2022年，智能手機,、PC等消費電子市場需求放緩,，供需失衡之下,，庫存持續(xù)上升，存儲芯片市場不可避免受到嚴(yán)重影響,。
TrendForce表示,，DRAM價格自年初以來就一路走跌，下半年合約價每季跌幅更超過10%,，顯見需求市場的嚴(yán)峻,；閃存市場同樣呈現(xiàn)供過于求的狀態(tài)，導(dǎo)致第三季wafer價格跌幅達(dá)30%-35%,，預(yù)計第四季NAND價格持續(xù)下探,。
Gartner此前觀點表示，全球半導(dǎo)體市場疲軟期至少將持續(xù)到2023 年,，預(yù)計明年的半導(dǎo)體收入將下降2.5%左右,。而存儲芯片市場的下滑勢頭會更大,，可能突破10%。
世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）給出的預(yù)測更為悲觀,。其表示,，受到存儲芯片市場急劇冷凍所拖累，2023年的全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將萎縮4.1%至5570億美元,，存儲芯片市場則將出現(xiàn)17%的降幅,。
市場的供過于求強烈推動了存儲市場進(jìn)入下行周期,，存儲芯片的頭部廠商正努力跨越“寒冬”,。
在存儲產(chǎn)業(yè)陣陣寒意再次涌上心頭之際，我們來回顧一下存儲行業(yè)的發(fā)展歷程,，以求從中汲取經(jīng)驗,，反哺行業(yè)發(fā)展。
以史為鏡,，可以知興替,。
存儲行業(yè)興起于上實際60年代，是半導(dǎo)體行業(yè)重要的細(xì)分領(lǐng)域,，約占整個半導(dǎo)體行業(yè)的25%,。DRAM和NAND閃存為存儲芯片行業(yè)中占比最高的兩個分支，銷售總額占據(jù)了整個存儲芯片行業(yè)90%以上的市場份額,。
存儲行業(yè)的發(fā)展歷程大致可分為3個階段,。1990年以前，DRAM為存儲芯片市場上主要的產(chǎn)品,，且伴隨少量的EPROM和EEPROM,；1990年至2000年，NOF Flash開始逐步占據(jù)一定比例的市場份額,；2000年以后,，NAND Flash開始爆發(fā)式增長，其市場規(guī)模直逼DRAM, 而NOF Flash的市場規(guī)模于2006年達(dá)到頂峰后開始逐漸下滑,，但于近兩年又開始有微小上升趨勢,。
存儲行業(yè)的主要玩家伴隨歷史發(fā)展發(fā)生了顯著的變化，霸主地位由一開始的美國企業(yè)（1969-1984年）逐步轉(zhuǎn)移到日本（1985-1996年）,，最后再轉(zhuǎn)移到韓國企業(yè)（1996-現(xiàn)在）,。
據(jù)WSTS統(tǒng)計，目前在DRAM市場,，三星,、美光、SK海力士合計占比約94%,；NAND Flash領(lǐng)域,，三星,、鎧俠、SK海力士,、西部數(shù)據(jù),、美光、英特爾合計占比約98%,。
DRAM產(chǎn)業(yè)“第六次大蕭條”
相比于過去兩年的“一芯難求”,，隨著消費電子市場進(jìn)入下滑周期，以DRAM為代表的芯片需求正在快速下滑,。
DRAM產(chǎn)業(yè)正在被貼上“第六次大蕭條”,、“產(chǎn)業(yè)下行”、“市場寒冬”的標(biāo)簽,?？v觀內(nèi)存芯片全球發(fā)展史，圍繞DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展而產(chǎn)生的激烈競爭此起彼伏,。
1966年,，來自IBM的羅伯特·登納德成功研發(fā)出MOS型晶體管+電容結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展從此開啟,。
行業(yè)發(fā)展早期,，Intel依靠DRAM量產(chǎn)實現(xiàn)一家獨大。由于當(dāng)時大中型計算機使用的磁鼓存儲器笨重昂貴,，Intel向計算機用戶大力宣傳DRAM,，1972 年憑借 1K DRAM 取得巨大成功。服務(wù)于HP,、DEC等重要客戶,，IBM在新推出的S370/158大型計算機上，也開始使用DRAM內(nèi)存,。
1974年,，英特爾DRAM產(chǎn)品的全球市場份額達(dá)到驚人的82.9%。就在英特爾在DRAM領(lǐng)域賺得盆滿缽滿的同時,，競爭對手也在迅速崛起,。1973年，美國德州儀器（TI）,、莫斯泰克（Mostek）,、日本NEC等廠商先后進(jìn)入DRAM市場。
其中,，Mostek利用技術(shù)升級成為市場霸主,，70年代后期，Mostek一度占據(jù)了全球DRAM市場85%的份額?？上?，沒過多久，因遭遇資本市場的惡意收購,，公司發(fā)展遭遇較大障礙,。Mostek被UTC收購，后來又轉(zhuǎn)賣給了意法半導(dǎo)體,。1978年,，幾位從Mostek公司離職的技術(shù)人員，在愛達(dá)荷州一家牙科診所的地下室,，共同創(chuàng)立了一家新的存儲技術(shù)公司,，也就是后來的存儲巨頭——Micron（美光）。
Mostek是內(nèi)存界第一個敗退的巨頭,，也為美國群雄接下來的連續(xù)崩潰埋下了伏筆,。
除了國內(nèi)競爭對手之外，英特爾面臨的更大威脅來自國外,。1970年代，經(jīng)濟(jì)高速崛起的日本看到DRAM市場潛力后,，在70年代末期以舉國體制發(fā)展DRAM技術(shù),，成立了VLSI聯(lián)合研發(fā)體。在VLSI項目的幫助下,，1977年日本成功研制出了64K DRAM,，追平了美國公司的研發(fā)進(jìn)度。
隨后日本 DRAM 產(chǎn)業(yè)進(jìn)入增長爆發(fā)期,。到了1980年代中期,，富士通、日立,、三菱,、 NEC、東芝等一眾日本廠商繼續(xù)發(fā)力,，憑借質(zhì)量和價格優(yōu)勢,，快速占領(lǐng)全球市場，開始反超美國公司,。
1984年,，日立生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存已開始采用1.5um生產(chǎn)工藝，三菱甚至公開4M DRAM關(guān)鍵技術(shù),。到1986年,，僅東芝一家，每月1M DRAM產(chǎn)量就超過100萬塊。
由于日本廉價DRAM的大量傾銷,，美光被迫裁員一半,，只得向美國政府尋求幫助；Intel也深陷泥潭,，無奈退出DRAM市場,。
另外，1983-1985年游戲機市場的崩盤,，市場銷量下降到只有之前的10%不到,，也是導(dǎo)致內(nèi)存嚴(yán)重過剩，導(dǎo)致了Intel和國家半導(dǎo)體等美國廠商退出DRAM領(lǐng)域的一個重要原因,。
1986年,，日本存儲器產(chǎn)品的全球市場占有率上升至65%，而美國則降低至30%,。
然而,，就在日本半導(dǎo)體廠商橫掃存儲市場的時候，外部政治環(huán)境開始發(fā)生了微妙的變化,。1985年日美關(guān)系發(fā)生轉(zhuǎn)變,，美國主導(dǎo)的《廣場協(xié)議》以及對日本半導(dǎo)體產(chǎn)品發(fā)起反傾銷訴訟，致使日本產(chǎn)品性價比極速下降,。
在接二連三的打擊下,，日本半導(dǎo)體產(chǎn)品市場份額一落千丈，很快喪失了主導(dǎo)權(quán),。
此時產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機會轉(zhuǎn)向了韓國,，韓國三星、LG,、現(xiàn)代,、大宇等財閥集團(tuán)也看中了半導(dǎo)體技術(shù)的市場前景，通過購買,、引進(jìn)技術(shù)專利及加工設(shè)備,，對其進(jìn)行消化吸收，積蓄技術(shù)力量,。其中,，三星通過購買專利疊加自研的方法迅速崛起，隨后在 DRAM領(lǐng)域繼續(xù)保持著高投入研發(fā),，最終實現(xiàn)技術(shù)超越成為新巨頭,。
1998年韓企在DRAM份額超過日本企業(yè)。
DRAM產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了幾十多年的發(fā)展,，如果用一個詞來形容這四十年,，那就是——“腥風(fēng)血雨”。
2001年，因為現(xiàn)代電子從現(xiàn)代集團(tuán)中拆分,，公司改名為海力士,。同年美光完成收購德州儀器的內(nèi)存部門，隨著1999年到2001年內(nèi)存行業(yè)整合結(jié)束,，三星,、美光、海力士,、英飛凌四家掌握有全球近八成的DRAM市場份額,。
在經(jīng)過日韓兩國之間不斷的價格戰(zhàn)，激烈競爭的大浪淘沙后,，DRAM市場玩家剩下三星,、SK海力士、奇夢達(dá),、美光,、爾必達(dá)這五家。
2007年微軟推出Vista系統(tǒng),，提高了對內(nèi)存的消耗,，各大廠商紛紛擴(kuò)大產(chǎn)能以應(yīng)對市場需求，結(jié)果Vista銷量平淡,，供過于求的DRAM價格便一路下滑,，并在2008年全球金融危機中跌破材料成本。
此時的三星為了提高市場占有率,，不惜虧本擴(kuò)大產(chǎn)能加劇行業(yè)虧損，導(dǎo)致奇夢達(dá)和爾必達(dá)接連被淘汰,。在歷經(jīng)多年搏殺后,，全球DRAM廠商逐漸從“群雄逐鹿”變成“三足鼎立”。
2016年手機內(nèi)存需求的快速增長導(dǎo)致全球內(nèi)存芯片缺貨,，而內(nèi)存條價格也跟著水漲船高,。據(jù)Business korea報道，內(nèi)存價格大漲的背后可能不全是市場因素,，是三星,、美光等存儲公司通過削減產(chǎn)量、減少供應(yīng)的方式,，抬高了DRAM的價格,。
可見，商業(yè)世界里,，一個行業(yè)高度壟斷可能造成的結(jié)果是：頭部廠商有可能操縱產(chǎn)量和價格,，用低價來擠垮競爭對手，或用漲價來謀取暴利。
DRAM產(chǎn)業(yè)最大的特點就是其周期性規(guī)律,。業(yè)內(nèi)人士曾指出：DRAM存儲,，每賺錢一年，就要虧錢兩年,，所謂“賺一虧二”,。
在這種強烈的周期性規(guī)律下，想要長期生存下去,，是一件非常困難的事情,。DRAM廠商需要有強大的現(xiàn)金流和融資能力，能夠維持高強度的研發(fā)支出,，保持團(tuán)隊的穩(wěn)定,。
在虧損周期，DRAM廠商需要更多的錢,，才能夠活下去,。在繁榮周期，也不能大意,。廠商在選擇擴(kuò)充產(chǎn)能時機時,，需要非常謹(jǐn)慎。不然就可能導(dǎo)致供大于求,，盈利變虧損,。
“逆周期投資”法寶
四十年前，全球大概有幾十家DRAM廠商,。如今,，只剩下三家，競爭之殘酷,，由此可見一斑,。這四十年里，有一家企業(yè)不僅堅持活了下來,，還干掉無數(shù)對手,，長期占據(jù)霸主地位。這家企業(yè),，就是前面提到的三星,。
三星這家公司，就是靠著韓國的舉國之力,，接二連三地采用“逆周期投資”策略,，干掉了無數(shù)對手，成為了半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域的老大,。
第一次“逆周期投資”
三星的第一次“反周期投入”,，就發(fā)生在前文所說的1980年代中期,。
彼時，日美激戰(zhàn)正酣,，DRAM市場普遍不景氣,，價格大跌，從1984年初的每片4美元下降到1985年的30美分,。而三星推出64K DRAM時,，生產(chǎn)成本是1.3美元/片。
面對行業(yè)寒冬,，三星不僅沒有收縮投資,，反而開始逆向投資，擴(kuò)大產(chǎn)能,，并開發(fā)更大容量的DRAM,。到1986年底，三星半導(dǎo)體累積虧損3億美元,，股權(quán)資本完全虧空,，接近破產(chǎn)。
關(guān)鍵時期,，韓國政府出手“救市”,，總共投入近3.5億美金，并且以政府名義背書,，給三星拉來了20億美元的個體募資,。并且趕上日本半導(dǎo)體被美國壓制，加上PC電腦進(jìn)入熱銷期帶來的行業(yè)繁榮,，使得三星順利翻盤,，迎來業(yè)績增長。
不久后,，以三星為代表的韓系DRAM廠商,，逐漸蠶食了日本半導(dǎo)體企業(yè)讓出的市場份額，占據(jù)了市場的主導(dǎo)地位,。
第二次“逆周期投資”
1992年，日本住友樹脂廠發(fā)生爆炸,，導(dǎo)致原材料供應(yīng)緊張,，內(nèi)存價格暴漲。這一年,，三星率先推出世界上第一個64M DRAM,。
1993年，全球半導(dǎo)體市場又開始轉(zhuǎn)弱,。這時,，三星故技重施,，采取了第二次“反周期投入”，投資興建8英寸硅片生產(chǎn)線來生產(chǎn)DRAM,。
1995年,，微軟公司W(wǎng)indows95視窗操作系統(tǒng)發(fā)布，極大地刺激了內(nèi)存的需求,，帶動內(nèi)存價格大幅上揚,，三星的投資獲得回報。全球各大廠商后知后覺,，紛紛投資擴(kuò)大產(chǎn)能,。
然而，到了1995年底,，各廠商8英寸晶圓廠投產(chǎn)后,，導(dǎo)致產(chǎn)能急劇增加，使得DRAM供大于求,。于是,，賣方市場又變成了買方市場，價格又開始下跌,。在此情況下,，廠商們被迫削減產(chǎn)量，減小投資規(guī)模,。
三星繼續(xù)擴(kuò)大投資,。1996年，三星推出世界上第一個1GB DRAM,，奠定了行業(yè)領(lǐng)軍地位,。
直到1999年，DRAM價格下跌的趨勢有所緩解,。因為互聯(lián)網(wǎng)泡沫的出現(xiàn),，DRAM行業(yè)進(jìn)入了短暫的繁榮階段。
同年,，在激烈的競爭環(huán)境下,，DRAM行業(yè)發(fā)生了若干重大變化：
韓國現(xiàn)代內(nèi)存與LG半導(dǎo)體合并，成立現(xiàn)代半導(dǎo)體,，后來,，又從現(xiàn)代集團(tuán)拆分（2001年），改名海力士（Hynix）,；美國存儲廠商美光收購德州儀器內(nèi)存部門,；日本方面，日立,、NEC,、三菱電機的DRAM業(yè)務(wù)整合,，抱團(tuán)成立了爾必達(dá)。
歐洲方面,，西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門獨立,，成立了億恒科技，2002年改名為英飛凌,。再后來,，2006年英飛凌科技存儲器事業(yè)部拆分獨立，變成了奇夢達(dá),。
然而好景不長,，隨著互聯(lián)網(wǎng)泡沫破碎，2000年全球遭遇互聯(lián)網(wǎng)危機,。PC市場遭受重創(chuàng),，DRAM的市場需求也急速下降，而三星,、美光,、海力士、英飛凌等龍頭企業(yè)剛經(jīng)歷擴(kuò)產(chǎn),，價格又迎來了跳水,，DRAM市場規(guī)模從288億美元腰斬至110億美元。
經(jīng)濟(jì)危機過后,，DRAM市場從低谷中逐漸恢復(fù),。2006年，三星開發(fā)出世界上第一個50nm工藝的1GB DRAM,；海力士則開發(fā)出當(dāng)時世界上最高速的200MHz 512MB Mobile DRAM,。
那一時期，DRAM市場逐漸形成了五強格局：三星（韓）,、SK海力士（韓）,、奇夢達(dá)（德）、美光（美）和爾必達(dá)（日）,。
第三次“逆周期投資”
2007年,，微軟推出Vista系統(tǒng)。該系統(tǒng)對內(nèi)存消耗較大,，DRAM廠商預(yù)期內(nèi)存需求大增,，于是紛紛增加產(chǎn)能。但實際上,，Vista銷量很差，沒有帶動內(nèi)存市場,，導(dǎo)致產(chǎn)能再次過剩,。
更殘酷的是,，2008年金融危機爆發(fā)，導(dǎo)致DRAM市場雪上加霜,。內(nèi)存價格一路下跌,，甚至跌破材料成本，行業(yè)面臨洗牌,。
就在眾廠商哀鴻遍野時,，三星第三次舉起了“反周期”屠刀，決定將三星電子總利潤的118%投入DRAM擴(kuò)張業(yè)務(wù),，進(jìn)而加劇行業(yè)虧損,，給艱難度日的對手們壓上最后一根稻草。
當(dāng)年排名第三的德系廠商奇夢達(dá)成為倒在2009年春天的第一個大廠,。自此,，歐洲玩家正式退出DRAM 市場。2012年初,，曾經(jīng)的DRAM頭部廠商爾必達(dá)也支撐不下去了,，宣布破產(chǎn)，曾經(jīng)占據(jù)DRAM市場50%以上份額的日本,，也輸?shù)袅俗詈笠粡埖着啤?/p>
總結(jié)來看,，三星充分利用了存儲器行業(yè)的強周期特點，在價格下跌,，生產(chǎn)過剩,，其他企業(yè)削減投資的時候，逆勢瘋狂擴(kuò)產(chǎn),，通過大規(guī)模生產(chǎn)進(jìn)一步下殺產(chǎn)品價格,，從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產(chǎn)，世人稱之為“逆周期投資”,。
三星的逆周期投資已經(jīng)成為半導(dǎo)體界的一段傳奇故事,。
至此，DRAM領(lǐng)域形成了三星,、SK海力士,、美光“三足鼎立”的局面。2011年之后,，DRAM內(nèi)存的市場格局沒有發(fā)生什么重大變化,。但是，DRAM的用戶需求和市場環(huán)境,，變化很大,。
之后，三大DRAM廠商為提高自身市占率 ,，繼續(xù)大打價格戰(zhàn),，DRAM價格不斷下跌,。2017-2018年，受益于數(shù)據(jù)中心,、智能手機市場需求,，DRAM市場迎來增長。服務(wù)器DRAM,、移動DRAM需求成長,，DRAM廠商的供應(yīng)量增長低于市場需求量，DRAM價格一路上揚,。此外,，運算加密貨幣所需的繪圖型DRAM推動了市場供不應(yīng)求加劇。
2019 年,，由于前期產(chǎn)能擴(kuò)張和去庫存因素,，存儲芯片價格下跌較多。加密貨幣市場價格崩塌,、智能手機市場進(jìn)入成熟期,，驅(qū)動市場進(jìn)一步需求疲軟，DRAM價格跌幅最高達(dá)37%,。
1994年以來,，DRAM江湖經(jīng)歷了五次大蕭條。目前,，DRAM行業(yè)又處于多周期疊加下的“寒冬”,，DRAM產(chǎn)業(yè)的第六次蕭條或許正在路上。
DRAM江湖：從群雄割據(jù),，到三分天下
總體上來說,，DRAM產(chǎn)業(yè)每3-5年都經(jīng)歷“需求提出-供不應(yīng)求-價格上漲-擴(kuò)充產(chǎn)能-產(chǎn)能過剩-價格下跌-重新洗牌”的過山車，如此不斷循環(huán),。
縱觀 DRAM發(fā)展歷史,，DRAM產(chǎn)業(yè)具備成長和周期雙重屬性，圍繞成本,、技術(shù),、品質(zhì)等為核心競爭要素，而背后需要企業(yè)在融資能力,、產(chǎn)業(yè)鏈配套及人才梯隊等全方位儲備,，考驗企業(yè)系統(tǒng)性的資源調(diào)動能力。
DRAM行業(yè)早期競爭激烈,，參與者眾多,，70 年代是市場分水嶺。1972 年，Intel 憑借 1K DRAM研發(fā)取得成功,，迅速占領(lǐng)市場,。同時期，IBM 和德州儀器也開始入局,。1973 年，PC 需求放緩對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成沖擊,。德州儀器和各大日本廠商抓住時機進(jìn)入內(nèi)存市場,，Intel 市場份額快速下降。80 年代,，日本廠商憑借低價的優(yōu)勢份額持續(xù)提升,，韓國三星也在此時開始布局DRAM。1984 年,，Intel 開始退出市場,；1998 年，德州儀器將存儲業(yè)務(wù)出售給美光,；1999年 IBM 也將合資工廠出售給東芝并退出市場,。
過去50多年的發(fā)展歷程中，存儲企業(yè)間搏殺慘烈,，王朝幾經(jīng)更替,。美國、日本,、德國,、韓國、中國臺灣的選手,，懷揣巨額籌碼,，興高采烈地走進(jìn)來，卻在輸光之后黯然離場,。無數(shù)名震世界的產(chǎn)業(yè)巨頭轟然倒地,，就連開創(chuàng)DRAM產(chǎn)業(yè)的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM,，也在商業(yè)廝殺中含恨退出了DRAM市場,。
經(jīng)過大浪淘沙后，英特爾,、IBM,、英飛凌、Motorola,、德州儀器,、日立、三菱、東芝,、松下,、現(xiàn)代、LG等廠商紛紛退出了DRAM江湖,。
近10年來DRAM市場集中度逐漸上升,，當(dāng)前全球DRAM廠商的數(shù)量不到10家，形成了三星電子,、SK海力士,、美光三足鼎立的格局，在DRAM市場呼風(fēng)喚雨,，賺得盆滿缽滿,。2021年，三巨頭總共占有94%的DRAM市場份額,。
NAND閃存,，35年跌宕起伏
另一邊，NAND閃存市場同樣激烈,。
在日美激戰(zhàn)正酣的1984年,，東芝（2017年4月東芝存儲器集團(tuán)從東芝公司剝離，并于2019年10月正式更名為KIOXIA,，中文名為鎧俠）跨時代地提出了“閃存”概念,，宣告一個新時代的到來。
遺憾的是,，F(xiàn)lash閃存并沒有得到東芝公司的充分重視,。相比已經(jīng)開跑多年的DRAM，以及日本DRAM正強勢碾壓美國,，剛面世的NAND閃存在東芝眼里瞬間黯然失色,。
直到三年之后，東芝才根據(jù)閃存的概念發(fā)明出了全球第一塊NAND閃存芯片,，為之后的電腦,、智能手機、數(shù)據(jù)中心等許多新應(yīng)用奠定了技術(shù)基礎(chǔ),。
整個90年代末,，受益于手機、數(shù)碼相機,、便攜式攝像機,、MP3播放器等消費數(shù)碼產(chǎn)品的爆發(fā)，F(xiàn)lash市場規(guī)模迅猛提升,。當(dāng)時,，市場一片繁榮,，參與的企業(yè)也數(shù)量眾多。
此時的閃存市場,，競爭開始加劇,，英特爾、三星,、東芝等廠商互不相讓地追逐NAND閃存的制高點,。
進(jìn)入21世紀(jì)，NAND Flash崛起的勢頭更加迅猛,。
在互聯(lián)網(wǎng)泡沫與美國的圍追堵截之下,，2001財年，東芝在巨額虧損之下徹底剔除DRAM,，將DRAM業(yè)務(wù)賣給了美光。之后便決意重拾此前不被自己重視的NAND閃存業(yè)務(wù),。
三星則一路披荊斬棘,，將NAND閃存的容量從1G升到2GB、4Gb,、8Gb,、16Gb、32Gb,、64Gb,，在工藝方面，三星成功開發(fā)出90nm,、70nm,、50nm、40nm,、30nm,。
雖然退出DRAM市場，但在閃存領(lǐng)域,，英特爾并未放棄,。1992年，英特爾第一款NAND閃存產(chǎn)品姍姍來遲,，容量為12MB,。
在這場技術(shù)競賽中，單打獨斗不是市場的主旋律,。東芝聯(lián)手閃迪,，英特爾則選擇了美光。
在DRAM爭霸賽中發(fā)展良好的美光,，在NAND閃存領(lǐng)域比其余幾家存儲企業(yè)出發(fā)都晚,。2005年，英特爾與美光成立合資公司IM Flash，珠聯(lián)璧合一方面是抵御三星與東芝的沖擊,，另一方面則是押注未來,，全力進(jìn)軍3D NAND。
2007年,，手機進(jìn)入智能機時代,，喬布斯在舊金山的馬士孔尼會展中心，從口袋中掏出了那款影響世界的iPhone,，再次對閃存市場技術(shù)格局造成影響,。
基于芯片性能和應(yīng)用需求，NOR Flash的市場份額開始被NAND Flash大量取代,。NAND閃存迎來黃金期,，同時各家企業(yè)在新技術(shù)上的競賽也更加激烈。
也是在這一年,，2D NAND走到頭,。這一次東芝又引領(lǐng)了潮頭，獨辟蹊徑發(fā)布基于BiCS技術(shù)的3D NAND,。而三星并沒有借鑒東芝的結(jié)構(gòu),，反而另辟蹊徑選擇了VG垂直柵極結(jié)構(gòu)的V-NAND閃存。
閃存行業(yè)進(jìn)入3D時代,。此后數(shù)年,，英特爾與美光、東芝（鎧俠）,、SK海力士以及三星走在在追逐更高密度,，更高層數(shù)的道路上。
產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期,，朝氣蓬勃,，各家企業(yè)都能找到屬于自己的生態(tài)位，產(chǎn)業(yè)一旦進(jìn)入成熟期,，并購加劇,，馬太效應(yīng)之下生態(tài)位要么擴(kuò)張，要么被蠶食,。2010年之后,，整個閃存行業(yè)動蕩不安，收購事件此起彼伏,，一方面鞏固自身優(yōu)勢,，另一方面彌補短板。
LSI收購Sandforce,、閃迪收購IMFT,、 蘋果收購Anobit,、Fusion-io收購IO Turbine。其中美光與SK海力士是最為活躍的兩家企業(yè),。
據(jù)統(tǒng)計,，美光在2010完成對閃存制造商Numonyx的并購，2012年收購PCle虛擬化解決方案供應(yīng)商Virtensys,，2015年收購SSD控制器初創(chuàng)公司Tidal,，2019年正式收購IM Flash。SK海力士則在2012年收購意大利NAND閃存開發(fā)商Ideaflash,，并在2021年拿下英特爾的NAND閃存業(yè)務(wù),。
而英特爾與美光這一對戰(zhàn)友對技術(shù)路線出現(xiàn)了分歧。2019年,，英特爾與美光正式結(jié)束了在NAND Flash技術(shù)方面長達(dá)14年的合作關(guān)系,。最終美光收購了IM Flash，英特爾則獨自建立了NAND Flash和3D XPoint存儲器研發(fā)團(tuán)隊,，但沒多久,，英特爾就徹底放下了NAND Flash，如同其當(dāng)年放下DRAM一樣,。這一決定算是宣告英特爾對NAND閃存的告別，同時也切斷了基于3D XPoint技術(shù)打造出傲騰（Optane）產(chǎn)品線,，同時也為英特爾的存儲之路徹底地畫上句號,。
英特爾告別賽場之后，將一部分財產(chǎn)留給了昔日戰(zhàn)友美光,，另外的場地留給了后起之秀SK海力士。2021年12月底，SK海力士以90億美元的價格接手了英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)及SSD業(yè)務(wù),，后在美國成立NAND閃存解決方案提供商Solidigm,。2021年第四季度，海力士加上Solidigm的市場總份額來到了全球第二,，僅次于三星,。
通過市場博弈和整合并購，NAND Flash領(lǐng)域的玩家數(shù)量越來越少,。最終,，形成了由三星、SK海力士,、鎧俠,、西部數(shù)據(jù)、美光等巨頭為主導(dǎo)的集中型市場,。
NAND的江湖春秋
自1987年發(fā)明NAND閃存以來,，經(jīng)過了35年的跌宕起伏,，有前浪退出，也有后浪涌進(jìn),。東芝雄霸市場,、三星一躍龍門、美光與SK海力士強勢突圍,，以及退出賽場的英特爾,，都為NAND Flash市場演繹了一場橫跨時空的精彩劇情，并創(chuàng)寫了屬于自己的江湖春秋,。
從WSTS公布的出貨量數(shù)據(jù)來看,，NAND閃存的發(fā)展大致可以分為三個階段。2000年至2016年間,，NAND閃存出貨量呈現(xiàn)線性增長趨勢,；2016年至2018年，出貨量相對穩(wěn)定,；2018年之后,，受益于數(shù)據(jù)中心市場增長，NAND閃存出貨量隨之增加,。
從NAND閃存市場的角度看,，隨著2001年以后音樂播放器、數(shù)碼相機,、手機等領(lǐng)域疾速增長,，NAND閃存市場需求持續(xù)上揚，出貨量以線性趨勢持續(xù)增加,。
發(fā)展至今,，大數(shù)據(jù)、云計算,、元宇宙等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展,，對NAND產(chǎn)品的容量、性能,、功耗提出了更高的要求,。在技術(shù)沒有代際差異的情況下，NAND產(chǎn)品趨于標(biāo)準(zhǔn)化同質(zhì)化,，成本,、堆疊層數(shù)和市場規(guī)模正在成為NAND產(chǎn)業(yè)接下來的競爭焦點。一系列閃存廠商再次紛紛加速技術(shù)演進(jìn)和市場布局,，以爭奪NAND閃存市場的主導(dǎo)權(quán),。
寫在最后
回顧存儲行業(yè)的發(fā)展歷史，應(yīng)用市場的更迭,、供需關(guān)系的改變和存儲芯片的價格波動主導(dǎo)了眾多存儲公司的命運,，催生了市場新格局,。
行業(yè)廠商的起起伏伏也展示了市場判斷對于企業(yè)經(jīng)營的重要性。存儲芯片市場由于其周期性和產(chǎn)線投產(chǎn)時間長等緣故,，扎堆投資,，就容易造成供過于求，進(jìn)而使半導(dǎo)體公司出現(xiàn)虧損,、生產(chǎn)線荒廢,、人員解散，又會導(dǎo)致市場緊缺,，價格上升,，又開始建立新的或者改善原生產(chǎn)線。這種情況下,，如何對市場周期進(jìn)行預(yù)判,，又如何度過低迷期，都對各家存儲企業(yè)提出了極高的要求,。
當(dāng)前,，存儲市場再次吹起下行的寒風(fēng)，存儲廠商在先進(jìn)技術(shù)方面的競爭不見頹靡,。
無論是第五代10nm級DRAM技術(shù),，還是更高層數(shù)堆疊的NAND Flash，存儲大廠都在積極發(fā)力,，以保持市場領(lǐng)先地位,，并滿足市場對高容量、高性能產(chǎn)品需求,，呈現(xiàn)出持續(xù)發(fā)展的潛能。
與此同時,，存儲廠商們也在布局未來的潛力市場,。雖然移動、PC等消費市場呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢,，但云,、服務(wù)器、高性能運算,、車用與工控等領(lǐng)域結(jié)構(gòu)性增長需求不減,，半導(dǎo)體市場結(jié)構(gòu)化增長的特征，為存儲原廠的增長提供了堅實后盾,。
盡管存儲市場需求近期疲軟,，但長期需求趨勢依然強勁，數(shù)字化的浪潮已經(jīng)不可逆轉(zhuǎn),，存儲市場長久來看必然是向更高更大的格局邁進(jìn),。
回顧過往幾十年存儲行業(yè)發(fā)展脈絡(luò),，起起伏伏正如傳奇投資人John Templeton所言：“牛市在悲觀中萌生，在懷疑里成長,，在樂觀中登頂,，在亢奮里寂滅”。
存儲市場的興衰也大抵如此,。
