《電子技術(shù)應(yīng)用》
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應(yīng)用在65W快充上國產(chǎn)氮化鎵芯片優(yōu)勢

2022-11-14
來源:工采網(wǎng)電子元件
關(guān)鍵詞: 65W 快充 氮化鎵 芯片

氮化鎵是氮和鎵化合物,;作為一種全新的半導(dǎo)體材料它具有熱導(dǎo)率高,、耐高溫,、高硬度,、高兼容性等一系列的特性。在早期開發(fā)中氮化鎵材料被應(yīng)用于發(fā)光二極管,、燈具,,新能源等等方面,。

  氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,,得益于充電行業(yè)的新興技術(shù),,隨著技術(shù)突破成本得到控制,目前氮化鎵還被廣泛運(yùn)用到消費(fèi)類電子等領(lǐng)域備受廠商和用戶的追捧,。

  應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件,,充電效率高;氮化鎵充電器的最大優(yōu)點(diǎn)就是支持體積更小的變壓器以及其他電感元件,,與此同時,,還具有優(yōu)秀的散熱性能。所以,,相較于傳統(tǒng)充電器,,氮化鎵充電器能夠有效縮小體積、降低發(fā)熱并提高效率,。

  與普通半導(dǎo)體的硅材料相比,,氮化鎵的帶隙更寬且導(dǎo)熱好,能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感,,所以氮化鎵充電器有體積小,、效率高、更安全等優(yōu)勢,。近來的旗艦手機(jī)平板為了實(shí)現(xiàn)更快的充電速度,充電器功率都比較大,,40W50W充電器非常普遍,。

  氮化鎵擁有更寬的帶隙,寬帶隙也意味著,氮化鎵能比硅承受更高的電壓,,擁有更好的導(dǎo)電能力,,相同體積下,采用氮化鎵技術(shù)的充電器比普通充電器輸出效率更高,。改用氮化鎵技術(shù)后,,充電器的元器件可以更小,充電器體積大幅縮??;同時氮化鎵充電器也能保持高效和低溫的工作狀態(tài),安全性更好,。

  在工業(yè)用電領(lǐng)域,,相比硅基、CoolMOS和碳化硅,,氮化鎵器件能實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的性價比,,并滿足高端電源對應(yīng)用環(huán)境和產(chǎn)品規(guī)格的需求;工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設(shè)備來外延生長,。

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 ?。?)650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V

  (2)非常低的QRR

 ?。?)減少交叉損失

 ?。?)符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和無鹵素要求的包裝

  貼片封裝采用銅夾片封裝技術(shù)來代替內(nèi)部的封裝引線;可以減少寄生損耗,,優(yōu)化電氣和熱性能,,并提高可靠性;封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置,,使其更通用,,并有助于進(jìn)一步改善散熱。

  除了C端消費(fèi)電子,,氮化鎵在5G領(lǐng)域的應(yīng)用也有很大潛力,,5G時代需要很多的微基站和中間設(shè)備,這些設(shè)備也需要更高效的供電能力,,而氮化鎵充電器體積小效率高的優(yōu)勢會很明顯,。



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