近日,，據(jù)天眼查顯示華為技術(shù)有限公司公開“半導(dǎo)體器件及相關(guān)模塊、電路,、制備方法”專利,，公開號CN113054010A，申請日期為2021年2月,。

專利摘要顯示,，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體器件及相關(guān)模塊,、電路,、制備方法，該器件包括：N型漂移層,、P型基極層,、N型發(fā)射極層、柵極,、場截止層和P型集電極層等,，其中，場截止層包括依次層疊于N型漂移層的表面的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū),，第一摻雜區(qū)的雜質(zhì)的粒子半徑小于第二摻雜區(qū)的雜質(zhì)的粒子半徑,，第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的摻雜濃度均高于N型漂移層的摻雜濃度。上述半導(dǎo)體器件,，可以有效降低IGBT的集電極與發(fā)射極之間的漏電流,。

據(jù)悉,，IGBT技術(shù)多用于功率半導(dǎo)體，對于華為而言,，在其汽車研發(fā)和光伏逆變器等產(chǎn)品上要用IGBT技術(shù),。有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，在功率器件中,，進(jìn)行多次外延,，在襯底的基礎(chǔ)上增加不同摻雜元素和不同厚度的外延層，用于改善極間漏電流,。