《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 其他 > 業(yè)界動態(tài) > 半導(dǎo)體2022年投資展望

半導(dǎo)體2022年投資展望

2022-01-11
來源: 赤焰永明
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 2022

  2021年是半導(dǎo)體的大年,缺芯和國產(chǎn)替代,,為國內(nèi)半導(dǎo)體公司打入手機,、家電、汽車,、光伏等供應(yīng)鏈創(chuàng)造了巨大的機遇,。同時國內(nèi)半導(dǎo)體公司也非常爭氣,產(chǎn)品線不斷突破,,PMIC,、SOC、MCU、IGBT,、ADC,、IPM等都有長足的進(jìn)步,抓住了難得的彎道超車機會,,市場份額提高,,銷售爆發(fā)。

  2021年回顧

  2021年的上下半年有著明顯的差異,,2021H1在芯片供給不足的刺激下,,消費電子、家電,、汽車和光伏等行業(yè)紛紛搶囤芯片,,而且出現(xiàn)過度訂貨的現(xiàn)象,例如某企業(yè)原先只需要準(zhǔn)備1-2個月的芯片庫存,,但害怕?lián)尣坏叫酒?,愣是下了半年的訂單。結(jié)果就是2021年上半年的芯片全面缺貨和漲價,,A股芯片公司的業(yè)績都很好,,從設(shè)計、代工,、封測,,到IDM、半導(dǎo)體設(shè)備,、半導(dǎo)體材料,,2021年的Q1和Q2業(yè)績均爆發(fā)式增長,股價普遍上漲,。但這種普漲,,讓市場忽視了產(chǎn)品的差異性,不是所有芯片都能持續(xù)放量的,,關(guān)鍵要看下游需求的持續(xù)性如何,?

  到了2021H2,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始分化,,手機,、家電、掃地機器人的需求仍然疲軟,,SoC芯片,、Dram等數(shù)字芯片開始呈現(xiàn)乏力跡象,相關(guān)的A股公司季度業(yè)績環(huán)比增速變得低增長,、不增長或者下降,,股價開始回落,。而下游需求非常強勁的IGBT、PMIC等功率半導(dǎo)體仍然供不應(yīng)求,,相關(guān)公司的業(yè)績繼續(xù)高增長,,因此斯達(dá)半導(dǎo)、時代電氣,、揚杰科技,、士蘭微等公司股價在2021年的10-11月出現(xiàn)了第2波上漲。

  總體而言,,2021年是半導(dǎo)體價格普漲的年份,,其實分不清什么是alpha,什么是beta,?2022年將大家將清晰看到地哪些公司實現(xiàn)了產(chǎn)品和技術(shù)領(lǐng)域的突破,?哪些只是漲價帶來的雞犬升天?因此,,今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度肯定會走向分化,,當(dāng)市場看到景氣度下行的時候依然有公司呈現(xiàn)高速增長,市場就會甄別出真正的alpha,,相應(yīng)的公司股價也會有非常好的表現(xiàn),,關(guān)鍵是怎么甄別這種公司,而非投資一個純粹beta的公司,。對于數(shù)字芯片or邏輯芯片,,下游需求無論手機、筆記本,、電視等消費電子都非常低迷,,臺積電過去投資主要集中在先進(jìn)制程,因此先進(jìn)制程(存儲,、邏輯,、Soc等)芯片在2022年會出現(xiàn)過剩的狀態(tài),大概從2021H2就已經(jīng)能看到,。

  2022年展望

  我一直都說,股票是研究未來和變化的學(xué)問,,預(yù)期總是走在兌現(xiàn)之前,。例如封測的長電,2020年初就漲到800億,,而站在當(dāng)時,,只能看到2019年1億利潤,就算展望2020年,,也不過10億利潤,,說明800億市值是反應(yīng)2021年20億利潤,而真到2021年做到>20億利潤,長電市值已經(jīng)奔500億去了,,同樣的例子還有兆易和HRW,,不展開。

  2021年半導(dǎo)體公司股價大漲有著極強的基本面支撐,,業(yè)績都是大幅爆發(fā),,持續(xù)性的強弱又跟環(huán)比變化有關(guān),但股價已經(jīng)包含了2022年較高的預(yù)期,。因此,,今年半導(dǎo)體公司股價能否繼續(xù)爆發(fā),需要從兩方面考慮:1)業(yè)績能否繼續(xù)超預(yù)期,;2)產(chǎn)品線能否突破,,產(chǎn)品線突破就意味著增加賽道,貢獻(xiàn)增量,。

  功率半導(dǎo)體需求受到新能源車,、光伏、風(fēng)電的影響,,而出現(xiàn)超預(yù)期增長,,預(yù)計22年產(chǎn)能供給釋放非常有限,22Q1產(chǎn)能相對21Q4環(huán)比沒有太大增長,,全年產(chǎn)能釋放都會非常有限,,因此產(chǎn)能緊缺周期會比想象的更長。不過就算功率半導(dǎo)體,,需求也出現(xiàn)分化,,低壓和平面Mos開始降價,SGT和高壓Mos繼續(xù)強勢,,碳化硅和IGBT就更不用說,,均在新能源車、光伏,、儲能,、風(fēng)電等“碳中和”領(lǐng)域有著大量的應(yīng)用。

  邏輯于此,,展望未來,,重點得看產(chǎn)品能否取得突破性發(fā)展?或者產(chǎn)品能否持續(xù)高增長,?基于這兩點,,繼續(xù)看好功率半導(dǎo)體,特別是SiC和IGBT方向,。

  碳化硅,,滲透率加速提高

  SiC的核心需求還是新能源汽車,,2021年前11個月,中國新能源汽車的銷量達(dá)到251萬輛,,全年預(yù)計340萬輛,,2022年有望超過500萬輛。伴隨著新能源汽車滲透率的提高,,充電的便捷性問題就成為越來越多廠商宣傳的賣點,。續(xù)航能力和充電時長是影響電動車普及程度的重要因素,使用碳化硅能夠很好地解決電動車充電的焦慮,。小鵬汽車公布首個量產(chǎn)的800V高壓SiC平臺,,充電峰值電流超過600A,采用高能量密度,、高充電倍率電池,,充電5分鐘最高可補充續(xù)航200公里。國內(nèi)電動車廠商如吉利極氪,、廣汽埃安,、比亞迪e平臺、理想汽車,、北汽極狐,、嵐圖等也已經(jīng)布局800V快充技術(shù)。

  展望接下來的趨勢變化,,將來碳化硅在快充中的推廣應(yīng)用會比電驅(qū)快,,核心的制約因素是成本和產(chǎn)能。如果在電驅(qū)使用碳化硅,,中高端車型中使用硅基IGBT的總體成本約為3000元左右,,碳化硅器件成本約為硅基IGBT的3倍,在相同性能的產(chǎn)品中,,碳化硅器件可使汽車?yán)m(xù)航能力提升4-5%,,性價比非常明顯,花3倍的價錢只提高5%的性能,,并不劃算,。而SiC快充是核心焦慮,如果快充越來越強大,,為什么還要花大價錢提高續(xù)航里程呢,?這本身就非常茅盾,而且電池還非常重,。

  SiC供給難點很多。SiC長晶的生長極為緩慢,,每小時僅生長0.2-0.3mm,,200多種晶型僅一種可用(SiC-4H),,且晶棒切割難度大,因此碳化硅襯底從樣品到穩(wěn)定批量供貨大約需要5年,;另一方面,,作為碳化硅器件性能及可靠性的關(guān)鍵,高壓器件用,、低缺陷密度且均勻摻雜的碳化硅外延工藝難度大,;疊加離子注入、柵氧可靠性及客戶驗證等器件端挑戰(zhàn),,碳化硅市場進(jìn)入壁壘高,,技術(shù)挑戰(zhàn)大。目前,,全球碳化硅襯底產(chǎn)能折合4寸約60萬片,,再除去供應(yīng)射頻行業(yè)的半絕緣型襯底15-20萬片,能供應(yīng)功率半導(dǎo)體的4寸SiC襯底只有40-45萬片,。供應(yīng)Tesla這一家公司都嫌不夠,,Tesla的電驅(qū)和OBC都用SiC,4寸碳化硅只夠2輛車,,這都還沒考慮襯底-外延-晶圓-器件等每個環(huán)節(jié)良率的損耗,。

  SiC需求爆發(fā)會比想象中更多。先不說電驅(qū)和光伏對SiC的應(yīng)用,,就單說快充OBC對SiC的需求,,就會大超想象。從下圖看到,,電動車快充需要用到10個碳化硅Mos和10個碳化硅SBD,,20個芯片,每個芯片(Die Size)面積約35平方毫米,,6寸的碳化硅襯底最多只能切:17663/35-471/8.2=450個芯片,,考慮襯底-外延-晶圓-器件等每個環(huán)節(jié)的良率,綜合良率80%,,大致能夠制造360個合格SiC芯片,,相當(dāng)于滿足18輛車的快充。假定2025年全球的電動車銷量達(dá)到2000萬輛,,到時90%都用快充,,對6寸SiC襯底的需求將達(dá)100萬片。如果考慮電驅(qū)和光伏,,即使只用20%,,需求還將增加1倍。

  由于SiC襯底制造難度大,、良率低,,擴(kuò)產(chǎn)難度高,,2025年都很難滿足需求,更不用談SiC全面替代IGBT,。

  相關(guān)供應(yīng)鏈:國外就不說了,,就簡單提下國內(nèi)公司。三安和華大半導(dǎo)體做全產(chǎn)業(yè)鏈,,襯底主要是山東天岳,,外延是東莞天域和廈門的瀚天天成,芯片是中電55所,。封裝比較多,,斯達(dá)用科銳的芯片給小鵬G9供800V方案,士蘭微也在發(fā)力,。

  IGBT,,仍是電驅(qū)的主力

  前面已經(jīng)講到,現(xiàn)階段SiC受制于晶體生長速度,,擴(kuò)產(chǎn)緩慢,,襯底制造的良率還不高,相同性能的價格是IGBT的3倍,,經(jīng)濟(jì)性不好,;只有OBC快充恰好解決電動車?yán)锍探箲]的問題,因此迫切性很高,,而且SiC快充解決了里程焦慮,,為什么還要用更貴的SiC去提高續(xù)航里程呢?未來10年,,SiC的成本很難降下來,,各種理想化的情況成本也是硅基的1.5倍,SiC不可能徹底替代IGBT或者M(jìn)OS,,就像IGBT也沒有徹底替代Mos,。所以,SiC和IGBT還會共存很長時間,,IGBT仍會是電驅(qū)里的主力芯片,,在光伏逆變器的地位也會差不多。

  IGBT供應(yīng)缺口,。從產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研反饋看,,主要廠商的IGBT供應(yīng)只能滿足7-8成,今年電動車仍將快速增長,,所以缺口很難縮小,,最快也要到2023年下半年。

  相關(guān)公司:IDM有士蘭微和、華潤微和中車時代,;Fabless有斯達(dá),、新潔能等。

  半導(dǎo)體的下跌與偏離

  我經(jīng)常說:“市場在短期會失效,,長期卻是有效的,會糾偏,?!崩斫馐袌霾拍茏プ《唐谄畹臋C會,但這對投資者的素質(zhì)和能力要求極高,,所以大部分人會選擇隨大勢,。半導(dǎo)體現(xiàn)在處于預(yù)期非常混亂的時期,,前面提到今年需要抓半導(dǎo)體的alpha,,必須找到今年業(yè)績還能持續(xù)高增長的公司。然而這一點,,知易行難,,此時誰敢拍著胸脯說某公司今年業(yè)績一定能高增長呢?高估值必須有高增長預(yù)期,,兩者需要匹配,,記住,是高增長預(yù)期,,過去的高增長只是過去,。

  半導(dǎo)體經(jīng)過去年的高增長,今年許多公司的增速會放下來,,從100%,,200%增長,下降到50%甚至30%,、20%,,市場基于線性思維,就會預(yù)期接下來的增速繼續(xù)放緩,,從而降低估值,。站在當(dāng)前50倍PE、100倍PE的背景下,,胸有成竹地認(rèn)定公司業(yè)績還能繼續(xù)爆發(fā),,甚至超預(yù)期,比較難,!除非研究非常深入,,只有極少數(shù)人能做到。股價在上漲趨勢和下跌趨勢,,往往反映多數(shù)人的預(yù)期,,高點減倉和低位抄底往往是研究深入者的機會,。

  半導(dǎo)體現(xiàn)在就是這種情況,許多公司的業(yè)績增速在2022年會下降,,市場先整體殺估值,,或許少數(shù)公司今年還會有alpha,但大家看不清,,不敢完全相信,,只能看圖先回避。等業(yè)績,、訂單重新確認(rèn)某公司仍有alpha的時候,,再重新買回來。

  我認(rèn)為,,現(xiàn)在半導(dǎo)體的股價下跌已經(jīng)在price in業(yè)績增速的下降,,是否會過度反應(yīng)卻很難判斷?展望今年,,產(chǎn)品突破和維持高增長的方向不多,,SiC和IGBT都有巨大的潛力,產(chǎn)品供不應(yīng)求,,經(jīng)歷波折,,今年仍會走出alpha。

 

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected],。