隨著各大芯片巨頭相繼公布三季報(bào)，近日美國(guó)芯片巨頭高通（Qualcomm）發(fā)布了第四財(cái)季業(yè)績(jī)報(bào)告,，第四季度經(jīng)調(diào)整營(yíng)收113．9億美元,，同比增長(zhǎng)22％,，預(yù)期113．7億美元，根據(jù)財(cái)報(bào)顯示調(diào)整后符合預(yù)期,，但對(duì)于下一財(cái)季的業(yè)績(jī),，高通還發(fā)布了低于預(yù)期第一財(cái)季展望。

由于消費(fèi)電子需求的萎縮,，引發(fā)上游的半導(dǎo)體需求也在不斷下滑,，多家大廠發(fā)出預(yù)警并做出減產(chǎn)、縮減資本支出的應(yīng)對(duì)策略,。

雖說(shuō)現(xiàn)在“寒氣”籠罩諸多芯片大廠,，可半導(dǎo)體芯片業(yè)界也迎來(lái)一些好消息。

美光新型DRAM芯片問(wèn)世

本周二11月1日,，美國(guó)內(nèi)存芯片制造商美光科技公司表示,，已開始向部分智能手機(jī)制造商提供最新的DRAM芯片樣品，以供測(cè)試,。

美光在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存上采用新一代尖端的制造技術(shù)1β（1－beta）,，使其最高速率可達(dá)到每秒8．5Gb。據(jù)了解,，1β工藝節(jié)點(diǎn)在性能,、位密度和電源效率方面提供了顯著的收益，而且還能降低DRAM成本,，將帶來(lái)廣泛的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。除了移動(dòng)設(shè)備外,，1β工藝節(jié)點(diǎn)還將提供低延遲,、低功耗、高性能的DRAM,，從智能車輛到數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用場(chǎng)景中都會(huì)受益,。

美光 DRAM 制程集成副總裁 Thy Tran 在媒體采訪時(shí)表示，1 β 節(jié)點(diǎn) DRAM 的量產(chǎn)已全面準(zhǔn)備就緒,，將會(huì)率先在日本工廠量產(chǎn),，之后也會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣量產(chǎn)。從 2023 年開始,，其他產(chǎn)品類別會(huì)陸續(xù)上線改用 1 β 工藝,，目前正在緊鑼密鼓準(zhǔn)備之中。

在過(guò)去數(shù)年里,，美光積極推進(jìn)其制造和研發(fā)技術(shù),。去年美光開始使用1α（1－alpha）工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)DRAM芯片，加上今年量產(chǎn)全球首款232層的3D TLC NAND閃存,，讓其歷史上首次確立了在DRAM和NAND領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,。

美光聲稱,，相比上一代工藝，1β芯片的能效比1α提高了15％,，且內(nèi)存密度提升了35％,，單顆裸片容量高達(dá) 16Gb。能效的提升意味著芯片可以為更強(qiáng)大的處理器騰出容量,，從而延長(zhǎng)電池使用壽命,。內(nèi)存密度的提升則意味客戶可以將更多的數(shù)據(jù)放到更為緊湊的空間中，為進(jìn)一步的性能提升釋放空間,。

值得注意的是,，Thy Tran 還指出1 β 工藝沒(méi)有使用 EUV 極紫外光刻技術(shù)。1β技術(shù)是通過(guò)美光獨(dú)有的多重曝光光刻技術(shù)結(jié)合領(lǐng)先工藝和先進(jìn)材料實(shí)現(xiàn)的,，在更小的尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量,，從而降低單位數(shù)據(jù)成本，是內(nèi)存創(chuàng)新的又一次飛躍,。

隨著芯片尺寸的縮小,，較小的 DRAM 單元會(huì)產(chǎn)生更密集的內(nèi)存裸片，DRAM的擴(kuò)展性也會(huì)因此而受限,。目前各大芯片公司使用EUV光刻技術(shù)來(lái)克服難關(guān),，美光另辟蹊徑，以最高精度在微小面積上形成圖案,，再一次確立了其全球領(lǐng)先的技術(shù)地位,，但該技術(shù)仍處于發(fā)展初期。

1βGRAM制程技術(shù)帶來(lái)了前多未有的內(nèi)存密度,，為新一代數(shù)據(jù)密集型,、智能化和低功耗的技術(shù)革命奠定了基礎(chǔ)。

華為公布超導(dǎo)量子芯片專利

根據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,，11月1日華為技術(shù)有限公司“超導(dǎo)量子芯片”專利公布,，公布號(hào)為CN115271077A。

根據(jù)企查查專利摘要顯示,，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種超導(dǎo)量子芯片,，包括耦合器和控制器。其中,，耦合器用于耦合第一超導(dǎo)比特電路和第二超導(dǎo)比特電路,，耦合器的頻率響應(yīng)曲線包括至少一個(gè)相位反轉(zhuǎn)點(diǎn)，相位反轉(zhuǎn)點(diǎn)包括頻率響應(yīng)曲線的諧振點(diǎn)或極點(diǎn),。

控制器用于調(diào)整耦合器的頻率響應(yīng)曲線,，使得第一和第二超導(dǎo)比特電路的比特頻率之間包含奇數(shù)個(gè)相位反轉(zhuǎn)點(diǎn)，并進(jìn)一步調(diào)整相位反轉(zhuǎn)點(diǎn)的頻率，使得第一和第二超導(dǎo)比特電路的交叉共振效應(yīng)的等效相互作用為零,。

該發(fā)明專利技術(shù),，可以降低了量子比特之間的串?dāng)_，使得串?dāng)_誤差顯著低于量子糾錯(cuò)所要求的閾值,。

據(jù)筆者了解,，華為2017年便已開始投入對(duì)量子芯片技術(shù)的研發(fā)，截至目前,，華為已經(jīng)公開多項(xiàng)相關(guān)專利,，包括“一種超導(dǎo)芯片中量子比特的控制方法及其相關(guān)設(shè)備”、“超導(dǎo)量子計(jì)算系統(tǒng)和量子比特操控方法”,、“一種量子芯片和量子計(jì)算機(jī)”等量子相關(guān)專利,。

IDC報(bào)告顯示，全球量子計(jì)算市場(chǎng)將從2020年的4．12億美元增長(zhǎng)到2027年的86億美元,，6年復(fù)合年增長(zhǎng)率超過(guò)50％,。量子芯片可以說(shuō)是目前非常熱門的一項(xiàng)技術(shù)。

目前量子計(jì)算已經(jīng)成為各國(guó)發(fā)展科技實(shí)力的重要切入點(diǎn),，更是掌握量子技術(shù)的關(guān)鍵應(yīng)用,。而且世界各國(guó)都在進(jìn)一步布局，這也引發(fā)了量子二次革命趨勢(shì),?！傲孔有酒奔夹g(shù)，是攻克量子領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù),、掌握關(guān)鍵應(yīng)用的一個(gè)很好的研究方向,。

新型芯片能打破摩爾定律極限嗎？

兩項(xiàng)新技術(shù)或許能為如今的芯片寒潮帶來(lái)一絲熱度,。但也引發(fā)了新的疑問(wèn)：新型芯片能打破摩爾定律極限嗎,？

眾所周知，高端芯片制造成本大,，單單是采購(gòu)一臺(tái)EUV光刻機(jī)設(shè)備就需花費(fèi)1．2億美元。另一方面,，高端芯片越往下越難,，持續(xù)下探會(huì)面臨功耗壓不住的情況，成本與使用效益未必能成正比,。

據(jù)了解,，華為已在光量子芯片進(jìn)行布局，使用光量子芯片或不用光刻機(jī)也能量產(chǎn),。而今,，美光繞開繞過(guò)EUV光刻機(jī)，使得能效和內(nèi)存密度大幅提升，或許經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累沉淀有望打破摩爾定律極限這個(gè)可能,。

目前,，硅基芯片產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展了幾十年，各種創(chuàng)造出來(lái)的半導(dǎo)體設(shè)備,，材料都是基于硅基芯片發(fā)展的,，所以要想將新型芯片推動(dòng)成龐大的產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)，還得厚積薄發(fā),。

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