IC 參考在電路設(shè)計人員中很受歡迎,，因為它們準確且漂移低,。我未來的一些專欄將涵蓋三種類型的 IC 參考：掩埋齊納二極管、帶隙和 XFET,。我們使用齊納二極管開發(fā)參考設(shè)計程序,；齊納二極管的簡單說明了設(shè)計過程，它的問題讓我們欣賞 IC 參考,。電路規(guī)格為V CC =30V±10%, 8.445,，參考電壓9.555, ΔV REF200 毫伏，100 千歐負載_200 kΩ 和 0°CTA _80℃,。

　　穩(wěn)壓二極管,，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管,。利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài),，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。 此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件,。在這臨界擊穿點上,，反向電阻降低到一個很小的數(shù)值，在這個低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,，因為這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準元件使用,。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。

　　首次嘗試選擇 1N757 9.1V 齊納二極管,。請注意,，最大溫度系數(shù)為 6 mV/°C，齊納電壓容差為 ±5%,。計算出的參考電壓等于最大規(guī)格,，V REF =（1.05）（9.1）=9.555V，但溫度引起的漂移為 ΔV REF =（80–25）（6 mV）=0.330V,，因此超過了最大-漂移電壓規(guī)格,。

　　將信號二極管與 1N756 8.2V 齊納二極管串聯(lián)，使二極管的負溫度系數(shù)抵消齊納二極管的部分正溫度系數(shù),。二極管的溫度系數(shù)范圍為 –2.1 至 –2.3 mV/°C,，而 8.2V 齊納二極管的溫度系數(shù)為 5.4 mV/°C，因此該組合的最大溫度系數(shù)為 3.3 mV/°C,。這種情況下產(chǎn)生的 ΔV REF =181.5 mV 符合規(guī)范,，但最小參考電壓 V REF =（0.95）（8.2）+0.5=8.29V 小于規(guī)定的 8.445V 限制。

　　該分析是不完整的,，因為額外的齊納特性,，例如齊納阻抗和偏置電流，會影響 ΔV REF?，F(xiàn)在是時候放棄純齊納二極管并使用溫度補償齊納二極管了,。1N935的齊納電壓為9.075V;5% 的容差；溫度系數(shù)為 2 mV/°C;I Z =7.5 mA時的齊納阻抗為 20Ω ,，其中 I Z 是齊納測試電流,。參考電壓范圍為 8.62

　　參考電壓9.53?？焖儆嬎銣囟认禂?shù)誤差會產(chǎn)生 ΔV REF1 =110 mV 的最大電壓變化,。到目前為止，一切都很好,，但我們需要做進一步的計算才能獲得完整的畫面,。

　　計算R BIAS 為R BIAS =（V CC –V REF ）/I Z =（30–9）/7.5=2885Ω,；選擇 R BIAS =2800Ω±2%。由于電源和電阻容差,，I Z的變化 范圍為 [（30）（0.9）–9.53–0.11]/2.8（1.02）=6.07 mA為 [（30）（1.1）–8.62–0.05]/2.8（0.98）=8.86 mA,。負載電阻變化會導(dǎo)致 I Z發(fā)生大約 90 μA 的變化，這是微不足道的,。溫度補償齊納電流的這種變化對應(yīng)于大約 ±5Ω 的齊納阻抗變化,，但ΔVREF 變化僅約±37.5 mV。我們還應(yīng)該考慮齊納電壓變化：由于 I Z 偏移,，當(dāng) V REF 變化 ±50 mV 時,，齊納工作點會發(fā)生變化。此外,，請記住,，直流電壓包含的最大寬帶半導(dǎo)體噪聲為 20 μV。

　　最終的參考電壓變化為 110+37.5+50=197.5 mV,。有人說這種分析不是最嚴格的,，他們是對的，但它讓我們了解使用齊納參考所涉及的內(nèi)容,。如果 V CC 低至 12V,，齊納二極管將無法滿足規(guī)格。負載電阻變化不會影響設(shè)計計算,，因為 R LOAD 很大,。較小的 2kΩ 負載電阻和 1kΩ 的變化會導(dǎo)致 I Z發(fā)生很大變化，因此需要使用齊納二極管緩沖器,。如果齊納二極管是 IC 的一部分,，那么我們可以使用激光微調(diào) R BIAS ，并且添加緩沖器是微不足道的,。這種掩埋齊納電壓參考方法似乎是構(gòu)建電壓參考的更好方法,。

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