12月15日消息,，據(jù)報導，韓國本土的半導體和顯示材料開發(fā)商——石墨烯實驗室 (Graphene Lab) 開發(fā)出了基于石墨烯制造的EUV光罩保護膜 (Pellicle) ,，有望顯著提高ASML的極紫外光 (EUV) 系統(tǒng)生產芯片的良率,。
據(jù)了解，光罩保護膜是一種薄膜,，可保護光罩表面免受空氣中微分子或污染物的影響,，這對于 5nm或以下節(jié)點制程的先進制程技術的良率表現(xiàn)至關重要。
另外,，光罩保護膜也是一種需要定期更換的消耗品,，而由于EUV光刻設備的光源波長較短,，因此護膜需要較薄厚度來增加透光率,。
之前,，硅已被用于制造光罩護膜，但石墨烯會是一種更好的材料,，因為石墨烯制造的光罩保護膜比硅更薄,、更透明。
報導還強調,，EUV光罩護膜必須能夠承受曝光過程中發(fā)生的 800 度或更高的高溫,，而基于石墨烯材料的光罩保護膜在高溫下的硬化特性要好，相比之下硅制產品非常容易破裂,。
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