隨著微電子技術(shù)和電力電子技術(shù)的發(fā)展進步，促進了新型大功率半導(dǎo)體器件和驅(qū)動控制電路的出現(xiàn),，現(xiàn)在逆變器多采用絕緣柵極晶體管（IGBT）,、功率場效應(yīng)管、MOS控制器晶閘管以及智能型功率模塊等各種先進和易與控制的大功率器件,。

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　　逆變器是太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件，主要的作用是將光伏組件發(fā)出的直流電轉(zhuǎn)變成交流電；是太陽能和用戶之間相聯(lián)系的必經(jīng)之路,；逆變器結(jié)構(gòu)由輸入電路、主力變電路,、輸出電路,、輔助電路,、控制電路和保護電路等構(gòu)成；目前,，市面上常見的光伏逆變器主要分為集中式逆變器與組串式逆變器,，還有新潮的集散式逆變器。

　　IGBT是光伏逆變器,、儲能逆變器的核心器件,；在逆變器中承擔著功率變換和能量傳輸?shù)淖饔茫悄孀兤鞯男呐K,。IGBT模塊占光伏逆變器價值量的15%至20%,，不同的光伏電站需要的IGBT產(chǎn)品略有不同，比如集中式光伏主要采用IGBT模塊,，而分部式光伏主要采用IGBT單管或模塊,。

　　IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，是我國重大科技專項重點扶持項目,。它兼具MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器件優(yōu)勢,，開關(guān)速度快、輸入阻抗高,、控制功率小,、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小,、導(dǎo)通電壓低,、通態(tài)電流大、損耗小,，在高壓,、大電流、高速等方面同樣優(yōu)勢明顯,。

　　IGBT模塊可以分為低壓（600V以下）,，中壓（600V-1200V）和壓(1200V-6700V)它有陰極，陽極,，和控制極,。關(guān)斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時候存在很小的電阻,，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷,。

　　在光伏逆變器的設(shè)計中，常用的IGBT分別為平面型IGBT和溝道型IGBT,。在平面型IGBT中,，多晶硅柵極是呈“平面”分布或者相對于p+體區(qū)是水平分布的。在溝道型IGBT中，多晶硅柵極是以“溝道方式向下”進入p+體區(qū),。這種結(jié)構(gòu)有一個優(yōu)點,，就是可以減小通道對電子流的阻力并消除電流擁擠現(xiàn)象，因為此時電子垂直地在通道中流過,。在平面型IGBT中,，電子以某種角度進入通道，引起電流擁擠,，從而增加電子流的阻力,。在溝道型IGBT中，電子流的增強使Vce(on)大幅度降低,。

　　一般來說,，在直流/交流逆變器系統(tǒng)設(shè)計中，選擇IGBT器件的基本準則是提高轉(zhuǎn)換效率,、降低系統(tǒng)散熱片的尺寸,、提高相同電路板上的電流密度。

　　臺灣茂矽推出了幾款適用于中壓范圍6寸晶圓片適用于各類光伏逆變器,，如光伏逆變和儲能等,。與行業(yè)同類產(chǎn)品相比，溫升更低,、可靠性更高,。

　　由工采網(wǎng)代理的臺灣茂硅生產(chǎn)的IGBT晶圓FS工藝6寸IGBT晶圓片P81MV022NL0013P、P81MV020NL0011P,、P81MV023NL0014P這三款主要有以下特性：

　　1,、1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù) 2、低開關(guān)損耗 3,、正溫度系數(shù)  4,、簡易平行）可應(yīng)用于中等功率驅(qū)動器；不間斷電源,。

　　IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),，在軌道交通,、智能電網(wǎng)、航空航天,、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣,。

　　臺灣茂矽IGBT產(chǎn)品已經(jīng)逐步進入新能源汽車、充電樁,、電池管理以及光伏逆變器等領(lǐng)域，并受到客戶的青睞，ISWEEK工采網(wǎng)擁有一整套完整的解決方案

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