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納微半導體成立全球首家針對電動汽車的氮化鎵功率芯片設計中心

下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快,,駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到,,并減少20%道路二氧化碳排放
2022-01-14
來源: 納微半導體

2022年1月14日,,北京—— 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領導者 Navitas Semiconductor(納斯達克代碼:NVTS)宣布開設新的電動汽車 (EV) 設計中心,,進一步擴展到更高功率的氮化鎵市場。與傳統(tǒng)的硅解決方案相比,,基于氮化鎵的車載充電器 (OBC) 的充電速度估計快 3 倍,,節(jié)能高達 70%。據(jù)估計,,氮化鎵OBC,、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器將有望延長電動汽車續(xù)航里程,或?qū)㈦姵爻杀窘档?5%,,和原先使用硅芯片相比,,氮化鎵功率芯片有望加速全球 EV 的普及提前三年來到。據(jù)估計,到 2050 年,,將電動汽車升級到使用GaN之后,,道路部門的二氧化碳排放量每年有望減少 20%,這也是《巴黎協(xié)定》的減排目標,。

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氮化鎵 (GaN) 器件是功率半導體技術的前沿,,其運行速度比傳統(tǒng)硅芯片快 20 倍。 Navitas 的 GaNFast? 功率芯片集成了 GaN 電源,、GaN 驅(qū)動,、保護和控制,。高速和高效率已成為節(jié)能,、高功率密度、低成本和更高可靠性的新行業(yè)標準,。

新的設計中心位于中國上海,,擁有一支經(jīng)驗豐富的世界級電力系統(tǒng)設計師團隊,他們在電氣,、熱力和機械設計,、軟件開發(fā)以及完整的仿真和原型設計能力方面具有全面的能力。新團隊將在全球范圍內(nèi)為電動汽車客戶提供支持,,從概念到原型,,再到全面認證和大規(guī)模生產(chǎn)。

著名電動汽車行業(yè)專家,、上海設計中心新任高級總監(jiān)孫浩先生表示:“設計中心將為全功能,、可產(chǎn)品化的電動汽車動力系統(tǒng)開發(fā)原理圖、布局和固件,。 Navitas 將與 OBC,、DC-DC 和牽引系統(tǒng)公司合作,創(chuàng)建具有最高功率密度和最高效率的創(chuàng)新世界級解決方案,,以推動 GaN 進入主流電動汽車,。”

為 EV 應用量身定制的高功率 650V GaN IC 已于2021年 12 月向 EV 客戶提供樣品,。在最近的小米產(chǎn)投日活動上,,納微展示了 6.6kW OBC 概念模型,后在CES 上也進行了展示,。

納微半導體電動汽車團隊在提供動力系統(tǒng)方面擁有豐富的人才和成熟的經(jīng)驗,,”納微半導體副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理查瑩杰表示。 “對于 GaN 來說,,電動汽車是一個令人興奮的擴展市場,,估計每輛 EV 內(nèi),氮化鎵的潛在價值為 250 美元。逐個市場來看,,Navitas 正在快速推進到更高功率的應用,,例如電動汽車、數(shù)據(jù)中心和太陽能,。

制造氮化鎵功率芯片的二氧化碳排放量比硅芯片低 10 倍,。考慮到效率以及材料尺寸和重量優(yōu)勢,,每個出貨的納微氮化鎵功率芯片相比硅可以節(jié)省大約 4 公斤的二氧化碳,。總體而言,,到 2050 年GaN 有望解決每年 2.6 Gton 的二氧化碳排放量減少問題,。

 



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