《電子技術(shù)應(yīng)用》
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告別硅時(shí)代,?石墨烯芯片如何重塑半導(dǎo)體?

2024-03-08
來(lái)源:鳳凰網(wǎng)科技
關(guān)鍵詞: 石墨烯芯片 半導(dǎo)體

01

石墨烯的突圍

面對(duì)人才,、資源和技術(shù)“總動(dòng)員”式的競(jìng)爭(zhēng),,中國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展,似乎將不可避免地與“世界”的差距越來(lái)越大,。

但,,凡事總有例外。

今年開年出現(xiàn)了一件大事,,1月3日,,天津大學(xué)與美國(guó)佐治亞理工學(xué)院合作,,在碳化硅上首次用石墨烯合成一種功能半導(dǎo)體。其研究結(jié)果已經(jīng)登上了《Nature》,。

這意味著石墨烯可能成為一種半導(dǎo)體,,人類也將就此打開了一扇通往新世界的大門。有的人甚至評(píng)價(jià)道,,這種開創(chuàng)性成就,,可以讓“摩爾定律”再續(xù)命數(shù)十年!

想象一下,,在未來(lái),,你拿著一部智能手機(jī),它不僅運(yùn)行速度極快,,而且電池續(xù)航時(shí)間驚人,,即使連續(xù)玩幾個(gè)小時(shí)的游戲或觀看視頻,手機(jī)也不會(huì)發(fā)熱到燙手,。

這是因?yàn)槭謾C(jī)內(nèi)部的芯片不再是傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體,,而是采用了石墨烯半導(dǎo)體技術(shù)。

為什么石墨烯與半導(dǎo)體的結(jié)合這么厲害,?

說(shuō)到這,,我們就要先了解一下,石墨烯半導(dǎo)體誕生前,,人類是打算怎么搞出更快速的計(jì)算芯片的,。

想要讓芯片更“快”,那自然就得提高頻率,。而要提高頻率,,就涉及到一個(gè)重要的概念——電子遷移率。

所謂電子遷移率,,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),,就是電子在半導(dǎo)體材料中移動(dòng)的速度。

如果電子就像是一群在賽道上奔跑的運(yùn)動(dòng)員,,電子遷移率就是這些運(yùn)動(dòng)員在給定時(shí)間內(nèi)能跑多遠(yuǎn)的能力,。

電子遷移率高,意味著電子跑得快,,這樣在同樣的時(shí)間內(nèi)能傳遞更多的信息,,從而意味著數(shù)據(jù)處理速度更快。

話雖如此,,但電子遷移率這種東西,,還真不是越快越好。

因?yàn)樵诎雽?dǎo)體中,除了電子遷移率,,還有一個(gè)叫做空穴遷移率的東西,。

對(duì)硅這種材料來(lái)說(shuō),如果電子遷移率太高,,高出空穴遷移率太多,,就會(huì)導(dǎo)致電路的整體性能不均衡,影響電路的響應(yīng)速度和效率,。

這就像兩位運(yùn)動(dòng)員需要在不同的階段接棒,,共同完成整個(gè)比賽。A運(yùn)動(dòng)員(電子)跑得快,,而B運(yùn)動(dòng)員(空穴)跑得慢,,那么在接力棒交接的時(shí)候就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。

所以,,在將硅作為半導(dǎo)體時(shí),,人們往往會(huì)通過(guò)摻雜,也就是在純凈的硅晶體中加入一些特定的原子,,來(lái)改變硅的電學(xué)性質(zhì),,好讓電子遷移率“等一等”空穴遷移率。

一般來(lái)說(shuō),,硅的電子遷移率大約在1400 cm2/(V*s)左右,而空穴遷移率則是450 cm2/(V*s),。

這樣的高低差,,是硅材料本身固有晶格結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)決定的,,

雖然人們可以通過(guò)特定的摻雜工藝來(lái)縮小二者的差距,, 但由于硅本身的遷移率上限,這樣的人工優(yōu)化,,仍很難突破一個(gè)固定的比例(大約是2到3:1),。

這就像是在一個(gè)田徑隊(duì)里,跑得最快的人,,和跑得最慢的人之間的能力差距,,被永遠(yuǎn)被定格了,而在比賽的過(guò)程中,,前者還得一直照顧著后者,,不能跑得太快。

如此一來(lái),,整個(gè)田徑隊(duì)(半導(dǎo)體)的實(shí)力,,就被限制住了。

那石墨烯半導(dǎo)體帶來(lái)的改變是什么,?很簡(jiǎn)單,,石墨烯的電子遷移率和空穴遷移率是相等的,!

石墨烯的電子遷移率和空穴遷移率通常都非常高,室溫下可以分別達(dá)到大約

左右,。

電子和空穴遷移率相同,,意味著它不會(huì)有一個(gè)“拖后腿”的隊(duì)友,從而可以將電子遷移率的速度發(fā)揮到極致,,這是目前絕大部分半導(dǎo)體都不具備的特性,。

而這樣的特性,也為開發(fā)新一代高速,、高效電子器件提供了巨大的潛力,。

02

帶隙之困

這種電子和空穴遷移率相同,且電子遷移率極高的特性,,作用在AI芯片這樣的電子器件上,,將產(chǎn)生兩大奇效,一個(gè)是“快”,,再一個(gè)就是“省”,。

具體來(lái)說(shuō),由于極高的電子遷移率,,意味著電路的數(shù)據(jù)處理能力就更強(qiáng),,電子設(shè)備的性能也就更高。

對(duì)于AI訓(xùn)練來(lái)說(shuō),,這意味著石墨烯芯片可以更快地完成訓(xùn)練,,從而縮短訓(xùn)練時(shí)間。原本需要數(shù)月,、數(shù)周的模型訓(xùn)練,,之后可能只需要幾天,甚至更短,。

除了“快”之外,,石墨烯芯片的另一大優(yōu)勢(shì),就是運(yùn)行時(shí)的低功耗特性,。

因?yàn)殡娮釉诰w管中的運(yùn)動(dòng)速度越快,,它們?cè)谕ㄟ^(guò)晶格缺陷、雜質(zhì)或其他障礙物(散射源)時(shí)的時(shí)間就越短,,相應(yīng)的電阻和能量損耗也就越低,。

這意味著,石墨烯芯片能夠在不顯著增加能源消耗的情況下,,增加計(jì)算能力,,從而支持更復(fù)雜的AI模型和更大的數(shù)據(jù)集。

但是,要想實(shí)現(xiàn)以上優(yōu)勢(shì),,石墨烯芯片還有一個(gè)重大的門檻需要跨越,,那就是帶隙問(wèn)題。

在半導(dǎo)體材料中,,一般有兩個(gè)主要的能帶:價(jià)帶和導(dǎo)帶,。帶隙就是指價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差距。

在實(shí)際應(yīng)用中,,通過(guò)調(diào)整半導(dǎo)體的化學(xué)成分(如摻雜)或物理?xiàng)l件(如溫度,、壓力),可以改變帶隙的大小,,從而改變材料的導(dǎo)電性質(zhì),。

如果我們將半導(dǎo)體中的電流比作河流,帶隙就像是一個(gè)可調(diào)節(jié)的水閘,,我們可以打開或關(guān)閉水閘來(lái)控制水流,。

當(dāng)我們打開水閘,水流(電子)就可以通過(guò),,半導(dǎo)體就進(jìn)入了導(dǎo)電狀態(tài),。反之則是截止?fàn)顟B(tài)。

可要命的是,,石墨烯這種物質(zhì),,沒(méi)有帶隙……

至于原因,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),,就是石墨烯這種物質(zhì)的晶格很特殊,,像是由一個(gè)個(gè)緊密排列的小球(碳原子)組成的蜂窩。

這個(gè)蜂窩狀的結(jié)構(gòu),,像是一個(gè)個(gè)沒(méi)有門口阻隔,彼此互通的房間,,讓電子(房間里的小球)可以隨意進(jìn)出,,不需要跨過(guò)任何門檻(即沒(méi)有帶隙)。

這就意味著,,人們很難像控制別的電路元件那樣,,讓它導(dǎo)電就導(dǎo)電,讓它截止就截止,,這也是石墨烯只能成為導(dǎo)體,,而很難成為半導(dǎo)體的原因。

既然如此,,那這個(gè)難題,,后來(lái)是怎么被前面提到的天津大學(xué)與美國(guó)佐治亞理工學(xué)院解決的?

03

半導(dǎo)體新時(shí)代

其實(shí),前面研究團(tuán)隊(duì)攻克帶隙問(wèn)題的思路,,本質(zhì)上并不復(fù)雜,,既然石墨烯本身沒(méi)有帶隙,那就通過(guò)特定的辦法,,讓它從別的物質(zhì)那里“借”來(lái)帶隙,。

而在具體操作中,這個(gè)被選中的物質(zhì),,就是碳化硅(SiC),。這是因?yàn)樘蓟璞砻娼Y(jié)構(gòu)和石墨烯非常匹配

為了讓石墨烯從碳化硅上借來(lái)帶隙,研究者首先要讓其“長(zhǎng)”在碳化硅上面,。

這就像在一張桌面上撒上上一些糖(碳原子),。并打算在上面制作一幅糖畫。

在石墨烯的生長(zhǎng)過(guò)程中,,科學(xué)家們面臨的挑戰(zhàn)就是如何讓碳原子(糖)在碳化硅(桌面)上均勻地鋪開,,形成一層高質(zhì)量的石墨烯(糖畫)。

為了解決這個(gè)問(wèn)題,,研究人員采用了一種特殊的方法,,叫做準(zhǔn)平衡退火。通過(guò)精確控制溫度,、時(shí)間和氣體流量,,可以調(diào)節(jié)石墨烯的生長(zhǎng)速率和結(jié)構(gòu)質(zhì)量。從而促進(jìn)石墨烯層的有序生長(zhǎng),,減少缺陷和雜質(zhì),。

這就像是在糖畫制作過(guò)程中,用一種特殊的技巧來(lái)讓糖膜更加均勻和平滑,。

如此一來(lái),,這層石墨烯(糖畫)不僅平整,而且與碳化硅(桌面)完美對(duì)齊,,之后,,在SiC硅端面上,石墨烯層的電子狀態(tài)與SiC表面的電子狀態(tài)發(fā)生耦合,,這種耦合導(dǎo)致了能帶的重新排列,,從而在石墨烯中引入了帶隙。

這樣,,一個(gè)真正具有半導(dǎo)體性質(zhì)的石墨烯就誕生了,。

講真,這技術(shù)將來(lái)要是真的得到了普及,,那等于是革了硅基半導(dǎo)體的命,。

因?yàn)閺纳舷奚蟻?lái)說(shuō),,當(dāng)前的硅基半導(dǎo)體,已經(jīng)快走到頭了,。隨著晶體管尺寸接近原子級(jí)別,,量子隧穿效應(yīng)和熱管理問(wèn)題開始顯現(xiàn),這限制了硅基晶體管的進(jìn)一步縮小和性能提升,。

而石墨烯芯片,,由于獨(dú)特二維結(jié)構(gòu)和材料特性,使其能夠以一種更加高效和穩(wěn)定的方式控制電子,,從而在微觀尺度上減少了量子隧穿效應(yīng)的影響,。

這樣的突破,對(duì)人類來(lái)說(shuō)意味著什么,?

想象一下,,在某個(gè)巨大的數(shù)據(jù)中心里,成千上萬(wàn)的服務(wù)器正在處理著海量數(shù)據(jù),。

盡管如此,,整個(gè)數(shù)據(jù)中心卻異常安靜,沒(méi)有傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心那種嘈雜的風(fēng)扇聲,,因?yàn)槭┌雽?dǎo)體的高效散熱能力讓這些服務(wù)器幾乎不需要額外的冷卻系統(tǒng),。

再想象一下,你正在觀看一場(chǎng)虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)游戲,,畫面流暢無(wú)比,,沒(méi)有一絲延遲。

這是因?yàn)槭┌雽?dǎo)體的高電子遷移率,,讓數(shù)據(jù)處理速度達(dá)到了前所未有的水平,,使得VR設(shè)備能夠?qū)崟r(shí)渲染出復(fù)雜細(xì)膩的虛擬世界,讓你仿佛置身其中,。

可以說(shuō),,石墨烯芯片的問(wèn)世,相當(dāng)于是半導(dǎo)體領(lǐng)域的“萊特兄弟”時(shí)刻,,這是人類追求AGI之路上必點(diǎn)的一個(gè)科技樹,。

那么,既然如此,,石墨烯芯片是否真能就此撼動(dòng)硅基芯片統(tǒng)治了幾十年的江山,并一舉實(shí)現(xiàn)彎道超車,?

04

炒作or機(jī)遇,?

講真,現(xiàn)在就指望石墨烯芯片一舉戰(zhàn)勝硅基芯片這個(gè)BOSS,,還是樂(lè)觀了點(diǎn),。

原因很簡(jiǎn)單,,技術(shù)成熟度和制備成本在那擺著呢。

具體來(lái)說(shuō),,別的半導(dǎo)體材料(比如硅),,就像是一塊厚實(shí)的豆腐,有好多層原子,,而且每層原子都緊緊挨著,,但石墨烯就像是超級(jí)薄的保鮮膜,只有一層碳原子,,這種結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體材料中相當(dāng)罕見,。

通常情況下,只有當(dāng)石墨烯的原子層僅有一層時(shí),,它跑電子的速度最快,,性能最好。

所以,,科學(xué)家們得想方設(shè)法,,保證每一片都是單層的,這樣才能發(fā)揮石墨烯的最大潛力,。而這就必須要高精度的技術(shù)和工藝,,比如特定的轉(zhuǎn)移或生長(zhǎng)技術(shù)。

在半導(dǎo)體材料制備過(guò)程中,,凡是和“精細(xì)”相關(guān)的環(huán)節(jié),,成本都低不了。

就目前來(lái)說(shuō),,制備石墨烯的主要途徑,,是化學(xué)氣相沉積(CVD)法,這種方式,,就好像是在高溫爐子里,,用特殊金屬板烤出一張薄如蟬翼的“碳紙”,這個(gè)過(guò)程不僅得用昂貴的“烤箱”(CVD爐),,還得用到各種催化劑(如銅或鎳等金屬),。

以上問(wèn)題體現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)中,就是制備起來(lái)昂貴,,成品率低,,難以大規(guī)模量產(chǎn)。

相較之下,,硅的性質(zhì)就比較“聽話”,。其晶體結(jié)構(gòu)很穩(wěn)定,長(zhǎng)得又直又均勻,,你讓它怎么長(zhǎng),,它就怎么長(zhǎng),。因此人們很容易通過(guò)摻雜等工藝,來(lái)改變其電導(dǎo)性,。

想用石墨烯這樣一種尚且難以穩(wěn)定量產(chǎn)的材料,,去挑戰(zhàn)硅基芯片幾十年形成的產(chǎn)業(yè)鏈江山,就好像一個(gè)剛學(xué)會(huì)騎自行車的菜鳥,,想要挑戰(zhàn)一個(gè)在F1賽道上馳騁的老司機(jī),,而且騎的還是輛搖搖晃晃的三輪童車。

那么,,照這樣看來(lái),,這次石墨烯的突破,又是一場(chǎng)空歡喜的炒作了嗎,?

其實(shí)也不盡然,,畢竟任何一種材料,都能找到自己獨(dú)有的應(yīng)用突破口,,換句話說(shuō),,石墨烯的最終目標(biāo),也許并不是完全替代硅,,而是創(chuàng)造出自己的一條路,。就像碳化硅和氮化鎵一樣。

具體來(lái)說(shuō),,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這些材料,,在特定的應(yīng)用領(lǐng)域(如高頻、高功率電子器件)中展現(xiàn)出了比硅更好的性能,。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域,,提供硅難以企及的差異化優(yōu)勢(shì)。

而這些特異的領(lǐng)域之一,,就包括了現(xiàn)在各國(guó)都在投入重注的人工智能,。

石墨烯的高電子遷移率的特點(diǎn),使其在在制造高速,、低功耗的晶體管方面具有巨大優(yōu)勢(shì),。而人工智能、大數(shù)據(jù)分析和云計(jì)算這些智能時(shí)代的關(guān)鍵“命門”,,恰好需要這樣的高性能計(jì)算能力,。

考慮到AI在未來(lái)所具有的價(jià)值潛力,用高昂的制備成本,,在特殊領(lǐng)域換來(lái)性能上的突破,,以及產(chǎn)業(yè)上不被“卡脖子”的優(yōu)勢(shì),似乎也不是完全不能接受的一個(gè)選項(xiàng),。

更重要的是,,這種通過(guò)初期“大出血”投資前沿技術(shù),取得特殊產(chǎn)業(yè)上的優(yōu)勢(shì),,進(jìn)而后續(xù)通過(guò)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)的高價(jià)值效應(yīng),,打敗傳統(tǒng)技術(shù)的情況,在歷史上也不是沒(méi)有先例,。

先發(fā)優(yōu)勢(shì)

如果要論目前和石墨烯芯片處境最接近的技術(shù),,那也許電動(dòng)汽車算是個(gè)可參考的“前車之鑒”。

從效益上來(lái)說(shuō),,這是個(gè)誕生之初就面臨高成本,、不穩(wěn)定和持續(xù)虧損的產(chǎn)業(yè)。

以電動(dòng)汽車為例,,其核心技術(shù),,如電池技術(shù)、電機(jī)和電力電子系統(tǒng),,需要大量的研發(fā)投資來(lái)提高效率,,以特斯拉為例,其在2008年推出的第一款量產(chǎn)電動(dòng)汽車Roadster,,售價(jià)高達(dá)109,000美元,,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)燃油車。

其中電池的成本約為每千瓦時(shí)(kWh)1,000美元,??珊髞?lái),這一成本到2020年已經(jīng)降至137美元/kWh,。

那其中的轉(zhuǎn)變是怎么發(fā)生的,?

一個(gè)重要的原因,是在全球碳中和的背景下,,能源轉(zhuǎn)型已經(jīng)成為了一種國(guó)家戰(zhàn)略,,于是各種政策和補(bǔ)貼都上來(lái)了。

例如,,2009年,,美國(guó)通過(guò)了“美國(guó)復(fù)蘇與再投資法案”(ARRA)資助了電動(dòng)汽車充電站的建設(shè),總計(jì)投入約4.5億美元,。一些州政府,,如加利福尼亞州還提供了額外的購(gòu)車補(bǔ)貼。

同樣地,,在中國(guó)方面,,2014年,國(guó)內(nèi)購(gòu)買純電動(dòng)乘用車的補(bǔ)貼,,最高可達(dá)11萬(wàn)元人民幣,。

這種以國(guó)家力量推動(dòng)技術(shù)轉(zhuǎn)型的策略,,在今天的人工智能方面,也同樣適用,。

AI教主黃仁勛,,在前段時(shí)間迪拜舉行的世界政府峰會(huì)(WGS)上就宣稱:現(xiàn)在的AI已經(jīng)成為了一種國(guó)家主權(quán)。每個(gè)國(guó)家都需要擁有自己的人工智能基礎(chǔ)設(shè)施,。你不能允許這件事由別人來(lái)做,。

在老黃看來(lái),AI大模型會(huì)在將來(lái)編纂一個(gè)國(guó)家的文化,、社會(huì)智慧,、常識(shí)、歷史,。

在生產(chǎn)力層面受制于人,,也許日后尚有反超的機(jī)會(huì),但要在這些“軟實(shí)力”上被人拿捏,,那將來(lái)就真的“國(guó)將不國(guó)”了,。

即使不從這樣虛頭巴腦的因素考慮,AI for science目前在科研方面顯示出的不俗力量,,也足以令各國(guó)政府為之押下重注,。

有鑒于此,盡管當(dāng)下的石墨烯芯片,,只是未來(lái)眾多取代硅基芯片方案中的一種(同樣的還有光子芯片,、類腦芯片等等),但從技術(shù)實(shí)現(xiàn)的難度上來(lái)說(shuō),,石墨烯已經(jīng)算是相對(duì)較小的一個(gè)了,。

因?yàn)槠淇梢岳矛F(xiàn)有的半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施,例如石墨烯可以在傳統(tǒng)的硅晶圓上生長(zhǎng)或者作為薄膜沉積

而光子芯片,、類腦芯片和量子芯片這些選項(xiàng),,由于設(shè)計(jì)原理和制造工藝的不同,則需要全新的技術(shù)路徑和設(shè)備,。

從產(chǎn)業(yè)補(bǔ)貼的角度來(lái)說(shuō),,石墨烯芯片是一個(gè)更容易發(fā)力和出成果的方向。

而這樣的及時(shí)雨,,對(duì)于中國(guó)這樣亟需在AI算力上實(shí)現(xiàn)自主的國(guó)家而言,,無(wú)疑是最需要的。


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