6月4日,，武漢新芯集成電路制造有限公司透露,，其自主研發(fā)的50納米浮柵式代碼型閃存（SPI NOR Flash）芯片已全線量產(chǎn)。

目前,，在全球NOR Flash存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,，業(yè)界通用技術(shù)為65納米,。武漢新芯新一代50納米技術(shù)，已逼近此類芯片的物理極限,，無論是存儲(chǔ)單元面積還是存儲(chǔ)密度,，均達(dá)到國際先進(jìn)水平。

據(jù)了解,，武漢新芯50納米閃存技術(shù)于2019年12月取得突破,，隨后投入量產(chǎn)準(zhǔn)備。從65納米到50納米的躍升，武漢新芯用了18個(gè)月,。

Flash指非易失性存儲(chǔ)介質(zhì),。此次量產(chǎn)產(chǎn)品為寬電源電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC，容量覆蓋16兆到256兆,。性能測(cè)試顯示,，在1.65伏至3.6伏電壓范圍內(nèi)，該系列NOR Flash存儲(chǔ)芯片的工作頻率可達(dá)133兆赫,，即使在零下40℃或105℃這種極端溫度下,，依然不會(huì)停止“芯跳”。其無障礙重復(fù)擦寫可達(dá)10萬次,，數(shù)據(jù)保存時(shí)間長達(dá)20年,。

研發(fā)人員介紹，作為NOR Flash存儲(chǔ)芯片中的“閃電俠”,，該芯片在連續(xù)讀取模式下,，能實(shí)現(xiàn)高效的存儲(chǔ)器訪問，僅需8個(gè)時(shí)鐘的指令周期,，即可讀取24位地址,。不僅如此，它還可使便攜式設(shè)備的電池壽命延長1.5倍以上,，令用戶通過寬電壓功能實(shí)現(xiàn)更好的庫存管理,。

“對(duì)此次研發(fā)而言，最難的挑戰(zhàn)是速度,、功耗和可靠性,。”武漢新芯運(yùn)營中心副總裁孫鵬說,，隨著50納米NOR閃存的重大突破,，武漢新芯將在性能和成本上進(jìn)一步提高競爭力，針對(duì)快速發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)和5G市場(chǎng),，持續(xù)研發(fā)自有品牌的閃存產(chǎn)品,，不斷拓展產(chǎn)品線。

近期,，武漢新芯與業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)核心芯片和解決方案平臺(tái)樂鑫科技達(dá)成長期戰(zhàn)略合作,，雙方將圍繞物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)，在物聯(lián)網(wǎng),、存儲(chǔ)器芯片與應(yīng)用方案開發(fā)上展開合作。樂鑫科技CEO張瑞安表示,，武漢新芯NOR Flash存儲(chǔ)芯片,，支持低功耗、寬電壓工作,，能滿足該平臺(tái)全系物聯(lián)網(wǎng)芯片,、智能家居及工業(yè)模組的應(yīng)用要求,。

武漢新芯成立于2006年，專注于NOR Flash存儲(chǔ)芯片的研發(fā)制造,，并以全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體三維集成制造技術(shù),，在圖像傳感器、射頻芯片,、DRAM存儲(chǔ)器等產(chǎn)品上,，不斷實(shí)現(xiàn)性能和架構(gòu)突破。