據(jù)外媒報(bào)道,，近日,，日本三菱電機(jī)公司（Mitsubishi Electric Corporation）宣布推出N系列1200V碳化硅 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），該產(chǎn)品功率損耗低且自接通耐受性高,，還可以幫助降低功耗,，實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電器、光伏電力系統(tǒng)等供電系統(tǒng)（需要轉(zhuǎn)換高壓）的小型化,，產(chǎn)品樣品將于今年7月開(kāi)始發(fā)貨,。

　　（圖片來(lái)源：三菱電機(jī)）

　　三菱電機(jī)還將在大型貿(mào)易展會(huì)上展示其新款N系列1200V SiC-MOSFET,，包括將于11月16日至18日在中國(guó)上海舉辦的2020 PCIM Asia（上海國(guó)際電力元件,、可再生能源管理展覽會(huì)）上進(jìn)行展示。

　　產(chǎn)品特點(diǎn)：

　　1,、  降低功耗,，實(shí)現(xiàn)供電系統(tǒng)的小型化

　　A、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）摻雜技術(shù)既降低了1200V SiC-MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻,，還讓其達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)（FOM）——1,450mΩ·nC,。與采用傳統(tǒng)的硅絕緣柵門(mén)極晶體管（Si-IGBT）相比，用于供電系統(tǒng)的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了約85%,。

　　B,、通過(guò)降低鏡面電容（在MOSFET結(jié)構(gòu)中，柵極和漏極之間存在的雜散電容）,，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比,，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此,，可實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)操作,，降低開(kāi)關(guān)損耗。

　　C,、由于降低了開(kāi)關(guān)功率損耗,，通過(guò)驅(qū)動(dòng)具有更高載頻的功率半導(dǎo)體，得以實(shí)現(xiàn)冷卻系統(tǒng)及周邊部件（如反應(yīng)器）的小型化和簡(jiǎn)單化,，從而有助于降低整個(gè)供電系統(tǒng)的成本的尺寸,。

　　2、  有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101規(guī)格的型號(hào),，適用于各種應(yīng)用

　　A,、N系列1200V SiC-MOSFET產(chǎn)品包括符合美國(guó)汽車(chē)電子委員會(huì)AEC-Q101規(guī)格的型號(hào)，因此,，該產(chǎn)品不僅適用于光伏系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用,，也可用于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器。