《電子技術(shù)應(yīng)用》
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雙面散熱汽車IGBT器件熱測試評估方式創(chuàng)新

2023-03-02
來源:電子發(fā)燒友網(wǎng)
關(guān)鍵詞: IGBT BJT MOS

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),,絕緣柵雙極型晶體管,,是由(Bipolar Junction Transistor,,BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(Metal Oxide Semiconductor,,MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,, MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(Giant Transistor,,GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點,。GTR飽和壓降低,,載流密度大,但驅(qū)動電流較大,;MOSFET驅(qū)動功率很小,,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,,載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動等領(lǐng)域。

  IGBT是功率半導(dǎo)體器件,,可以說是電動車的的核心技術(shù)之一,,IGBT的好壞直接影響電動車功率的釋放速度。特斯拉Model X使用132個IGBT管,,其中后電機(jī)為96個,,前電機(jī)為36個IGBT約占電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半。

  再比如在在充電樁的應(yīng)用上,,當(dāng)220V交流市電給電池充電時,,需要通過IGBT設(shè)計的電源轉(zhuǎn)換電路將交流電轉(zhuǎn)變成直流電給電池充電,同時要把220V電壓轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)碾妷阂陨喜拍芙o電池組充電,。

  而IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新使得雙面散熱(double-sided cooling,, DSC)功率模塊比傳統(tǒng)單面散熱(single-sided cooling, SSC)功率模塊具有更強(qiáng)的散熱能力和更低的寄生參數(shù),。雙面散熱汽車IGBT器件在豐田(Denso),、通用(Delphi)、特斯拉(ST)等廠家的成功批量應(yīng)用使得雙面散熱汽車IGBT器件熱測試越加重視,。

  IGBT廣泛運(yùn)用在了高鐵,、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天,、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣,。IGBT的封裝結(jié)構(gòu)主要由IGBT芯片,DBC導(dǎo)熱基板,,封裝材料,,電連接端子等組成,芯片主要為Si,,SiC,,GaN等,DBC覆銅陶瓷導(dǎo)熱基板的陶瓷材料主要有Si3N4,,AL2O3,,ALN等。隨著功率電子器件正向高密度化,,大功率,,小型化發(fā)展,大規(guī)模運(yùn)用電子器件給我們的生活帶來便利的同時,,越來越高功率使得電子器件的散熱問題愈發(fā)嚴(yán)重,。

  傳統(tǒng)的功率模塊采用單面冷卻結(jié)構(gòu),主要包括功率芯片,、鍵合線,、功率端子、外框,、絕緣基板(DBC),、底板以及內(nèi)部的灌封膠等,將底板固定在冷卻器表面,,功率芯片損耗產(chǎn)生的熱量通過絕緣基板,、底板單方向傳導(dǎo)至散熱器。但是對于一些小尺寸高功率的模塊不能使用傳統(tǒng)的單面冷卻結(jié)構(gòu)滿足其散熱需求,,雙面散熱越加重要,。

  在這樣的背景下雙面散熱汽車IGBT模塊同時向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量,,其熱測試評估方式需重新考量,。很多的科研人員對雙面散熱功率模塊的一維熱傳遞模型進(jìn)行了研究。

  株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司,、新型功率半導(dǎo)體器件國家重點實驗室的羅哲雄,、周望君、陸金輝,、董國忠,,在2022年第12期《電氣技術(shù)》發(fā)布論文,“雙面散熱汽車IGBT模塊熱測試方法研究”為雙面散熱汽車IGBT器件熱測試評估方式創(chuàng)新提供了非常好的參考。

  該論文重點研究雙面散熱汽車IGBT模塊熱測試方法,。首先提出一種新的雙界面熱測試思路,,然后基于一款雙面散熱汽車X模塊的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計開發(fā)熱測試工裝,并完成熱界面材料的調(diào)研與選型,,同時對模塊不同壓裝方式進(jìn)行對比研究,,開發(fā)出一種適用于雙面散熱汽車IGBT模塊的單面熱阻抗測試方法,,并成功實現(xiàn)X模塊的雙面與單面熱阻測試,,最后對比單面與雙面熱阻值、實測值與仿真值之間的差異,,并討論差異的產(chǎn)生原因與修正手段,。

  在論文中提出一種適用于雙面散熱汽車IGBT模塊的雙界面散熱結(jié)構(gòu)熱測試方法,可實現(xiàn)單面熱阻測試,,對比單面與雙面熱阻值,、實測值與仿真值之間的差異;詳細(xì)的細(xì)節(jié)大家可以參考該論文,。

  綜合整理自《電氣技術(shù)》《電工技術(shù)學(xué)報》等





 

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