近年來,，以IGBT為主的功率半導體和以碳化硅、氮化鎵為主第三代半導體均受到市場的高度關注,。

　　其中,，IGBT,，被視為電力領域的“CPU”,，對新能源汽車、軌道交通,、智能電網,、節(jié)能環(huán)保等眾多國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)的發(fā)展，具有重要意義,。

　　而第三代半導體作為后摩爾時代實現(xiàn)芯片性能突破的核心技術之一,，也受到資本熱捧，其應用領域包括電動汽車,、光伏等功率,、5G射頻、手機快充等,。

　　近日,，湖南三安第三代半導體產業(yè)項目和規(guī)劃生產IGBT的塞晶亞太大功率半導體項目均迎來重大進展。據(jù)悉,。上述兩個重大項目總投資超200億元,。

　　國內首條碳化硅全產業(yè)鏈生產線投產

　　△Source：湖南省人民政府網站

　　6月23日，湖南首個第三代半導體產業(yè)園項目湖南三安半導體項目迎來首批廠房投產點亮儀式,，該項目是全球第三條,、中國首條碳化硅全產業(yè)鏈生產線。

　　此前資料顯示,，湖南三安半導體項目總投資160億元,，主要建設具有自主知識產權的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產業(yè)鏈生產與研發(fā)基地,。

　　△Source：湖南新聞聯(lián)播視頻截圖

　　具體而言,，該項目將建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業(yè)鏈,，研發(fā),、生產及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底,、SIC二極管外延,、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片,、碳化硅器件封裝二極管,、碳化硅器件封裝MOSFET。

　　項目建成達產后預計可實現(xiàn)年產值120億元,，可直接提供4500個就業(yè)崗位,，并帶動上下游配套產業(yè)產值預計超1000億，提供近10000個就業(yè)崗位,。

　　△Source：湖南新聞聯(lián)播視頻截圖

　　此外,，湖南三安還與北京智芯、威勝信息共同簽訂了碳化硅全產業(yè)鏈關鍵技術研究及產業(yè)化聯(lián)合實驗室共建意向書,，將聯(lián)合攻關碳化硅功率模塊科技項目,，申報和創(chuàng)建國家創(chuàng)新中心。

　　賽晶科技IGBT生產線進入試生產階段

　　△Source：塞晶科技官網

　　同日,，賽晶科技集團有限公司宣布,，公司旗下子公司賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司在浙江省嘉興市嘉善縣經濟技術開發(fā)區(qū)舉行了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）生產線竣工投產儀式，IGBT生產線進入試生產階段,。

　　據(jù)悉,，賽晶科技于2019年3月正式啟動了自主技術IGBT項目。隨后,，2019年7月賽晶IGBT項目正式簽約落戶嘉善,，2020年6月賽晶IGBT生產基地動工建設，同年9月賽晶首款IGBT芯片和模塊產品正式推出,。

　　此前的資料顯示,，賽晶亞太IGBT大功率半導體項目總投資52.5億元，其中項目一期投資17.5億元,，規(guī)劃建設2條IGBT芯片背面工藝生產線,，5條IGBT模塊封裝測試生產線，建成后年產能將達到200萬件IGBT模塊產品,。該公司IGBT產品應用將涵蓋600V至1700V的中低壓領域,，面向電動汽車、光伏風電,、工業(yè)變頻等市場,。

　　賽晶科技表示，IGBT生產線的投產有助于提高公司的市場競爭力,，對未來的經營業(yè)績帶來積極影響,。由于生產線從投產到達產尚需一定時間，預期產能的釋放需要過程,；同時,，短期內還有固定成本增加的壓力，投資者應注意投資風險。