IEDM 2022 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議上,，Intel公布了多項(xiàng)新的技術(shù)突破,，將繼續(xù)貫徹已經(jīng)誕生75年的摩爾定律,，目標(biāo)是在2030年做到單芯片集成1萬(wàn)億個(gè)晶體管，是目前的10倍,。

摩爾定律原型

從應(yīng)變硅、高K金屬柵極,、FinFET立體晶體管,，到未來(lái)的RibbonFET GAA環(huán)繞柵極晶體管、PowerVia后置供電,，再到2.5D EMIB+3D Foveros,、Foveros Direct/Omni封裝技術(shù)，Intel一直在從各項(xiàng)技術(shù)上推動(dòng)摩爾定律。

IEDM 2022會(huì)議上,，Intel披露了三個(gè)方面的技術(shù)突破：

1,、下一代3D封裝準(zhǔn)單芯片

基于混合鍵合(hybrid bonding)，將集成密度和性能再提升10倍,。

同時(shí),，間距縮小到3微米，使得多芯片互連密度和帶寬媲美如今的單芯片SoC,。

2,、超薄2D材料在單芯片內(nèi)集成更多晶體管

使用厚度僅僅3個(gè)原子的2D通道材料，Intel展示了GAA堆棧納米片,，在雙柵極結(jié)構(gòu)上,，在室溫環(huán)境、低漏電率下,，達(dá)成了非常理想的晶體管開關(guān)速度,。

第一次深入揭示了2D材料的電接觸拓?fù)洌蓪?shí)現(xiàn)更高性能,、更有彈性的晶體管通道,。

3、高性能計(jì)算能效,、內(nèi)存新突破

Intel研發(fā)了可垂直堆疊在晶體管之上的全新內(nèi)存,，并首次展示了全新的堆疊鐵電電容，性能媲美傳統(tǒng)鐵電溝道電容,，可用于在邏輯芯片上打造FeRAM,。

Intel正在打造300毫米直徑的硅上氮化鎵晶圓，比標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵提升20倍,。

Intel在超高能效方面也取得了新的突破,，尤其是晶體管在斷電后也能保存數(shù)據(jù)，三道障礙已經(jīng)突破兩道,，很快就能達(dá)成在室溫下可靠運(yùn)行,。

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