在臺積電和三星的3nm工藝量產(chǎn)云里霧里的時(shí)候，Intel宣布它的Intel 4工藝也將在今年下半年量產(chǎn)，如此一來臺積電和三星的3nm工藝領(lǐng)先優(yōu)勢可能成為泡影,。

近幾年來臺積電和三星幾乎保持著1－2年升級一代芯片制造工藝的腳步，到如今它們投產(chǎn)的最先進(jìn)工藝已是5nm,，而Intel則在去年底才投產(chǎn)10nm,；臺積電和三星在今年下半年量產(chǎn)3nm，而Intel則在今年下半年量產(chǎn)7nm,。

從納米工藝的數(shù)字來看,，Intel無疑已遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于臺積電和三星，不過這僅僅是它們在命名方面的差異,，然而在芯片制造工藝的實(shí)際性能方面,，其實(shí)差距并沒有如名字那么大，Intel甚至還稍微領(lǐng)先于三星,。

對于芯片制造工藝的性能,，去年臺媒digitimes曾根據(jù)晶體管密度給出了不同的評論，對Intel,、臺積電,、三星三家芯片制造廠的工藝做了比較，根據(jù)晶體管密度,，Intel的10nm工藝達(dá)到1．06億個(gè)晶體管每平方毫米,，而臺積電、三星的7nm工藝才分別為0．97,、0．95億個(gè)晶體管每平方毫米,。

并且越到后面的先進(jìn)工藝，三者的差距就越大,，digitimes認(rèn)為Intel的7nm工藝與臺積電的5nm工藝相當(dāng),，而三星的5nm工藝則比臺積電落后四分之一，預(yù)計(jì)三星的3nm工藝晶體管密度才能達(dá)到臺積電5nm工藝和Intel 7nm工藝水平,。

Intel在芯片制造工藝命名上吃了虧,，因此Intel新任CEO基辛格上任后也開始依照臺積電和三星的命名規(guī)矩，對它的芯片制造工藝改名,，10nm工藝被改名為Intel 7工藝,，7nm工藝則被改名為Intel 4工藝。

目前Intel,、臺積電,、三星等在芯片制造工藝上展開了激烈的競賽，Intel預(yù)計(jì)在今年下半年量產(chǎn)Intel 4工藝后只比臺積電稍微落后,，卻比三星領(lǐng)先,，正力爭提前量產(chǎn)Intel 20和Intel 18A工藝,，力求在2025年量產(chǎn)Intel 18A工藝反超臺積電。

臺積電也不甘示弱,，臺積電加速了它的2nm工藝進(jìn)程,，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)2nm，比原計(jì)劃提前一年,；當(dāng)下的3nm工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)立即轉(zhuǎn)入研發(fā)1．4nm工藝,，力爭在2025年量產(chǎn)，以保持對Intel的領(lǐng)先優(yōu)勢,。

但是Intel背后有美國的支持,，為了支持Intel加速先進(jìn)工藝研發(fā)，目前美國計(jì)劃將520億美元的芯片補(bǔ)貼優(yōu)先給包括Intel在內(nèi)的美國企業(yè),，臺積電和三星順應(yīng)美國要求后在美國設(shè)廠卻可能無法得到這筆補(bǔ)貼,；同時(shí)ASML也在美國的要求下擴(kuò)大它在美國的工廠，并優(yōu)先將第二代EUV光刻機(jī)交給Intel,。

在諸多因素影響下,，孤軍奮戰(zhàn)的臺積電還能否加速2nm、1．4nm工藝研發(fā)就存在疑問,，面對種種困難,，臺積電如今已悄悄降低了對美國芯片的依賴度，今年一季度中國大陸芯片貢獻(xiàn)的營收占比達(dá)到了11％,，較去年的6％大幅提升,，似乎臺積電認(rèn)識到了中國大陸芯片的重要性，希望依靠中國大陸芯片制衡美國芯片,。