氮化鎵比硅更適合做高頻功率器件，可顯著減少電力損耗和散熱負(fù)載,，有體積,、功率密度方面的明顯優(yōu)勢,。應(yīng)用于變頻器,、穩(wěn)壓器、變壓器,、無線充電等領(lǐng)域,，可以有效降低能源損耗。

　　從第一款氮化鎵快充電源量產(chǎn)到如今成百上千款氮化鎵新品涌入市場,，短短幾年,，整個(gè)氮化鎵快充電源市場的容量翻了百倍,，昔日只有個(gè)別第三方配件品牌敢于嘗試的氮化鎵技術(shù)，如今便已成為了一線手機(jī),、筆電品牌的必備產(chǎn)品,，不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。

　　在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中,，電源技術(shù)水平也在不斷提升,，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動(dòng)+氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜,，產(chǎn)品開發(fā)難度相對較大，而且成本也比較高,。

　　作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的電源芯片廠商,，PI基于其電源芯片的技術(shù)優(yōu)勢，率先推出了內(nèi)置氮化鎵功率器件的高集成電源芯片,，合封氮化鎵芯片的概念也因此誕生,。

　　隨后幾年，國產(chǎn)電源芯片企業(yè)不僅推出了氮化鎵控制器芯片,，而且大部分控制器還支持直驅(qū)氮化鎵功率器件,。

　　諸多電源芯片廠商紛紛在合封氮化鎵芯片領(lǐng)域發(fā)力，豐富了高集成度的氮化鎵電源芯片市場,，在一顆芯片內(nèi)集成了PWM控制器,、驅(qū)動(dòng)器以及氮化鎵功率器件，大大精簡了電源產(chǎn)品開發(fā)過程的電路設(shè)計(jì),，并有效降低了BOM成本,，有利于促進(jìn)氮化鎵快充技術(shù)的普及。

　　由工采網(wǎng)代理的四川美闊推出的一款GaN/氮化鎵-MGZ31N65芯片適用于65W快充電源設(shè)計(jì),；芯片內(nèi)部集成650V 250mΩ氮化鎵開關(guān)管,、控制器、驅(qū)動(dòng)器,、高壓啟動(dòng)電路和保護(hù)單元,。

　　采用130KHz開關(guān)頻率，可以有效縮小充電器的變壓器體積,，得到性能和成本的平衡,，同時(shí)集成高壓啟動(dòng)電路、軟啟動(dòng)電路,，以及用于超寬輸出范圍的分段式供電電路,。

　　在突發(fā)和故障模式下具有超低的工作電流，最高工作頻率為175KHz,，支持抖頻改善EMI性能,，支持谷底開通,，輕載和空載模式以突發(fā)模式運(yùn)行以降低功耗，提高效率,；內(nèi)置過熱,、過流、過壓和輸出短路,、次級開路保護(hù)功能,，采用PQFN8×8封裝形式，可通過PCB銅箔散熱,，簡化散熱要求,，降低溫升。

　　此外,，還推出了適用于氮化鎵快充的同步整流控制器以及協(xié)議芯片,，為客戶開發(fā)氮化鎵快充提供整套方案。為客戶提供最優(yōu)解,，進(jìn)一步提高PD快充的功率密度,，提高GaN系統(tǒng)可靠性。

　　美闊推出的65W1C快充電源集成氮化鎵PD方案,，將高性能多模式反激控制器,、氮化鎵驅(qū)動(dòng)、氮化鎵開關(guān)管,、供電和保護(hù)等電路集成在一顆散熱增強(qiáng)的PQFN8*8封裝內(nèi)部,。

　　極大減少了外圍元器件數(shù)量，PCBA面積較少50%以上,，并消除傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)走線寄生參數(shù)對高頻開關(guān)的影響,，使得氮化鎵的性能得以進(jìn)一發(fā)揮。

　　ISweek工采網(wǎng)為您提供高品質(zhì)芯片,；為企業(yè)解決“采購難,、價(jià)格高、假貨多”等問題,；能夠?yàn)榭蛻籼峁┬酒x型指導(dǎo),、技術(shù)咨詢、開發(fā)工具技術(shù)支持,、產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計(jì)等全面的技術(shù)服務(wù),。

更多信息可以來這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<