韓國周一表示，已向SK hynixInc.的120萬億韓元（合1,060億美元）項目的新建項目授予最終批準(zhǔn)，該項目將建設(shè)一個新的半導(dǎo)體工廠,，此舉可緩解全球市場的供應(yīng)短缺。

　　據(jù)韓國貿(mào)易，工業(yè)和能源部稱，韓國第二大芯片制造商已經(jīng)SK海力士完成了所有必要的行政程序,，以便在首爾以南約50公里的龍仁市建設(shè)該綜合設(shè)施。

　　該聲明是在該公司承諾要建立一個415萬平方米的工業(yè)集群兩年后獲批的,，據(jù)報道該集群將容納四個新的半導(dǎo)體制造工廠,。據(jù)報道，SK海力士的約50個分包商和供應(yīng)商也將搬遷到該區(qū)域,。完成后,，該集群的月生產(chǎn)能力將達(dá)到80萬片,。

　　預(yù)計該項目將于今年第四季度破土動工，預(yù)計第一座制造廠將于2025年竣工,。

　　龍仁將作為DRAM和SK海力士的下一代存儲芯片的基地,，而利川市則為80公里首爾以南，將作為研發(fā)和DRAM樞紐,。據(jù)SK hynix稱,，位于首都以南137公里處的清州將成為NAND閃存芯片中心,。

　　韓國表示,，最新的投資有望緩解全球市場的供應(yīng)短缺。該部補(bǔ)充說：“由于芯片產(chǎn)業(yè)是該國出口的關(guān)鍵支柱,，政府將不遺余力地解決整個項目中的任何潛在問題,，以便于今年開始按計劃開始建設(shè)?！?/p>

　　2020年,，韓國芯片出口額達(dá)到991億美元，同比增長5.6％,。該部門占總出貨量的20％,。

　　SK 海力士預(yù)測存儲未來：3D NAND 600 層以上，DRAM 10nm 以下

　　SK海力士CEO李錫熙今日在IEEE國際可靠性物理研討會（IRPS）上作了主題演講,，講述了SK海力士產(chǎn)品的未來計劃,，分享了一些概念性技術(shù)，比如用EUV光刻生產(chǎn)的DRAM和600層堆疊的3D NAND,。

　　目前為止SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176層堆疊的3D NAND,，看起來600層還很遙遠(yuǎn)，目前他們還只是在研究這種可能性,，在達(dá)到600層堆疊前還需要解決各種問題,。SK海力士致力于確蝕刻技術(shù)實現(xiàn)高縱橫比，以實現(xiàn)業(yè)界所需的高密度技術(shù),，此外他們還推出了原子層沉積技術(shù),，以進(jìn)一步改善單元的電荷存儲性能，并在需要時把電荷放出,，同時開發(fā)新的導(dǎo)電材料讓電荷在一定程度上保持均勻,。除此之外為了解決薄膜應(yīng)力問題，控制了薄膜的機(jī)械應(yīng)力水平,，并優(yōu)化了單元氧化氮材料,。為了應(yīng)對在有限的高度上堆疊更多電池時發(fā)生的電池間干擾現(xiàn)象和電荷損失，SK Hynix開發(fā)了隔離電荷陷阱氮化物結(jié)構(gòu)來增強(qiáng)可靠性,。為了對應(yīng)在有限高度內(nèi)堆疊多層時發(fā)生的單元間電荷干擾與電荷損失,，SK海力士開發(fā)了隔離電荷陷阱氧化物結(jié)構(gòu),，以提高可靠性。

　　在DRAM方面,，SK海力士引入了EUV光刻設(shè)備來解決以往DUV光刻的局限性,，制程工藝能輕松達(dá)到10nm以下，以此來提升生產(chǎn)效率,。當(dāng)然還有問題要解決的,，比如為了保持單元電容，他們正試圖改善電介質(zhì)厚度,，開發(fā)具有高介電常數(shù)的新材料,，并采用新的單元結(jié)構(gòu)。這些單元互連需要盡可能低的電阻,，他們正在尋找新一代電極與絕緣材料,，并推出新工藝。

　　提議整合CPU及內(nèi)存,，另提出CXL內(nèi)存解決方案

　　李錫熙還提出了整合CPU以及內(nèi)存的想法,。目前內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在準(zhǔn)從DDR4過渡到DDR5上，后者相比前者可以帶來不少的性能增幅,。不過,，無論DDR內(nèi)存有多快，與HBM相比在速度上還是要落后不少,。這點也是李錫熙認(rèn)為CPU以及內(nèi)存應(yīng)該要合并整合的基礎(chǔ),。

　　他在研討會上發(fā)表了對于一套“融合存儲以及邏輯”、更快的存儲標(biāo)準(zhǔn)的愿景,。

　　“高帶寬內(nèi)存的速度提升是通過增加CPU及內(nèi)存之間的通道而來的,，而在CPU以及內(nèi)存共同處于同一模塊的近內(nèi)存處理（Processing Near Memory，簡稱PNM）中,，速度提升會更多,。如果更進(jìn)一步的話，在內(nèi)存內(nèi)處理（Processing In Memory,，簡稱PIM）中,，當(dāng)CPU以及內(nèi)存都處于單一包裹（package）上的時候，速度可以獲得更大加的提升,。而最終,，CPU以及內(nèi)存整合在同一芯片中的內(nèi)存內(nèi)計算（Computing in Memory，簡稱CIM）可以讓內(nèi)存速度提升更加多,?！?/p>

　　圖片來源：三星

　　海力士目前是全球第二大存儲生產(chǎn)商，不過他們并沒有開發(fā)及生產(chǎn)任何諸如CPU的芯片,，因此CEO李錫熙呼吁半導(dǎo)體巨頭之間互相合作,，形成一個可以維持CPU及內(nèi)存集成的生態(tài)圈,。

　　“只有在消費者、供貨商,、學(xué)術(shù)界以及政府之間形成合作及共享的開放創(chuàng)新性的戰(zhàn)略合作關(guān)系,，我們才可以塑造一個追求經(jīng)濟(jì)及社會價值的新時代?！?/p>

　　另外,，李錫熙也提出了一種名為Compute Express Link（CXL）的新標(biāo)準(zhǔn)，它可以與現(xiàn)有的PCIe總線互補(bǔ),。CXL內(nèi)存可以快速且高效地在CPU以及圖形/計算加速器,，或者智能網(wǎng)絡(luò)界面中移動數(shù)據(jù)。

　　“CXL內(nèi)存不僅可以擴(kuò)展帶寬以及容量,，還可以實現(xiàn)持久性內(nèi)存的價值,，是一種可以縮小內(nèi)存性能以及行業(yè)要求之間差距的解決方案?！?/p>