本周,，臺(tái)積電 （TSMC） 市值再次超過(guò)騰訊,，成為亞洲市值最高的公司,。

　　根據(jù) Refinitiv Eikon 截至8月18日上午的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電在亞洲公司中以超過(guò) 5380 億美元的市值位居榜首,。騰訊以超過(guò) 5360 億美元的市值位居第二。

　　就在本月初的8月3日，臺(tái)積電市值達(dá)到5520億美元,，歷史性地超過(guò)了騰訊，成為亞洲市值最高的公司,。不過(guò),，在那之后，騰訊的市值反彈,，然后又回落,，直到本周，臺(tái)積電再一次超越了騰訊,。

　　能夠取得如此亮眼的成績(jī),，首要原因當(dāng)然是臺(tái)積電超強(qiáng)的晶圓代工技術(shù)實(shí)力及其市場(chǎng)占有率。此外,，最近中國(guó)政府一系列反壟斷措施,，對(duì)中國(guó)大陸的騰訊等互聯(lián)網(wǎng)頭部企業(yè)影響較大，客觀上幫助了臺(tái)積電,。

　　另外,，由于疫情導(dǎo)致供應(yīng)鏈中斷以及汽車和數(shù)據(jù)中心等行業(yè)的需求激增，全球半導(dǎo)體短缺,，作為晶圓代工廠龍頭的臺(tái)積電受益于此,。

　　以上體現(xiàn)的是臺(tái)積電在亞洲市場(chǎng)的地位，而對(duì)于這家備受關(guān)注的半導(dǎo)體企業(yè)來(lái)講,，在過(guò)去一年多的時(shí)間內(nèi),，其在全球半導(dǎo)體業(yè)地位的確立，還有兩個(gè)重要的時(shí)間點(diǎn),。

　　第一個(gè)出現(xiàn)在2020年7月20日,，當(dāng)時(shí)，該公司市值達(dá)到3130億美元,，超過(guò)了三星的2610 億美元和英偉達(dá)的2570億美元,，成為全球最大的半導(dǎo)體公司。

　　第二個(gè)時(shí)間點(diǎn)出現(xiàn)在今年4月27日，臺(tái)積電的市值達(dá)到5580億美元,，是英特爾的（2390億美元）兩倍多,。

　　在過(guò)去的20年里，臺(tái)積電深耕技術(shù),，穩(wěn)扎穩(wěn)打,，在不斷贏得客戶的情況下，市值一直穩(wěn)步提升,。經(jīng)過(guò)多年的積累,，在最近5年結(jié)出了豐碩的果實(shí)，不但工藝技術(shù)和市占率領(lǐng)袖群倫,，其市值更是在近兩年內(nèi)如火箭般竄升,。

　　從上圖可以看出，進(jìn)入2020年以后,，臺(tái)積電的市值陡然上升,。那么，在過(guò)去的這一年多時(shí)間內(nèi),，該公司處在怎樣一個(gè)發(fā)展?fàn)顟B(tài)呢,？下面從制程工藝技術(shù)、市場(chǎng)影響力,、投資擴(kuò)產(chǎn),、營(yíng)收等各方面看一下。

　　先進(jìn)制程

　　先進(jìn)制程已成為臺(tái)積電的名片,，特別是7nm、5nm,、3nm和2nm,。

　　7nm方面，臺(tái)積電已經(jīng)在這個(gè)節(jié)點(diǎn)上獲得了超過(guò)200個(gè)NTO,，且大多投入量產(chǎn),。該公司已經(jīng)生產(chǎn)了超過(guò)10億顆7nm芯片。在7nm時(shí)代,，臺(tái)積電還率先推出了使用EUV技術(shù)的7nm+工藝,。在7nm基礎(chǔ)上，該公司推出了6nm工藝,，這個(gè)平臺(tái)的一個(gè)主要特點(diǎn)是與7nm工藝平臺(tái)兼容,，這樣，客戶很容易把7nm的設(shè)計(jì)移植到6nm,。

　　2020年,，臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)了5nm的量產(chǎn)，與7nm相比，新工藝的速度提升了15%,，功耗降低了30%,，而邏輯密度則是前者的1.8倍。在良率方面,，新工藝的進(jìn)展也非常順利,。與此同時(shí)，該公司還推出了增強(qiáng)版的N5P工藝制程,，晶體管的速度提升了5%,，功耗降低了10%，這將給HPC帶來(lái)新的機(jī)會(huì),。

　　此外,，臺(tái)積電還基于N5平臺(tái)推出了N4工藝，其速度,、功耗和密度都有了改善,。其最大的優(yōu)勢(shì)同樣是在于其與N5的兼容，使用5nm工藝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品能夠輕易地轉(zhuǎn)移到4nm的平臺(tái)上,。這也能保證臺(tái)積電客戶在每一代的投資,，都能獲得更好的效益。N4試產(chǎn)將在2021年第四季度,，而量產(chǎn)將會(huì)在2022年實(shí)現(xiàn),。

　　目前，臺(tái)積電正在為3nm制程工藝量產(chǎn)做著準(zhǔn)備,，在這代工藝上,，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)采用FinFET。與5nm相比,，臺(tái)積電3nm的速度將提升10%到15%,，功耗將提升25%到30%，邏輯密度將是前者的1.7倍,，SRAM密度也將能提升20%,，就連模擬密度也提升了10%。根據(jù)臺(tái)積電規(guī)劃,，3nm工藝將在2022年下半年進(jìn)行量產(chǎn),。

　　2019年，臺(tái)積電率先開始了2nm制程技術(shù)的研發(fā)工作,。相應(yīng)的技術(shù)開發(fā)的中心和芯片生產(chǎn)工廠主要設(shè)在臺(tái)灣地區(qū)的新竹,，同時(shí)還規(guī)劃了4個(gè)超大型晶圓廠，主要用于2nm及更先進(jìn)制程的研發(fā)和生產(chǎn),。

　　臺(tái)積電2019年成立了2nm專案研發(fā)團(tuán)隊(duì),，尋找可行路徑進(jìn)行開發(fā),。在考量成本、設(shè)備相容,、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件之后,，決定采用以環(huán)繞閘極（Gate-all-around，GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu),，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題,。MBCFET和FinFET有相同的理念，不同之處在于GAA的柵極對(duì)溝道的四面包裹,，源極和漏極不再和基底接觸,。

　　按照臺(tái)積電給出的2nm工藝指標(biāo)，Metal Track（金屬單元高度）和3nm一樣維持在5x,，同時(shí)Gate Pitch（晶體管柵極間距）縮小到30nm,，Metal Pitch（金屬間距）縮小到20nm，相比于3nm都小了23%,。

　　按照規(guī)劃,，臺(tái)積電有望在 2023 年中期進(jìn)入 2nm 工藝試生產(chǎn)階段，并于一年后開始批量生產(chǎn),。2020年9月,，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道，臺(tái)積電2nm工藝取得重大突破,，研發(fā)進(jìn)度超前,，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)良率就可以達(dá)到90%。

　　目前,，除了晶圓廠建設(shè),、臺(tái)積電2nm人才安排和培育方面的工作也正在有條不紊地進(jìn)行著，據(jù)報(bào)道,，該公司在過(guò)去幾個(gè)月提拔了4名員工,。這些舉措是為了讓這些員工有更多的精力投入到2nm制造工藝的研究和開發(fā)當(dāng)中。據(jù)悉,，Geoffrey Yeap現(xiàn)在是2nm制程平臺(tái)研發(fā)部的高級(jí)總監(jiān)。這個(gè)位置在此之前是不存在的,。當(dāng)該公司開始專注于2nm制程時(shí),，創(chuàng)造這個(gè)位置是很重要的。臺(tái)積電對(duì)管理人員的學(xué)術(shù)要求很高,。兩位新提拔的副總經(jīng)理都有博士學(xué)位,。

　　臺(tái)積電不僅在先進(jìn)制程方面處于霸主地位，在成熟和特殊制程領(lǐng)域同樣名列前茅,，可以提供MEMS,、圖像傳感器,、嵌入式NVM，RF,、模擬,、高電壓和BCD功率IC等制程工藝。臺(tái)積電在基本的邏輯技術(shù)基礎(chǔ)上,，會(huì)加上先進(jìn)的ULL&SRAM,、RF&Analog及eNVM技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低功耗以及模擬技術(shù)的提升,。

　　為了實(shí)現(xiàn)低功耗,，臺(tái)積電可提供0.18um eLL、90nm ULP,、55ULP等制程,，同時(shí)，該公司還推出了最新的FinFET技術(shù)-N12e,，可以打造高效高能的產(chǎn)品,。

　　臺(tái)積電在Sensor，Stacking和ASIC（ISP）方面都在延續(xù)自己的技術(shù),。Sensor方面從N65BSI 一直到N65BSI,，Stacking方面，則是從BSI到Advanced Pixel Level Stack,，ASIC（ISP）則是從N90LP到N65LP,。

　　市場(chǎng)影響力

　　今年第一季度以來(lái)，臺(tái)積電繼續(xù)在全球晶圓代工廠商中占據(jù)龍頭位置,，據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì),，臺(tái)積電第一季度營(yíng)收達(dá)到129.0億美元，同比增長(zhǎng)2%,，主要營(yíng)收貢獻(xiàn)來(lái)自7nm制程,，大客戶包括AMD、聯(lián)發(fā)科和高通,，這幾家的訂單量持增長(zhǎng),，使臺(tái)積電在該季度7nm工藝營(yíng)收同比增長(zhǎng)了23%。

　　在12英寸晶圓先進(jìn)制程產(chǎn)能方面,，臺(tái)積電一家獨(dú)大,，而近一年，對(duì)其產(chǎn)能需求增長(zhǎng)最快的非AMD莫屬了,，特別是7nm訂單,，由于AMD的ZEN 2 和即將推出的ZEN 3架構(gòu)CPU都是基于7nm制程的，而該公司在CPU市場(chǎng)的增長(zhǎng)勢(shì)頭非常猛,。另外,，AMD的GPU也由臺(tái)積電代工生產(chǎn),，且依然是以7nm制程為主。這些使得臺(tái)積電相關(guān)產(chǎn)能越發(fā)吃緊,。

　　來(lái)自供應(yīng)鏈的消息顯示,，由于聯(lián)發(fā)科無(wú)法繼續(xù)給華為供貨手機(jī)芯片，前者原本要在臺(tái)積電投片的7nm制程芯片已暫停,，這樣就釋放了約1.3萬(wàn)片的12英寸晶圓代工產(chǎn)能,，而這部分缺口很可能由AMD填補(bǔ)上。市場(chǎng)預(yù)期,，索尼和微軟的新一代游戲機(jī)會(huì)缺貨到2021年中旬,，這樣，AMD為這兩大客戶定制的CPU和GPU“錢”景樂(lè)觀,。

　　臺(tái)積電16nm和12nm制程則得益于聯(lián)發(fā)科5G射頻收發(fā)器和比特大陸礦機(jī)芯片需求強(qiáng)勁,，營(yíng)收同比增長(zhǎng)近10%。

　　不過(guò),，已量產(chǎn)的最先進(jìn)制程5nm,，因?yàn)槭艿阶畲罂蛻籼O果處于生產(chǎn)淡季的影響，營(yíng)收有所下滑,。

　　擴(kuò)產(chǎn)與投資

　　臺(tái)積電宣布2021年資本支出由之前預(yù)估的250-280億美元提升至300億美元,，其中逾8成用于先進(jìn)制程投資，而7nm,、5nm,、3nm、2nm這些制程產(chǎn)線都采用12英寸晶圓,。

　　不久前,，臺(tái)積電還宣布3年投資1000億美元擴(kuò)建晶圓廠，并確認(rèn)將投資28.87億美元擴(kuò)充南京廠28nm制程工藝產(chǎn)能,，每月增加4萬(wàn)片晶圓產(chǎn)量,，主要用于生產(chǎn)汽車芯片。

　　臺(tái)積電指出,，目前臺(tái)灣地區(qū)的晶圓廠已經(jīng)沒有潔塵室空間,，只有南京廠有現(xiàn)成空間可用，可以直接設(shè)置生產(chǎn)線,，有利于快速形成產(chǎn)能,。按照計(jì)劃，臺(tái)積電南京廠的28nm制程產(chǎn)能將于2022年下半年量產(chǎn),，2023年中達(dá)到4萬(wàn)片晶圓/月的滿載產(chǎn)能目標(biāo)。目前,，臺(tái)積電的南京工廠主要生產(chǎn)16nm芯片,，月產(chǎn)能約為2萬(wàn)片晶圓,。

　　臺(tái)積電要在5nm及更先進(jìn)制程保持領(lǐng)先，EUV光刻機(jī)是重要一環(huán),，近年來(lái),，該公司不斷購(gòu)入EUV設(shè)備，以維持先進(jìn)制程產(chǎn)能優(yōu)勢(shì),。臺(tái)積電于日前召開技術(shù)論壇,，指出其EUV設(shè)備累計(jì)裝機(jī)數(shù)量到2020年已占全球總數(shù)的50％，到2020年為止,，采用臺(tái)積電EUV技術(shù)生產(chǎn)的晶圓,，占全球EUV光刻晶圓數(shù)的65％。而隨著制程推進(jìn)至5nm,，每片晶圓采用EUV掩模層大幅拉升,，臺(tái)積電預(yù)估2021年EUV掩模產(chǎn)能將是2019年的20倍。

　　3nm方面,，將增加EUV的使用量,，效能將比5nm提升10-15%，功耗減少25-30%,，邏輯密度增加1.7倍,，SRAM密度提升1.2倍、模擬密度則提升1.1倍,。

　　隨著以上最先進(jìn)制程晶圓廠在未來(lái)1～3年內(nèi)逐步完成建設(shè)并投入量產(chǎn),，以及美國(guó)亞利桑那州12吋廠第一期在2024年后進(jìn)入量產(chǎn)，采用臺(tái)積電EUV技術(shù)的晶圓數(shù)將快速增長(zhǎng),，其在EUV設(shè)備上的投資將越來(lái)越大,。

　　最近的營(yíng)收表現(xiàn)

　　2021年第二季度，臺(tái)積電營(yíng)收 132.9 億美元,，季增 2.9%,，年增 28%，新臺(tái)幣營(yíng)收 3721.5 億元新臺(tái)幣,，季增 2.7%,，年增 19.8%，毛利率 50%,，季減 2.4 個(gè)百分點(diǎn),，年減 3 個(gè)百分點(diǎn)，稅后純益 1343.6 億元,，季減 3.8%,，年增 11.2%。

　　臺(tái)積電上半年?duì)I收 262.08 億美元,，新臺(tái)幣營(yíng)收 7345.55 億元,，年增 18.2%,，毛利率 51.2%，年減 1.2 個(gè)百分點(diǎn),，稅后純益 2740.49 億元新臺(tái)幣,，年增 15.2%。

　　可見,，最近一季,，臺(tái)積電的利潤(rùn)同比依然呈現(xiàn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，環(huán)比有所下降,，主要受淡旺季交替影響所致,。毛利率方面，臺(tái)積電一直都是業(yè)界最高的,，本季出現(xiàn)同比和環(huán)比下降,，并不影響其營(yíng)收和利潤(rùn)的優(yōu)秀表現(xiàn)。之所以有所下降,，與其成本壓力有很大關(guān)系,，因?yàn)樵摴驹?nm和3nm制程上投資巨大，而短期內(nèi)回報(bào)與投入難以呈現(xiàn)正比關(guān)系,；另外,，失去了華為海思這個(gè)一個(gè)最先進(jìn)制程的優(yōu)質(zhì)大客戶，對(duì)其在7nm和5nm方面的利潤(rùn)率肯定會(huì)有影響,；再者,，面對(duì)行業(yè)普遍的漲價(jià)態(tài)勢(shì)，臺(tái)積電對(duì)原有客戶合同的變化很小,，這在一定程度上也會(huì)對(duì)毛利率產(chǎn)生影響,。

　　展望下半年，臺(tái)積電預(yù)期8月及9月營(yíng)收有望逐月回升,，預(yù)期9月營(yíng)收將再創(chuàng)單月營(yíng)收歷史新高,，第三季營(yíng)收將達(dá)到業(yè)績(jī)展望上限，毛利率及營(yíng)業(yè)利益率也有望貼近財(cái)測(cè)高標(biāo),，而季度營(yíng)收及獲利將同步續(xù)創(chuàng)新高紀(jì)錄,。第四季因?yàn)樘O果新款A(yù)15及M2處理器放量出貨，5nm利用率達(dá)滿載,，營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)值得期待,。

　　下半年，臺(tái)積電進(jìn)入傳統(tǒng)旺季,，增長(zhǎng)動(dòng)能來(lái)自于5nm新訂單陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn),。其中，蘋果M1X及后續(xù)推出的M2等都將在下半年采用5nm量產(chǎn)，iPhone 13搭載的A15應(yīng)用處理器6月開始以臺(tái)積電加強(qiáng)版5nm量產(chǎn)投片,，下半年逐月拉高投片量到第四季,。

　　另外，臺(tái)積電下半年5G手機(jī)芯片接單強(qiáng)勁,，高通采用臺(tái)積電6nm量產(chǎn)新款5G手機(jī)芯片在第三季放量出貨，還有3款5G手機(jī)芯片將擴(kuò)大采用臺(tái)積電7nm或6nm制程投片,，明年初將推出的新一代Snapdragon 895+傳出會(huì)在第四季采用臺(tái)積電5nm量產(chǎn),，至于聯(lián)發(fā)科新一代天璣2000系列亦會(huì)在下半年導(dǎo)入5nm量產(chǎn)投片。

　　結(jié)語(yǔ)

　　在技術(shù),、影響力,、市場(chǎng)需求等多種因素的共同作用下，臺(tái)積電的營(yíng)收和市值節(jié)節(jié)攀升,，市場(chǎng)預(yù)期依然向上,。在未來(lái)一年內(nèi)，很可能會(huì)再次打破一項(xiàng)或多項(xiàng)記錄,。三星和英特爾追趕的腳步愈加沉重了,。