賓夕法尼亞,、MALVERN — 2021年1月11日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布,，推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的100 V p溝道TrenchFET? MOSFET---SQJ211ELP,，用以提高汽車(chē)應(yīng)用功率密度和能效,。Vishay Siliconix SQJ211ELP不僅是業(yè)內(nèi)首款鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件，而且10 V條件下其導(dǎo)通電阻僅為30 mW,，達(dá)到業(yè)內(nèi)優(yōu)異水平,。

日前發(fā)布的新款汽車(chē)級(jí)MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競(jìng)品器件相比，導(dǎo)通電阻分別降低26 %和46 %,，占位面積分別減小50 %和76 %,。SQJ211ELP低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通功耗，從而節(jié)省能源,，10 V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為45 nC,，減少柵極驅(qū)動(dòng)損耗。

這款新型MOSFET可在+175°C高溫下工作,，滿(mǎn)足反向極性保護(hù),、電池管理、高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)和LED照明等汽車(chē)應(yīng)用牢固性和可靠性要求,。此外,，SQJ211ELP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）功能,，消除機(jī)械應(yīng)力，提高板級(jí)可靠性,。

器件100 V額定值滿(mǎn)足12 V,、24 V和48 V系統(tǒng)多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。此外,，作為p溝道MOSFET,，SQJ211ELP可簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，無(wú)需配置n溝道器件所需電荷泵,。 MOSFET采用無(wú)鉛（Pb）封裝,、無(wú)鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),，經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測(cè)試,。

SQJ211ELP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為14周,。