3月17日消息，存儲廠商華邦電董事會16日決議，通過高雄12吋晶圓廠資本支出預算案，核準資本預算達131.27億元新臺幣，將自3月起開始陸續(xù)進行投資。華邦電高雄12吋廠將在明年上半年裝機及試產，明年下半年將進入量產，初期將生產20nm世代制程DRAM。

　　華邦電此次資本支出預算案，內容包括建置及擴充產能的生產設備、實驗室設備、測試設備、廠務設施工程等，涵蓋時間包括今年及明年。華邦電表示，該資本支出預算案主要用于高雄新廠，預計于今年3月起陸續(xù)投資，并于明年試營運。華邦電高雄廠是第二座12吋晶圓廠。

　　華邦電表示，相當重視研發(fā)創(chuàng)新及全球人才布局，預計未來在南科高雄園區(qū)產業(yè)聚落效應的帶動下，能吸引更多半導體人才加入，一同致力于提供客戶全方位的利基型存儲解決方案。

　　華邦電于日前法人說明會中指出，今年資本支出預計127億元新臺幣，較去年成長約六成，而高雄新廠預計明年上半年試產，明年下半年量產，2023年將明顯貢獻營收。

　　華邦電臺中廠目前產能主要以閃存為主，去年已將月產能由5.4萬片提升至5.7萬片，投片維持滿載狀態(tài)。不過，華邦電今年臺中廠產能不會再擴充，但將因應客戶需求進行產能調配。

　　華邦電自行開發(fā)的25nm DRAM制程，目前生產良率已達成熟制程水準，25nm營收占比已由去年第一季的8％，成長至去年第四季的20％，目前25nm制程占DRAM整體投片量比重達五成。華邦電總經理陳沛銘表示，25nm微縮版DRAM制程前期開發(fā)已完成且進展順利，將先在臺中廠試產，也會與客戶就產品驗證先展開合作，以便未來高雄廠完成裝機就能直接進入生產狀態(tài)。

　　集邦科技表示，華邦電近年重心皆在閃存業(yè)務，DRAM產能在高雄路竹廠完工前都將受到限制，因此華邦電選擇重點支持DDR2及DDR3低容量產品，也因華邦電在該領域擁有相對更高的市占率，掌握更多定價優(yōu)勢。