賓夕法尼亞、MALVERN — 2020 年 9 月 23 日 — 日前,，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布,，推出新型200V n溝道MOSFET---SiSS94DN，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝,，10 V條件下典型導通電阻達到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ,。同時，經(jīng)過改進的導通電阻與柵極電荷乘積,，即MOSFET開關應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC,。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導通電阻的器件減小65 %,。

日前發(fā)布的TrenchFET? 第四代功率MOSFET典型導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低20 %,，F(xiàn)OM比上一代解決方案低17 %。這些指標降低了導通和開關損耗,，從而節(jié)省能源,。外形緊湊的靈活器件便于設計師取代相同導通損耗，但體積大的MOSFET,，節(jié)省PCB空間,，或尺寸相似但導通損耗高的MOSFET。 

SiSS94DN適用于隔離式DC/DC拓撲結構原邊開關和同步整流,，包括通信設備,、計算機外設、消費電子,； 筆記本電腦,、LED電視、車輛船舶LED背光,；以及GPS,、工廠自動化和工業(yè)應用電機驅動控制、負載切換和功率轉換,。

器件經(jīng)過100 % RG和UIS測試,，符合RoHS標準，無鹵素,。

SiSS94DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),，供貨周期為12周。