美國 賓夕法尼亞 MALVERN,、中國 上海 - 2024年2月20日 - 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,，進一步提高工業(yè)、計算機,、消費電子和通信應用的功率密度,，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK^? 1212-F封裝,，10V柵極電壓條件下導通電阻僅為0.71 mW,，導通電阻與柵極電荷乘積，即開關應用中MOSFET關鍵的優(yōu)值系數(shù)（FOM）為42 mW*nC,，達到業(yè)內(nèi)先進水平,。

　　日前發(fā)布的器件占位面積與PowerPAK 1212-8S封裝相同，導通電阻降低18%,，提高了功率密度,，同時源極倒裝技術將熱阻從63°C/W降至56°C/W。此外,，SiSD5300DN優(yōu)值系數(shù)比上代器件低35%,，從而降低了導通和開關損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應用的能源,。

　　PowerPAK1212-F源極倒裝技術顛倒通常接地焊盤和源極焊盤的位置,，擴大接地焊盤面積，提供更有效的散熱路徑,，有助于降低工作溫度,。同時，PowerPAK 1212-F減小了開關區(qū)范圍,，有助于降低跡線噪聲的影響,。另外，PowerPAK 1212-F封裝源極焊盤尺寸增加了10倍,，從0.36mm2提高到4.13 mm²，從而改進熱性能,。PowerPAK1212-F中央柵極結構還簡化了單層PCB基板多器件并聯(lián)的使用,。

　　采用源極倒裝PowerPAK1212-F封裝的SiSD5300DN特別適合二次整流、有源箝位電池管理系統(tǒng)（BMS）,、降壓和BLDC轉(zhuǎn)換器,、OR-ing FET、電機驅(qū)動器和負載開關等應用,。典型終端產(chǎn)品包括焊接設備和電動工具,、服務器、邊緣設備,、超級計算機,、平板電腦,、割草機和掃地機以及無線電基站。

　　器件經(jīng)過100% R_G和UIS測試,，符合RoHS標準,，無鹵素。

　　主要技術規(guī)格表：

SiSD5300DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),，供貨周期為26周,。

更多精彩內(nèi)容歡迎點擊==>>電子技術應用-AET<<