1月19日,，湖南三安半導體項目最大單體M2B芯片廠房完成封頂,。標志著湖南三安第三代半導體產業(yè)園項目(一期)Ⅰ標段主體工程完工,，預計今年6月份有望實現(xiàn)全面投產,。

此前,，湖南三安半導體項目（一期）Ⅰ標段已相繼完成M3器件封裝廠房,、M4碳化硅長晶廠房和濺鍍廠房位主體結構封頂,。

據(jù)了解,，湖南三安半導體項目總占地面積1000畝，總投資160億元,，項目分兩期建設,，主要包含碳化硅長晶、襯底,、外延,、芯片、器件封裝等廠房及相關配套設施建設,，項目產品為高質量,、低成本、高穩(wěn)定性碳化硅襯底及各類器件,，可廣泛用于新能源汽車,、高鐵機車、航空航天和無線(5G)通訊等,。

湖南三安半導體有限責任公司項目管理部經理張博若表示,，項目全部建成后預計可實現(xiàn)年產值120億元以上，可直接提供4500個就業(yè)崗位,，并帶動上下游配套產業(yè)產值預計超1000億元,，提供近10000個就業(yè)崗位。

第三代半導體材料及器件已成為當前全球半導體材料產業(yè)的前沿和制高點之一，引發(fā)了新一代科技變革,，屬于國家重點支持的戰(zhàn)略性新興產業(yè),。項目的實施將推動長沙先進半導體產業(yè)的壯大，助力長沙在化合物半導體領域形成國內領先地位,。