元旦節(jié)假日期間，國(guó)外知名博主在推特上透露了華為最新研發(fā)芯片的進(jìn)展。這名叫Teme（特米）的博主表示,，華為下一代旗艦芯片“麒麟9010”將采用3nm工藝打造,。
（截圖源自推特）
不過(guò)元旦假期結(jié)束,，該名博主卻更改了自己的說(shuō)法,，也許是一開(kāi)始搞錯(cuò)了，該博主表示：目前有兩款處理器正在研發(fā)中,，其中麒麟9010將采用5nm ＋工藝,，而麒麟9020則會(huì)采用3nm工藝。
（截圖源自推特）
按照之前華為受美國(guó)禁令顯示的回應(yīng)來(lái)看,，華為在接下來(lái)的兩年里,，5nm工藝都會(huì)是其手機(jī)產(chǎn)品的主力芯片。而根據(jù)臺(tái)積電和三星透露的3nm研發(fā)進(jìn)展,，最快也要2022年才能落地,。
縱觀各方3nm進(jìn)展，誰(shuí)能替華為代工？
此前華為曾宣布要在新材料和終端制造方面突破技術(shù)瓶頸,，同時(shí)還表示將會(huì)對(duì)華為海思繼續(xù)投資,，未來(lái)將會(huì)有一個(gè)更為強(qiáng)大的海思?xì)w來(lái)，攻克難題,，無(wú)非是時(shí)間問(wèn)題,、工藝問(wèn)題以及成本問(wèn)題,。
結(jié)合華為旗下哈勃投資一直以來(lái)對(duì)數(shù)家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的投資動(dòng)態(tài)來(lái)看,，全面進(jìn)入芯片半導(dǎo)體領(lǐng)域或許不是一句空話。
眾所周知,，華為因美國(guó)禁令限制,，臺(tái)積電已經(jīng)無(wú)法再繼續(xù)為其供應(yīng)5nm芯片。但并不意味著華為會(huì)放棄更先進(jìn)芯片的研發(fā)設(shè)計(jì),，只要晶圓代工廠擁有相應(yīng)的工藝制程技術(shù),，那么華為依然可以設(shè)計(jì)研發(fā)出來(lái)進(jìn)行流片測(cè)試，萬(wàn)一以后禁令解除了,，也不至于落后一程,。
提到3nm工藝，放眼望去,，目前全球只有三星和臺(tái)積電透露過(guò)相關(guān)信息,。由于FinFET晶體管一度被認(rèn)為只能延續(xù)到5nm節(jié)點(diǎn)，因此三星計(jì)劃在3nm工藝研發(fā)上轉(zhuǎn)換賽道,，采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),。基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu),，三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET,，多橋－通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能,，主要取代FinFET晶體管技術(shù),。
此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備,，從而加速工藝開(kāi)發(fā)及生產(chǎn),。
具體來(lái)說(shuō)，與現(xiàn)在的7nm工藝相比,，3nm工藝可將核心面積減少45％,，功耗降低50％，性能提升35％,。
（圖片源自O(shè)Fweek維科網(wǎng)）
毫無(wú)疑問(wèn),，這是三星在3nm節(jié)點(diǎn)上的一次“豪賭”。或許是為了扭轉(zhuǎn)此前5nm工藝落后的局面,，大規(guī)模上馬GAA技術(shù)的手段明顯是較為激進(jìn)的,，而這到底能否幫助三星追上臺(tái)積電，我們拭目以待,。
另一方,， 臺(tái)積電所透露的3nm工藝進(jìn)展看起來(lái)更加穩(wěn)當(dāng)，臺(tái)積電沒(méi)有像三星那樣選擇GAA晶體管技術(shù),，而是延續(xù)采納FinFET晶體管技術(shù)進(jìn)行開(kāi)發(fā),。其3nm工藝與5nm工藝相比，相同功耗下性能提升約10～15％,，相同性能下功耗減少約25～30％,，前者邏輯區(qū)域密度提升1．7倍，但SRAM密度僅提升20％,，模擬電路部分密度提升約10％,，因此芯片層面上可能僅縮小26％左右。
在生產(chǎn)方面,，臺(tái)積電的3nm晶圓廠坐落在臺(tái)灣南科園區(qū),，占地28公頃，位置緊鄰臺(tái)積電的5nm工廠,。據(jù)悉,，臺(tái)積電3nm項(xiàng)目投資超過(guò)6000億新臺(tái)幣，約為194億美元或者1347億人民幣,，2020年開(kāi)始建廠,，2021年完成設(shè)備安裝，計(jì)劃3nm芯片在2021 年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn),，2022 年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。
美國(guó)禁令之下，華為3nm能否誕生很難說(shuō)
先進(jìn)芯片的研發(fā)說(shuō)到底只是證明企業(yè)是否有這個(gè)實(shí)力,，那到底能不能生產(chǎn)上市或許就要看“命”了,。華為要在臺(tái)積電和三星之間二選一無(wú)疑是個(gè)大難題，臺(tái)積電已經(jīng)被明確禁止替華為代工先進(jìn)制程,，三星又怎會(huì)敢在這個(gè)風(fēng)口浪尖上出頭呢,？
很明顯，特朗普時(shí)代我們看到的是美國(guó)不遺余力地打壓華為,，從最早的元器件管控到一步步列入“實(shí)體清單”,，到最后直接切斷臺(tái)積電與其之間的合作關(guān)系，華為的5G實(shí)力深深地動(dòng)搖了美國(guó)的科技霸權(quán)地位,。
當(dāng)前正值美國(guó)大選交替之際,，很多人將希望寄托于拜登上臺(tái)后對(duì)華寬松的政策。但實(shí)際上，是否打壓華為并不只是特朗普或拜登一個(gè)人的想法,，而是整個(gè)美國(guó)科技霸權(quán)受到威脅時(shí)的慣用做法,。真正想要半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不受制于人，不被外國(guó)“卡脖子”,，倒不如積極重視以前發(fā)展不足的地方,，重新投入資源發(fā)展。