美國當?shù)貢r間6月26日,，存儲芯片大廠美光科技在公布2024財年第三財季財報的同時，也披露了美光正在其位于日本廣島的Fab15工廠試產基于極紫外（EUV）光刻技術的 1γ （1-gamma）DRAM ,，作為試生產計劃的一部分,，首批 1γ DRAM也將在那里制造。

雖然三星和SK海力士早已經(jīng)將先進的EUV光刻機引入到了它們的先進制程節(jié)點的DRAM制造,，但是美光卻一直不急于使用EUV光刻技術來制造DRAM,，而是更多的通過使用標準的 DUV 多圖案化，在其 1α 和 1? 節(jié)點上開發(fā)了具有成本和性能競爭力的 DRAM,。不過,，今年美光已經(jīng)開始在其更先進的 1γ 制程DRAM的試產上引入了EUV光刻技術，并且明年將會進入大批量生產,。

美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在第三財季的與投資者和金融分析師的電話會議上表示,，雖然美光在EUV使用方面將略微落后于三星和SK海力士，但其EUV結果看起來相當有希望：“使用EUV光刻的 1γ DRAM試生產進展順利,，我們有望在2025年實現(xiàn)量產,。”

美光對其1γ DRAM工藝技術寄予厚望,，并希望EUV技術的使用將使其能夠構建業(yè)界最小的DRAM單元,，這將是其即將推出的存儲芯片的主要競爭優(yōu)勢，因為它將使公司能夠構建業(yè)內最便宜,、更節(jié)能的DRAM芯片,。EUV技術將成為此類存儲單元的關鍵推動因素。至于將會對美光DRAM的性能和市場表現(xiàn)有多大的助力,，還有待觀察,。

目前，美光基于 EUV光刻的 1γ DRAM 制造工藝正在該公司位于日本廣島的工廠開發(fā),，作為試生產計劃的一部分,，第一批 1γ 存儲設備正在那里制造。

在此之前,，美光已經(jīng)試驗了ASML的Twinscan NXE EUV光刻機一段時間了,。該公司一直在測試這些工具，方法是將其 1α 和 1? 節(jié)點的一些 DUV光刻流程替換為 EUV光刻，并逐步調整它們以獲得適當?shù)漠a量,。到目前為止,，該公司已經(jīng)有足夠的經(jīng)驗開始準備使用EUV光刻機進行大規(guī)模生產。

Mehrotra曾在3月份表示：“我們繼續(xù)通過EUV提高我們的生產能力,，并在EUV和非EUV之間的1α和1?節(jié)點上實現(xiàn)了同等的產量和質量?！拔覀円呀?jīng)開始使用EUV進行1γ DRAM的試生產,，并有望在2025年實現(xiàn)批量生產?！?/p>

值得一提的是,，美光去年就宣布計劃在斥資6,000至8,000億日日本廣島現(xiàn)有的Fab15工廠附近興建DRAM新廠，預計2026年初動工,、最快2027年底前完成廠房建設,、機臺設備安裝并投入營運。新廠初期規(guī)劃為DRAM晶圓廠,，未包含后段封裝及測試,，產能將著重于HBM產品。該工廠還將入EUV光刻設備,，生產先進1-Gamma制程的DRAM,，后續(xù)也將導入1-Delta制程。