芯片是由晶體管組成的，同樣的面積之下,，晶體管越密集,，意味著芯片工藝越先進(jìn)，所以每一代的芯片工藝提升,，都是以縮短晶體管導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)度為目標(biāo)的,。

這個(gè)晶體管導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)度，簡(jiǎn)稱(chēng)溝道長(zhǎng)度,，也就是指芯片的工藝，比如溝道長(zhǎng)度為5nm,，代表著芯片是5nm芯片,。

而為了縮短這個(gè)溝道長(zhǎng)度,，就需要高精度的光刻機(jī)，光刻機(jī)精度越高,，越能夠讓溝道長(zhǎng)度變短,。

但不可否認(rèn)的是，由于目前的晶體管基本上都是平行型結(jié)構(gòu)（晶體管之間是平行擺放的）,，當(dāng)芯片達(dá)到3nm工藝時(shí),，要縮短溝道長(zhǎng)度越來(lái)越難，因?yàn)闀?huì)帶來(lái)嚴(yán)重的短溝道效應(yīng),，同時(shí)對(duì)光刻機(jī)的精度也是要求太高了,。

所以后來(lái)，科學(xué)家們研究另外一種晶體管結(jié)構(gòu),，就是垂直型結(jié)構(gòu)（晶體管之間是垂直擺放的）,，垂直型晶體管的溝道長(zhǎng)度，僅由材料厚度決定,，這樣可在大幅度的縮短溝道長(zhǎng)度,，從而使晶體管更密集，實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的工藝,，并且不用依賴(lài)于傳統(tǒng)的高精度光刻技術(shù),。

但這種垂直型晶體管，理論很美好,，現(xiàn)實(shí)卻很?chē)?yán)峻,，因?yàn)榻饘伲雽?dǎo)體間之間會(huì)形成非常不理想的接觸界面，從而破壞整個(gè)器件的溝道,，增加垂直隧穿電流,，使器件不受柵極調(diào)控。

但在近日,，湖南大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì),，采用低能量的范德華電極集成方式，實(shí)現(xiàn)了以二硫化鉬作為半導(dǎo)體溝道的薄層甚至單原子層的短溝道垂直器件,，減小了隧穿電流,，使得這種垂直晶體管技術(shù)，進(jìn)入到了一個(gè)新的階段,。

在測(cè)試中,，垂直型晶體管在實(shí)現(xiàn)0．65nm的溝道長(zhǎng)度的同時(shí)，同樣保持著較好的特性,，也就意味著芯片工藝,，能夠進(jìn)入到1nm級(jí)別。

更重要的是,，由于與平行型晶體管不同,，這種垂直型晶體管技術(shù),，能夠不依賴(lài)高精度光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)的限制，就可以生產(chǎn)出高制程的芯片來(lái),。

目前相關(guān)論文已發(fā)表在《自然·電子學(xué)》（Nature Electronics）雜志上,，湖南大學(xué)的官網(wǎng)上也有相關(guān)的詳細(xì)報(bào)道。

不過(guò),，大家也先別太激動(dòng),，目前這還只是研究，真正用到工廠生產(chǎn),，可能還需要很長(zhǎng)一段時(shí)間,，但也別吐槽，任何技術(shù)的量產(chǎn),，都是先有理論研究的,，沒(méi)有理論研究，哪來(lái)的量產(chǎn),。