二維(2D)半導(dǎo)體,，如二硫化鉬和黑磷,，可以與硅技術(shù)競爭，因為它們的原子級厚度，優(yōu)異的物理性能,，并與經(jīng)典的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)兼容。實現(xiàn)大規(guī)模二維半導(dǎo)體集成電路的先決條件是原材料的高質(zhì)量和均勻性的大規(guī)模生產(chǎn),。硅晶片是通過切割大塊單晶錠獲得的,，而大面積的二維半導(dǎo)體通常是通過自下而上的沉積方法獲得的。生長過程中引入的晶界和晶體缺陷等缺陷往往會導(dǎo)致電子性能的嚴重退化,。絕緣襯底上的晶片級單晶2D半導(dǎo)體是非常需要的,，但是它們的生長仍然是極具挑戰(zhàn)性的。
在過去的幾十年里,，世界各地的電子工程師和材料科學(xué)家一直在研究各種材料在制造晶體管方面的潛力,，晶體管是放大或切換電子設(shè)備中電信號的設(shè)備。眾所周知,，二維 (2D) 半導(dǎo)體是制造新型電子設(shè)備特別有前途的材料,。
盡管它們具有優(yōu)勢,，但這些材料在電子產(chǎn)品中的使用在很大程度上取決于它們與高質(zhì)量電介質(zhì)、絕緣材料或電流不良導(dǎo)體材料的集成,。然而,，這些材料可能難以沉積在 2D半導(dǎo)體基板上。
南洋理工大學(xué),、北京大學(xué),、清華大學(xué)和北京量子信息科學(xué)研究院的研究人員最近展示了利用范德華力將單晶鍶滴定物(一種高 κ 鈣鈦礦氧化物)與二維半導(dǎo)體成功整合。他們發(fā)表在Nature Electronics上的論文可能為開發(fā)新型晶體管和電子元件開辟新的可能性,。
“我們的工作主要受到2016 年發(fā)表在《自然材料》雜志上的一篇論文的啟發(fā),，”進行這項研究的兩位研究人員 Wang Xiao Renshaw 和 Allen Jian Yang 告訴 TechXplore?！斑@篇論文介紹了一種獨立的單晶鈣鈦礦薄膜的智能方法,，這些薄膜通常被視為易碎的陶瓷，但具有豐富的功能,。這種方法提供了將這些材料轉(zhuǎn)移到任意基板上并將它們與各種材料集成的機會,。”
作為最有前途的鈣鈦礦氧化物之一,，SrTiO 3具有極高的介電常數(shù),。然而，已發(fā)現(xiàn)將鈣鈦礦氧化物與具有不同原子結(jié)構(gòu)的材料集成幾乎是不可能的,。
“通常,，單晶鈣鈦礦氧化物和二維層狀半導(dǎo)體之間的晶格失配阻礙了高質(zhì)量氧化物覆蓋層的外延生長，”Renshaw 和 Yang 解釋道,?！按送猓瑔尉р}鈦礦氧化物的生長條件涉及高溫和氧氣氣氛,，對二維層狀半導(dǎo)體不利,。但是，在我們的范德華集成過程中,，鈣鈦礦氧化物生長在晶格匹配的氧化物上襯底,，然后在室溫下轉(zhuǎn)移到二維層狀半導(dǎo)體上?！?/p>
Renshaw Wang,、Yang 和他們的同事之前進行了幾項研究，重點是生長氧化物和二維電子產(chǎn)品的技術(shù),?；谒麄冊谥肮ぷ髦腥〉玫某晒麄冮_始嘗試將高 κ 鈣鈦礦氧化物和二維層狀半導(dǎo)體結(jié)合起來，以制造高性能晶體管,。
為實現(xiàn)這一目標,，研究人員在水溶性犧牲層上生長了高 κ 鈣鈦礦氧化物。隨后,，他們將鈣鈦礦氧化物從該層中提取出來,，并使用彈性體支撐(即聚二甲基硅氧烷或 PDMS)將其轉(zhuǎn)移到兩種類型的二維半導(dǎo)體上。他們專門使用了二硫化鉬和二硒化鎢,，這兩種不同的二維半導(dǎo)體使他們能夠分別制造 n 型和 p 型晶體管,。
Renshaw Wang 和 Yang 在一系列測試中評估了他們制造的晶體管，發(fā)現(xiàn)它們?nèi)〉昧孙@著的效果,。具體而言,，二硫化鉬晶體管在1 V 的電源電壓和 66 mV dec-1 的最小亞閾值擺幅下表現(xiàn)出 10 8的開/關(guān)電流比。
“我們成功地規(guī)避了高 κ 鈣鈦礦氧化物和二維半導(dǎo)體集成的限制,，我們的方法可以實現(xiàn)幾乎無限的材料組合,，”Renshaw Wang 和 Yang 說?！按送?，我們發(fā)現(xiàn)轉(zhuǎn)移的高 k鈣鈦礦氧化物和 MoS 2之間的界面質(zhì)量很高，因為它使我們能夠制造具有突然的亞閾值斜率的場效應(yīng)晶體管,。”
作為他們最近研究的一部分,，研究人員表明,，他們創(chuàng)建的晶體管可用于制造高性能和低功率互補金屬氧化物半導(dǎo)體逆變器電路。未來,，他們的設(shè)備可以大規(guī)模生產(chǎn),，用于開發(fā)功耗更低的邏輯電路和微芯片。
“在我們接下來的研究中,，我們將嘗試進一步提高高 k鈣鈦礦氧化物的質(zhì)量,，以降低晶體管和邏輯門的電源電壓，”Renshaw 和 Yang 補充道,?！芭c此同時，我們將監(jiān)測柵極泄漏電流,，并在必要時采用緩沖層或雙高 k 氧化物來阻止柵極泄漏,。”
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