衛(wèi)星通信系統(tǒng)使用復雜的調制方案,，以實現極快的數據速率用于傳遞視頻和寬帶數據,。因此,，它們必須具備高射頻輸出功率,，同時確保信號保持其理想的特征,。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器，以滿足上述要求,。 

這款新器件是Microchip的首款GaN MMIC（氮化鎵單片微波集成電路）,，專為商業(yè)和國防衛(wèi)星通信、5G網絡以及其他航空航天和國防系統(tǒng)而設計,。

GMICP2731-10采用碳化硅基氮化鎵技術制造,。它可在27.5至31 GHz之間的3.5 GHz帶寬上提供高達10W的飽和射頻輸出功率。GMICP2731-10的功率在此基礎上可再提高20%,；小信號增益為22 dB,；回波損耗為15 dB。此外,，新器件具有平衡結構,，可以很好地匹配50歐姆電阻，并在輸出端集成直流阻斷電容,，以簡化設計集成,。

Microchip分立式產品業(yè)務部副總裁Leon Gross表示：“隨著通信系統(tǒng)采用128-QAM等復雜的調制方案，以及固態(tài)功率放大器（SSPA）功率不斷上升,，射頻功率放大器設計人員面臨著困難的挑戰(zhàn),，即在尋找更高的功率解決方案的同時降低重量和功耗。與GaAs同類產品相比,，高功率SSPA中使用的GaN MMIC可以降低30%以上的功耗和重量,，這對衛(wèi)星OEM來說是一個巨大的優(yōu)勢。新產品體現了氮化鎵技術的優(yōu)勢,，滿足了原始設備制造商對尺寸,、重量、功耗和成本的要求,?！?/p>

GMICP2731-10進一步擴大了Microchip現有的產品陣容，包括砷化鎵MMIC射頻功率放大器,、開關,、低噪聲放大器和Wi-Fi?前端模塊，以及用于雷達系統(tǒng)的硅基氮化鎵高電子移動性晶體管（HEMT）驅動器和最終放大器晶體管,。

開發(fā)工具

Microchip提供電路板設計支持,，以幫助進行設計，分銷合作伙伴也提供相關支持,。Microchip還提供GMICP2731-10精簡模型,，使客戶能夠更容易地對系統(tǒng)中功率放大器的性能進行建模并加快設計。

供貨

GMICP2731-10現已量產,。如需了解更多信息,，請聯系Microchip銷售代表或訪問Microchip網站,。如需購買GMICP2731-10，請訪問我們的直銷網站或聯系Microchip授權分銷商,。