處理方形或長(zhǎng)方形基板較有經(jīng)驗(yàn)。

后來臺(tái)積電決定自行開發(fā),,原因是發(fā)現(xiàn)面板產(chǎn)業(yè)在精密度和技術(shù)門坎上,,仍不足以支持先進(jìn)封裝制程的需求。

據(jù)了解,,面板級(jí)先進(jìn)封裝技術(shù)主要是將晶圓先行切割成小芯片之后,再排列到玻璃基板之上,,相較過去晶圓堆晶圓(WoW)或是CoWoS,、SoIC等3D先進(jìn)封裝堆疊技術(shù),優(yōu)點(diǎn)在于玻璃基板可以強(qiáng)化散熱功能,,缺點(diǎn)為生產(chǎn)效率會(huì)比現(xiàn)有的3D堆疊技術(shù)慢,,業(yè)界預(yù)計(jì)未來主要使用者仍會(huì)是AI客戶,。


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